Гт346а, гт346б, гт346в

Справочный листок по транзисторам ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В:

Электрические параметры:

Статический
коэффициент передачи тока в
схеме с ОЭ при UКБ = 10 В, IЭ
= 2 мА:
  при Т = +25С ГТ346А, ГТ346Б 10…150
ГТ346В 15…150
при Т = -45С ГТ346А, ГТ346Б 3,5…150
ГТ346В 5…150
при Т= +55С ГТ346А, ГТ346Б 10…450
ГТ346В 15…450
Граничная частота
коэффициента передачи тока при
UКБ = 10 В, IЭ = 2 мА, не
менее:
  ГТ346А 700 МГц
ГТ346Б, ГТ346В 550 МГц
Постоянная времени
обратной связи при UКБ = 10
В, IЭ = 2 мА, f = 100 МГц, не
более:
  ГТ346А 3 пс
ГТ346Б 5,5 пс
ГТ346В 6 пс
Коэффициент шума при UКБ
= 10 В, IЭ = 2 мА, RГ = 75
Ом, не более:
  f = 800 МГц для ГТ346А 6 дБ
f = 800 МГц для ГТ346Б 8 дБ
f = 200 МГц для ГТ346В 7 дБ
Коэффициент усиления
по мощности при UКБ = 10 В, IЭ
= 2 мА, f = 800 МГц, не менее
  ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В 10,5 дБ
Оптимальный ток
эмиттера, соответствующий КУ
Р
— КУ,Р МАКС при UКБ
= 10 В, f = 800 МГц
  для ГТ346А, ГТ346В 1,6… 3,2 мА
Глубина регулирования
коэффициента усиления по
мощности при UКБ = 10 В, IЭ
= 2…8 мА, f = 800 МГц, не менее:
  для ГТ346А, ГТ346В 34 дБ
Коэффициент обратного
усиления по мощности при UКБ
= 10 В, IЭ = 2 мА, f = 800 МГц, не
менее:
  ГТ346А 20 дБ
ГТ346В 12 дБ
Обратный ток
коллектора при UКБ = 20 В,
не более:
  Т = +25С ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В 10 мкА
Т = +55С ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В 100 мкА
Обратный ток эмиттера
при UЭБ = 0,3 В, не более:
  ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В 100 мкА
Ёмкость коллекторного
перехода при UКБ = 5 В, не
более:
  ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В 1,3 пФ

Предельные
эксплуатационные данные:

Постоянное напряжение
коллектор — база:
  ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В 20 В
Постоянное напряжение
коллектор — эмиттер:
  при RБЭ = 0 ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В 15 В
при RБЭ = 5 кОм ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В 20 В
Постоянное напряжение
эмиттер — база:
  ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В 0,3 В
Постоянный ток
коллектора:
  ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В 10 мА
Постоянная
рассеиваемая мощность
коллектора:
  ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В 50 мВт
Температура p-n
перехода:
  ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В + 85С
Температура
окружающей среды:
  ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В -45…+55С
*Изгиб выводов
транзисторов допускается не
ближе 1,5 мм от корпуса с
радиусом закругления не менее
1,5 мм. Растягивающая выводы
сила не должна превышать 2,5 Н
(0,25 кгс).

**Минимальное
расстояние от места пайки
вывода до корпуса 2 мм, при
температуре пайки не выше +260С и
длительности не более 2 сек.
Температура корпуса при пайке
не должна превышать +235С.

Возврат к оглавлению
справочника
На Главную страницу
www.5v.ru

Рейтинг
( Пока оценок нет )
Editor
Editor/ автор статьи

Давно интересуюсь темой. Мне нравится писать о том, в чём разбираюсь.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Электронная память
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: