Транзистор кт818

Цоколевка

Распиновка КТ818 зависит от его исполнения. Как говорилось ранее, эти транзисторы бывают двух видов: пластиковой упаковке КТ-28 (аналог импортного ТО220) и металлостеклянной КТ-9(ТО3). Обозначение типа приводится на корпусе. Таким устройство впервые появилось еще во времена СССР и с тех пор никак не изменилось. В техническом описании обычно указаны оба варианта.

Внимательно рассмотрим цоколевку у КТ-28. Если смотреть на обозначение транзистора, то слева будет эмиттер (Э), в центре коллектор (К), а справа база (Б).

В металлостеклянном корпусе КТ818 практически перестали выпускать. Связано это с их моральным устареванием и непригодностью применения при создании новой техники. Старое оборудование, в котором они использовались ранее, уже сильно уступает современным техническим новинкам по своим параметрам. В тоже время их можно использовать в учебных целях и ремонта оборудования советских времен.

На рисунке ниже указано расположение выводов для КТ818(КТ-9). Если перевернуть транзистор и посмотреть на него, то вывод Б будет слева, а Э справа. Корпус устройства – это контакт К.

Маркировка года и месяца изготовления электронных компонентов

Согласно ГОСТ 25486-82, для того, чтобы обозначить месяц и год изготовления транзистора и других электронных компонентов, используются буквы и цифры: первое значение – год, второе значение – месяц. Что касается приборов, изготовленных за рубежом, для обозначения даты выпуска применяется кодировка из четырех цифр, где первые две – это год, следующие – номер модели.

Каждому году соответствует своя буква:

Год Код
1986 U
1987 V
1988 W
1989 X
1990 A
1991 B
1992 C
1993 D
1994 E
1995 F
1996 H
1997 I
1998 K
1999 L
2000 M
2001 N
2002 P
2003 R
2004 S
2005 T
2006 U
2007 V
2008 W
2009 X
2010 A
2011 B
2012 C
2013 D
2014 E
2015 F

Маркировка месяца

Месяц Код
Январь 1
Февраль 2
Март 3
Апрель 4
Май 5
Июнь 6
Июль 7
Август 8
Сентябрь 9
Октябрь O
Ноябрь N
Декабрь D

Чтобы обозначить месяц выпуска, применяются не только цифры, но и некоторые буквы: месяцы с января по сентябрь полностью соответствуют цифрам, следующие – первым буквам названия месяца.

Маркировка транзисторов в корпусе КТ-26

Этот тип корпуса очень популярен. Корпус представляет собой скошенный с одной стороны цилиндр. Для транзисторов в таком корпусе применяется цветовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26, т.е маркировка транзисторов при помощи цветных точек , кодовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26 а также смешенная при которой используется как цифры так и цвета.

Смешенная маркировка транзисторов в корпусе КТ-26

При такой маркировке на верхнюю сторону транзистора наносят цветную точку. По это точку можно узнать группу транзистора. А на фронтальную сторону транзистора ставится либо кодовый символ либо цветная точка, которая соответствует типу прибора. Также на эту сторону иногда ставиться год и месяц выпуска.

Группа транзисторов маркируется следующим образом:

  • А -темно-красная точка;
  • Б – желтая;
  • В – темно-зеленая;
  • Г – голуба;
  • Д – синяя;
  • Е – белая;
  • Ж – темно-коричневая;
  • И – серебристая;
  • К – оранжевая;
  • Л – светло-табачная;
  • М – серая.

Тип транзистора обозначается символом (геометрической фигурой): треугольником, квадратиком и. т.д. Типы транзисторов представлены на рисунке ниже.

PRO-ELECTRON (система, разработанная в Европе)

Маркировка приборов у европейских производителей несколько отличается. Код, которым промаркирован иностранный транзистор – это комбинация символом:

  1. Символ под номер один указывает на материал, из которого изготовлен прибор: А – из германия, В – из кремния, С – из арсенида галлия, R – из сульфида кадмия;
  2. Второй символ сообщает о типе транзистора: С – маломощный прибор с низкой частотностью; D – мощный элемент с низкой частотностью; F – прибор маленькой мощность с высоким уровнем частотности; G – в одном корпусе присутствует одновременно два и более элемента; L – прибор с высокой мощностью и частотностью; S – маломощный прибор с функцией переключения; U – транзистор-переключатель высокой мощности;
  3. Третий символ означает номер серии продукта: изделия общего пользования маркируются цифрами от 100 до 999; в том случае, когда перед цифровым значением прописана буква, это говорит о том, что данная деталь изготовлена для использования в промышленности или специализированного пользования.

Более того, общая кодировка иногда дополнятся символом модификации. Определить ее может только сам производитель.

КТ819 — применение

Сразу стоит упомянуть, что КТ819 имеет комплементарную пару — транзистор КТ818 с p-n-p структурой. Параметры КТ818 аналогичны параметрам КТ819 с совпадающими буквами.
И вот в паре с КТ818, КТ819 часто применялся в оконечных каскадах звуковоспроизводящей аппаратуры. Также благодаря своей дешевизне нашел применение в ключевых и линейных стабилизаторах постоянного напряжения.
КТ819 имеет серьезные минусы:

  1. низкий коэффициент усиления по току (от 12 до 20 в зависимости от подтипа), и это требует серьезной раскачки на предварительном каскаде;
  1. плохая повторяемость параметров от экземпляра к экземпляру, из-за этого чтобы подобрать две пары транзисторов по коэффициенту усиления может потребоваться перебрать целое ведро КТ819

Так что если потребуется отремонтировать отечественный усилитель, то лучше сразу покупать импортные аналоги.
Например вместо КТ819 и КТ818 в корпусе КТ-9, поставить зарубежную пару в корпусе TO-3:
MJ15001 и MJ15002 или MJ15003 и MJ15004.

В принципе аналогов много и в интернете много информации на этот счет, только вот не факт, что конкретно в этом усилителе замена подойдет. Поэтому перед заменой необходимо свериться с документацией производителя, транзистор которого собираетесь устанавливать так как от производителя к производителю у одного и того же типа транзистора могут отличатся параметры.

Вот ещё аналоги:

  • КТ818ГМ — 2N2955
  • КТ819ГМ — 2N3055
  • 2Т819А — 2N5068

Устройство и обозначение биполярного транзистора.

Схематично биполярный транзистор можно представить в виде пластины полупроводника с чередующимися областями разной

электропроводности, которые образуют два p-n перехода. Причем обекрайние области обладают электропроводностью одного типа, асредняя область электропроводностью другого типа, и где каждая из областей имеетсвой контактный вывод.

Если в крайних областях полупроводника преобладает дырочная

электропроводность, а в средней областиэлектронная , то такой полупроводниковый прибор называют транзистором структурыp-n-p .

А если в крайних областях преобладает электронная

электропроводность, а в среднейдырочная , то такой транзистор имеет структуруn-p-n .

А теперь возьмем схематичную часть транзистора и прикроем любую крайнюю область, например, область коллектора

, и посмотрим на результат: у нас остались открытыми областьбазы иэмиттера , то есть получился полупроводник с одним p-n переходом или обычный полупроводниковый диод. О диодах можно почитать здесь.

Если же мы прикроем область эмиттера

, то останутся открытыми областибазы иколлектора — и также получается диод.

Отсюда возникает вывод, что биполярный транзистор можно представить в виде двух диодов с одной общей

областью, включенных навстречу друг другу. При этом общая (средняя) область называетсябазой , а примыкающие к базе областиколлектором иэмиттером . Это и есть три электрода транзистора.

Примыкающие к базе области делают неодинаковыми: одну из областей изготавливают так, чтобы из нее наиболее эффективно происходил ввод

(инжекция) носителей зарядав базу , а другую область делают таким-образом, чтобы в нее эффективно осуществлялсявывод (экстракция) носителей зарядаиз базы .

Отсюда получается:

область транзистора, назначением которой является ввод

(инжекция) носителей зарядов в базу называетсяэмиттером , и соответствующий p-n переходэмиттерным .

область транзистора, назначением которой является вывод

(экстракция) носителей из базы, называетсяколлектором , и соответствующий p-n переходколлекторным .

То есть получается, что эмиттер вводит

электрические заряды в базу, а коллектор ихзабирает .

Различие в обозначениях транзисторов разных структур на принципиальных схемах заключается лишь в направлении стрелки

эмиттера: вp-n-p транзисторах она обращена в сторону базы, а вn-p-n транзисторах – от базы.

Рейтинг
( Пока оценок нет )
Editor
Editor/ автор статьи

Давно интересуюсь темой. Мне нравится писать о том, в чём разбираюсь.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Электронная память
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: