P423 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

P05.62. Клиническая идентификация склонности пациентов к выбору интегративной медицины при болях в спине: результаты проекта SPICER | Дополнительная медицина и терапия BMC

P05.62. Клиническая идентификация склонности пациентов к выбору интегративной медицины при болях в спине: результаты проекта SPICER

Скачать PDF

Постерная презентация
Открытый доступ
Опубликовано: 12 июня 2012 г.

M Aickin 1 ,
H Tick 1 ,
A McCaffery 2 ,
C Ritenbaugh 1 ,
G Pugh 2 &
…
D Himick 2

BMC Дополнительная и альтернативная медицина
том 12 , Номер статьи: P422 (2012)
Процитировать эту статью

1026 доступов
Сведения о показателях

Цель

Боль в спине является одной из основных причин инвалидности в США, но существующие исследования часто имеют ограниченную направленность, оставляя многих пациентов неизученными. /традиционная клиника, используя только существующие электронные медицинские карты, без каких-либо исключений пациентов. В этом отчете будет представлена информация о том, какие характеристики пациентов являются хорошими кандидатами для использования для корректировки или сопоставления, чтобы уменьшить погрешность выбора лечения.

Методы

Все диагнозы, визиты, услуги, процедуры, жалобы и лекарства были извлечены из 8000 пациентов с болями в спине с 2002 по 2009 год. Услуги интегративной медицины включали иглоукалывание, работу с телом (включая массаж) и хиропрактику. Методы потока событий использовались для построения наборов данных анализа, содержащих потенциальные совпадающие факторы: пол, возраст, год первого посещения, сопутствующие заболевания, комбинации 7 категорий болей в спине при первом диагнозе и использование интегративной медицины до постановки диагноза боли в спине.

Результаты

Объем результатов значителен, поскольку ни один пациент не был исключен из-за сложной истории болезни. В целом, выбор интегративной медицины для лечения боли в спине был положительно связан с принадлежностью к женскому полу, возрастом, использованием ее до постановки диагноза боли в спине (таким образом, предшествующее использование акупунктуры тесно связано с ее более поздним использованием, и аналогично для других методов лечения), тесно связано со сложностью первоначальной диагностики болей в спине и тенденцией к уменьшению в течение календарного времени.

Заключение

Выявление клинических переменных, влияющих на склонность к использованию интегративной медицины, жизненно важно для неинтервенционных исследований на основе медицинских записей. От них зависят все методы снижения предвзятости при выборе лечения

Приведенные здесь результаты показывают, что существует адекватный набор факторов соответствия, тесно связанных с выбором терапии.

Информация об авторе

Авторы и организации

University of Arizona, Tucson, USA

M Aickin, H Tick & C Ritenbaugh
Marino Centers for Integrative Health, Boston, USA

A McCaffery, G Pugh & D Himick

Authors

M Aickin
Посмотреть публикации автора

Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar
H Tick
Просмотр публикаций автора

Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Академия
A McCaffery
Просмотр публикаций автора

Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar
C Ritenbaugh
Просмотр публикаций автора

Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar
G Pugh
Просмотр публикаций автора

Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar
D Химик
Просмотр публикаций автора

Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar

Права и разрешения

Открытый доступ
Эта статья опубликована по лицензии компании BioMed Central Ltd. Эта статья находится в открытом доступе и распространяется в соответствии с условиями лицензии Creative Commons Attribution License (
https://creativecommons.org/licenses/by/2.0
), который разрешает неограниченное использование, распространение и воспроизведение на любом носителе при условии надлежащего цитирования оригинальной работы.

Перепечатка и разрешения

Скачать PDF

Биполярный транзистор P423 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: P423

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 24

P423
Datasheet (PDF)

..1. p422 p423.pdf Size:530K _russia

0.1. irfp4232pbf.pdf Size:290K _international_rectifier

PD — 96965AIRFP4232PbFPDP MOSFETFeaturesKey Parametersl Advanced process technologyVDS min 250 Vl Key parameters optimized for PDP Sustain & Energy Recovery applicationsVDS (Avalanche) typ. 300 Vl Low EPULSE rating to reduce the powermRDS(ON) typ. @ 10V 30 dissipation in Sustain & ER applicationsEPULSE typ. 310 Jl Low QG for fast responseIRP max @ TC= 100Cl

0.2. ap4232bgm-hf.pdf Size:93K _ape

AP4232BGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 22m Fast Switching Characteristic ID 7.6A Halogen Free & RoHS Compliant ProductD2D2D1Description D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide theG2S2designer with the best combination o

0.3. ap4232gm-hf.pdf Size:207K _ape

AP4232GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30VD2D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 22mD1D1 Dual N MOSFET Package ID 7.8AG2 RoHS CompliantS2G1SO-8S1DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theD2D1designer with the best combination of fast switchi

0.4. ap4230gm-hf.pdf Size:93K _ape

AP4230GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 25m Fast Switching Characteristic ID 7A Halogen Free & RoHS Compliant ProductD2D2D1Description D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide theG2S2designer with the best combination of f

0.5. ap4232agm.pdf Size:178K _ape

AP4232AGMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30VD2D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 23mD1D1 Dual N MOSFET Package ID 7.8AG2S2G1SO-8S1DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theD2D1designer with the best combination of fast switching,ruggedized devi

0.6. ap4232gm.pdf Size:169K _ape

AP4232GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30VD2D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 22mD1D1 Dual N MOSFET Package ID 7.8AG2 RoHS Compliant & Halogen-FreeS2G1SO-8S1DescriptionAP4232 series are fro

0.7. stb423s stp423s.pdf Size:187K _samhop

GreenProductS T B / P 4 2 3 SS amHop Microelectronics C orp. Feb.26,2007P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorPR ODUC T S UMMAR YF E ATUR E S4R DS (ON) ( m ) MaxVDS S IDS uper high dense cell design for extremely low R DS (ON).9.5 @ VG S = -10V High power and current handling capability.- 40V — 65ATO-220 & TO-263 package.12.5 @ VG S

Другие транзисторы… P403A
, P416
, P416A
, P416B
, P417
, P417A
, P417B
, P422
, 2SA1943
, P6009
, P605
, P605A
, P606
, P606A
, P607
, P607A
, P608
.

P423 Datasheet (PDF)

..1. p422 p423.pdf Size:530K _russia

0.1. irfp4232pbf.pdf Size:290K _international_rectifier

0.2. ap4232bgm-hf.pdf Size:93K _ape

0.3. ap4232gm-hf.pdf Size:207K _ape

0.4. ap4230gm-hf.pdf Size:93K _ape

0.5. ap4232agm.pdf Size:178K _ape

0.6. ap4232gm.pdf Size:169K _ape

0.7. stb423s stp423s.pdf Size:187K _samhop

Транзистор П422

Содержание драгоценных металлов в транзисторе П422.Золото:Серебро:Платина:Палладий:Примечание: .Вопросы справочника по транзисторах которые интересуют наших посетителей
Полевой транзисторСхемы включения полевых транзисторов

Справочные данные на транзисторы (DataSheet) П422 включая его характеристики: Актуальные Даташиты (datasheets) транзисторов – Схемы радиоаппаратуры:

Транзистор доступное описание принципа работы.

Жуткая вещь, в детстве все не мог понять как он работает, а оказалось все просто. В общем, транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где крохотным усилием мы управляем мощнейшим потоком. Чуть повернул рукоятку и тонны дерьма умчались по трубам, открыл посильней и вот уже все вокруг захлебнулось в нечистотах. Т.е. выход пропорционален входу умноженному на какую то величину. Этой величиной является коэффициент усиления. Делятся эти устройства на полевые и биполярные. В биполярном транзисторе есть эмиттер, коллектор и база (смотри рисунок условного обозначения). Эмиттер он со стрелочкой, база обозначается как прямая площадка между эмиттером и коллектором. Между эмиттером и коллектором идет большой ток полезной нагрузки, направление тока определяется стрелочкой на эмиттере. А вот между базой и эмиттером идет маленький управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-n-p и n-p-n принципиальная разница только лишь в направлении тока через них.

Полевой транзистор отличается от биполярного тем, что в нем сопротивление канала между истоком и стоком определяется уже не током, а напряжением на затворе. Последнее время полевые транзисторы получили громадную популярность (на них построены все микропроцессоры), т.к. токи в них протекают микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны. Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец.

В общем, транзистор позволяет тебе слабеньким сигналом, например с ноги микроконтроллера, управлять мощной нагрузкой типа реле, двигателя или лампочки. Если не хватит усиления одного транзистора, то их можно соединять каскадами – один за другим, все мощней и мощней. А порой хватает и одного могучего полевого MOSFET транзистора. Посмотри, например, как в схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок.

Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже транзисторов (полевых транзисторов, биполярных транзисторов, П422:

P422 Использование доксициклина для профилактики ИППП среди геев и бисексуальных мужчин, принимающих доконтактную профилактику в Мельбурне

Оповещения по электронной почте

Текст статьи

Меню статьи

Статья Текст
Артикул информация
Цитата Инструменты
Поделиться
Быстрое реагирование
Артикул метрика
Оповещения

PDF

Постерные презентации

PS02 – ПРОСМОТР ПОСТЕРОВ – ВТОРНИК

Вторник, 16 июля 2019 г. 17:45 – 19:00

P422 Использование доксициклина для профилактики ИППП среди геев и бисексуальных мужчин, получающих доконтактную профилактику в Мельбурне

Бесплатно

Эрик Чоу,
Кристофер Фэйрли

Alfred Health, Мельбурнский центр сексуального здоровья, Carlton, Australia

Abstract

Founal . инфекций, таких как хламидиоз и сифилис, среди мужчин, имеющих половые контакты с мужчинами (МСМ), но его использование вызывает споры из-за опасений по поводу возможности повышения устойчивости к противомикробным препаратам. Это исследование было направлено на оценку доли МСМ, которые использовали профилактику доксициклином, и связанных с этим факторов.

Методы МСМ, которые проходили доконтактную профилактику ВИЧ (ДКП) и посещали Мельбурнский центр сексуального здоровья в период с июня по ноябрь 2018 г. , должны были ответить на вопрос о том, принимали ли они доксициклин для профилактики ИППП в прошлом месяце. Демографические характеристики и данные о сексуальном поведении также собирались в рамках рутинной помощи при ИППП. Многопараметрическая логистическая регрессия с обобщенными оценочными уравнениями использовалась для выявления факторов, связанных с использованием доксициклина для профилактики ИППП.

Результаты 1686 мужчин сообщили о том, что принимали PrEP в течение периода исследования, и 1065 (63%) ответили на дополнительный вопрос о доксициклине. Из них 105 мужчин (9,9%; 95% ДИ: 8,1–11,8%) использовали доксициклин для профилактики в течение последнего месяца. Многофакторный анализ показал, что мужчины, употреблявшие инъекционные наркотики в течение последних 3 месяцев, имели более высокие шансы использования доксициклиновой профилактики (aOR 3,26; 95% ДИ: 1,50–7,08) по сравнению с теми, кто не употреблял инъекционных наркотиков. Использование доксициклина для профилактики не было связано с демографическими характеристиками (возраст и страна рождения) и сексуальным поведением (количество случайных партнеров и анальных половых контактов без презерватива за последние 3 мес).