Микросхема К155ИД1 ДЕЛЬФИН3

Наращивание (каскадирование) дешифраторов

ИМС дешифраторов имеют ограниченное число адресных входов и информационных выходов. Увеличение их возможно путем наращивания (каскадирования), которое можно осуществлять двумя способами: объединением нескольких дешифраторов в пирамидальную схему (рис. 1.3), или последовательным соединением разрешающих входов через внешние логические элементы или непосредственно друг с другом (рис. 1.3 и 1.4).

При наращивании дешифраторов разряды двоичного адресного кода разделяются на старшие (СРА) и младшие (МРА) разряды адреса (табл. 1.3). СРА с помощью дешифратора DD1 (рис. 1.3) или входов стробирования (рис. 1.4) разрешают функционирование одного из основных дешифраторов DD2…DD9 (рис. 1.3) или дешифраторов DD1… DD4 (рис. 1.4).

МРА подаются параллельно на адресные входы всех выходных дешифраторов. Однако активируется только один соответствующий выход выбранного СРА дешифратора.

Рис.1.3. Пирамидальная схема наращивания дешифратора 6→64

Рис. 1.4. Дешифратор 5→32 на базе ИМС К555 ИД7 (на вход Е1

схемы ДД1 постоянно подан сигнал лог. “1”)

Например, при наличии на адресных входах двоичного кода

0110002 СРА разрешают функционирование (выбирают) ИМС DD5 (рис.1.3) и DD4 (рис. 1.4), а МРА активизируют вход 24 этих схем.

На рис. 1.3 и 1.4 показано, как увеличение числа входов разрешения расширяет возможности схем. Наличие одного входа разрешения требует дополнительной ИМС дешифратора DD1 на

рис.1.3. Наличие, например, трех входов разрешения, как у ИМС

555ИД7 (см. рис. 1.4), позволяет на трех таких ИМС без дополнительных элементов построить дешифратор 5→24, а на четырех ИМС 555ИД7 и одном инверторе – дешифратор 5→32.

На восьми ИМС 555ИД7 и двух инверторах – дешифратор

6→64 на ИМС 155ИД3, имеющих два входа разрешения с активным

= E1 = 0 ). Для построения дешифратора 5→32 требуется

две схемы 155ИД3 и один инвертор, а дешифратора 6→64 – четыре

ИМС 155ИД3 и два инвертора.

При изучении вопросов каскадирования следует обратить внимание на ИМС К555ИД4, структура которой (см. рис

1.2) позволяет использовать её в различных вариантах. Два дешифратора этой схемы можно включить различными способами и получить, например, дешифратор 3→8 со входом стробирования (рис. 1.5,а) и дешифратор 4→10 (рис. 1.5,б). Приняв за основу схему (см. рис. 1.5,а), на ИМС К55ИД4 можно построить дешифратор

4→16 по схеме, аналогичной рис.1.4, а приняв за основу пирамидальную схему (см. рис. 1.3), – дешифратор 6→64. Эта ИМС может быть использована также в качестве демультиплексора, что будет рассмотрено ниже, в разделе 3.3, данного учебного пособия.

При наращивании дешифраторов, не имеющих входов разрешения, например дешифратора 4→10 (155ИД1, 555ТИД10,

564ИД1), можно использовать для стробирования старший разряд адресных входов (A4).

Рис.1.5. Дешифраторы на базе ИМС К555 ИД4: а 3→8; б 4→10

Материал взят из книги Цифровые интегральные микросхемы (Асмолов Г.И.)

Источник

Назначение, параметры, аналоги

Категория Микросхемы отечественные

Микросхемы представляют собой высоковольтные дешифраторы управления газоразрядными индикаторам.Предназначены для преобразования двоично-десятичного кода в десятичный.

Дешифратор состоит из логических ТТЛ-схем и десяти высоковольтных транзисторов. На входы X1-X4 поступают числа от 0 до 9 в двоичном коде, при этом открывается соответствующий выходной транзистор. Номер выбранного выхода соответствует десятичному эквиваленту входного кода. Коды, эквивалентные числам от 10 до 15, дешифратором на выходе не отображаются.

Содержит 83 интегральных элементов.

Корпус К155ИД1 типа 238.16-1, КМ155ИД1 типа 201.16-5, КБ155ИД1-4 — бескорпусная.

Виды корпусов показаны на рисунках

К155ИД1

КМ155ИД1

Обозначение на схеме

Назначение выводов

1 — выход V8; 2 — выход V9; 3 — вход X1; 4 — вход X4; 5 — напряжение питания (+Uп ); 6 — вход X2; 7 — вход X3; 8 — выход V2; 9 — выход V3; 10 — выход V7; 11 — выход V5; 12 — общий; 13 — выход V4; 14 — выход V5; 15 — выход V1; 16 — выход V0;

Функциональная схема

Электрические параметры

1 Номинальное напряжение питания 5 В 5 %
2 Выходное напряжение низкого уровня при Uп= 4,75 В, Iвых= 7 мА, Uвх0= 0,8 В, Uвх1= 2 В 2,5 В
3 Выходное пробивное напряжениепри Uп= 5,25 В, Iвых= 0,5 мА, Uвх0= 0,8 В, Uвх1= 2 В 60 В
4 Прямое падение напряжение на антизвонном диоде при Uп= 4,75 В -1,5 В
5 Входной ток низкого уровня при Uп= 5,25 В Uвх0= 0,4 В, Uвх1= 4,5 В  по выводу 3  по выводам 4,6,7 — 1,6 мА — 3,2 мА
6 Входной ток высокого уровня при Uп= 5,25 В Uвх0= 0 В, Uвх1= 2,4 В  по выводу 3  по выводам 4,6,7 40 мкА 80 мкА
7 Входной пробивной ток при Uп= 5,25 В 1 мА
8 Ток потребления при Uп= 5,25 В, Uвх0=0 В 25 мА
9 Выходной ток высокого уровня при Uп= 5,25 В 50 мкА
10 Выходной ток высокого уровня при входной информации 10-15 15 мА

Предельно допустимые режимы эксплуатации

1 Напряжение на выходе закрытой ИС 60 В
2 Время нарастания и спада входного импульса 150 нс
3 Температура окружающей среды  КМ155ИД1  К155ИД1 -45…+85 ° C-10…+70 ° C

Рекомендации по применению

При работе ИС с газоразрядными индикаторами для исключения подсветки цифр необходимо, чтобы зажигание индикатора происходило при токе катода не менее 50 мкА, для чего напряжение на выходе дешифратора должно быть не более 55 В. Ограничение напряжения на закрытых выводах до 60 В и менее осуществляется путем подключения к выводам ИС внешних резисторов, стабилитронов, диодных матриц с общим катодом с подпором от резистивного делителя напряжения. При управлении работой газоразрядных индикаторов допискается эксплуатация ИС с напряжением на закрытых выходах более 60 В (на пробойных участках вольт-амперных характеристик внутренних ограничительных стабилитронов).При этом режиме эксплуатации наработка ИС составляет 500 ч. Значение параметров выходное пробивное напряжение и выходной пробивной ток характеризуют внутренние ограничительные стабилитроны на выходе ИС.

Зарубежные аналоги

SN74141N, SN74141J

Литература

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. — М.:ИП РадиоСофт, 1998г. — 640с.:ил.

Отечественные микросхемы и зарубежные аналоги Справочник. Перельман Б.Л.,Шевелев В.И. «НТЦ Микротех», 1998г.,376 с. — ISBN-5-85823-006-7

Рейтинг
( Пока оценок нет )
Editor
Editor/ автор статьи

Давно интересуюсь темой. Мне нравится писать о том, в чём разбираюсь.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Электронная память
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: