Число разрядов регистра 8
Ток
потребления
160мА.
Входной
ток низкого
уровня ≤ -0.2мА.
Входной
ток высокого
уровня ≤50мкА.
Выходное
напряжение
низкого уровня
≤0.45В.
Выходное
напряжение
высокого уровня
≥2.4В.
Выходной
ток низкого
уровня в состоянии
“выключено”
≤-50мА.
Выходной
ток высокого
уровня в состоянии
“выключено”
≤50мА.
Время
передачи информации
от входа до
выхода ≤ 30нс.
Время
цикла “запись-считывание”
100нс.
Время
задержки
распространения
информационного
сигнала на
выходе относительно
сигнала строба
≤45нс.
Время
задержки
распространения
информационного
сигнала на
выходе относительно
сигнала “разрешения
выхода” от10
до 30нс.
Время
сохранения
информационного
сигнала на
входе относительно
сигнала строба
≥25нс.
Длительность
импульса сигнала
строба ≥15нс.
Минимальная
длительность
тактовых импульсов
15нс.
Входная
емкость 12пФ.
Потребляемая
мощность ≤
800мВт.
Напряжение
питания +5В.
Минимальная
наработка
50000ч.
Срок
сохраняемости
12 лет.
5.Расчет
надежности
блока динамического
ОЗУ.
Для повышения
надежности
ЗУ применяется
код Хемминга,
исправляющий
одноразрядную
ошибку в слове
ЗУ.
В
качестве показателей
надежности
широко применяют
вероятность
безотказной
работы Р(t)
за время t
и среднюю наработку
до отказа Тср.
-
Вычисляется
коэффициент
КDL,
учитывающий
эквивалентную
дозу отказов
различных
типов в зависимости
от разрядности
исправляемой
ошибки L.
При отказах
БИС ЗУ можно
выделить следующие
основные типы
отказов: отказ
всей микросхемы
(доля таких
отказов а1),
отказ строки
(доля таких
отказов а2),
отказ столбца
(доля таких
отказов а3),
отказ ЭП (доля
таких отказов
а4)
а1=2
а2=14
а3=17
а4=42
если
код исправляет
одноразрядную
ошибку (L=1):
где:
КM-
коэффициент,
учитывающий
число разрядов
БИС ЗУ (если
число разрядов
nM
=1, то КМ=0,
иначе КМ=1);
KZ-
коэффициент,
учитывающий
тип ЗУ (для ПЗУ
КZ=0.5,
а для ОЗУ КZ=1);
E-
информационная
емкость БИС
ЗУ (в битах).
-
Определение
вероятности
безотказной
работы ЗУ Р(t).
Вероятность
безотказной
работы – это
вероятность
того, что в пределах
заданной наработки,
т.е. заданного
интервала
времени , отказ
объекта не
возникнет.
где:
nO-
разрядность
слова ЗУ; λМ-
интенсивность
отказов БИС
ЗУ;
NR-
число строк
в БИС ЗУ в ЗУ;
λZ-
интенсивность
отказов схем
обрамления
и элементов
конструкции
ЗУ (например,
паек, контактов
соединителей,
линий связи,
печатного
монтажа и т.п.)
КР1,
КР2-
поправочные
коэффициенты,
используемые
для компенсации
погрешностей
в ЗУ с большим
и средним числом
БИС ЗУ. КР2-
значение коэффициента
определяется
в зависимости
от типа ЗУ и
разрядности
исправляемой
ошибки
( для
ОЗУ с L=1
если nM=1
то КР2=1);
КР1-
значение коэффициента
в зависимости
от nM
(при nM=1
то КР1=1).
-
Вычисление
значения параметра
ХL,
определяющего
соотношение
между интенсивностью
отказов элементов
ЗУ, охваченных
и неохваченых
корректирующим
кодом:
-
Определение
средней наработки
до отказа Тср.
Средняя
наработка до
отказа, или
средняя время
безотказной
работы- это
ожидаемая
наработка
объекта до
первого отказа.
где:
bLi-
коэффициенты
разложения
полиномов
для
L=1
bL1=1,2533
bL2=
-1,0006 bL3=0,6308
6.Расчет
потребляемой
мощности блоком
ОЗУ.
Мщность
потребляемая
микросхемой
ОЗУ К565РУ3Г в режиме
хранения информации,
оценивается
при следующих
исходных данных:
Ра=0.46Вт,
Ро=0.04Вт,
mр=128,
Тц
мин=0.37мкс,
Трег=2000мкс
-по формуле:
Если Вам нужна помощь с академической работой (курсовая, контрольная, диплом, реферат и т.д.),
обратитесь к нашим специалистам. Более 90000 специалистов готовы Вам помочь.
Бесплатные корректировки и доработки. Бесплатная оценка стоимости работы.
Подробнее
Поможем написать работу на аналогичную тему
Реферат
Любая тема
От 850 руб.
Контольная работа
Любая тема
От 850 руб.
Курсовая
Любая тема
От 1500 руб.
Получить выполненную работу или консультацию специалиста по вашему учебному
проекту
Узнать стоимость
Нужна помощь в написании работы?
Мы — биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Пишем статьи РИНЦ, ВАК, Scopus.
Помогаем в публикации. Правки вносим бесплатно.
Узнать цену
Страницы:
