Транзистор 2П306А, Б

ТРАНЗИСТОР КТ306А

16 Февраля 2017

Admin

Цоколевка транзистора КТ306А

Обозначение транзистора КТ306А на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ306А обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Характеристики транзистора КТ306А

  • Структура n-p-n
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 В
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 10 В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 30(50) мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.15 Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20-60
  • Обратный ток коллектора 
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>300 МГц
  • BSх66, BSх67

Аналоги транзистора КТ306А

BSх66, BSх67

Технические характеристики транзисторов КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д:

Типтранзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TПmax Тmax
IКmax IК. И.max UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21э UКЭнас. IКБО f гp. КШ СК СЭ
мА мА В В В мВт В мкА МГц дБ пФ пФ °С °С
КТ306А n-p-n 30 50 10 15 4 150 20…60 0,3 0,5 300 8 5 4,5 150 -60…+125
КТ306Б n-p-n 30 50 10 15 4 150 40…120 0,3 0,5 500 8 5 4,5 150 -60…+125
КТ306В n-p-n 30 50 10 15 4 150 20…100 0,3 0,5 300 8 5 4,5 150 -60…+125
КТ306Г n-p-n 30 50 10 15 4 150 40…200 0,3 0,5 500 8 5 4,5 150 -60…+125
КТ306Д n-p-n 30 50 10 15 4 150 30…150 0,3 0,5 200 8 5 4,5 150 -60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.• h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.• h21Э — коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.• IКБО — обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.• КШ — коэффициент шума транзистора.• СК — емкость коллекторного перехода.• СЭ — емкость коллекторного перехода.• ТП max — максимально допустимая температура перехода.• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.

< Предыдущая   Следующая >
Рейтинг
( Пока оценок нет )
Editor
Editor/ автор статьи

Давно интересуюсь темой. Мне нравится писать о том, в чём разбираюсь.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Электронная память
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: