Транзистор кт602

КТ602, 2Т602(кремниевый транзистор, n-p-n)

2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ,
КТ602АМ, КТ602БМ
Транзисторы кремниевые планарные
структуры n-p-n.
Предназначены для генерирования и
усиления сигналов.
Транзисторы 2Т602А, 2Т602Б выпускаются
в металлостеклянном корпусе с
гибкими выводами,
2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ — в
пластмассовом корпусе с жесткими
выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов 2Т602А, 2Т602Б, не
более 5 г,
2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ — не
более 1 г.

Прибор Предельные
параметры
Параметры при
T = 25°C
RТ п-к, °C/Вт
    при T = 25°C                        
IК, max, А IК и, max, А UКЭR max,
(UКЭ0 гр), В
Uпит max, В UКБ0 max, В UЭБ0 max, В PК max, Вт TК, °C Tп max, °C TК max, °C h21Э UКБ, В IЭ, А UКЭ нас, В IКБ0, мА fгр, МГц Кш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tвкл, мкс tвыкл, мкс
КТ602 А 0,075 0,5 (70)   120 5 2,8 25 120 85 20…80 10 0,01 3 0,07 150   4 25     45
КТ602 Б 0,075 0,5 (70)   120 5 2,8 25 120 85 50…220 10 0,01 3 0,07 150   4 25     45
 
КТ602 В 0,075 0,5 70   80 5 2,8 25 120 85 15…80 10 0,01 3 0,07 150   4 25     45
КТ602 Г 0,075 0,5 70   80 5 2,8 25 120 85 50 10 0,01 3 0,07 150   4 25     45
 
КТ602 АМ 0,075 0,5 (70)   120 5 2,8 25 120 85 20…80 10 0,01 3 0,07 150   4 25     45
КТ602 БМ 0,075 0,5 (70)   120 5 2,8 25 120 85 50…220 10 0,01 3 0,07 150   4 25     45
 
2Т602 А 0,075 0,5 (70)   120 5 2,8 25 150 125 20…80 10 0,01 3 0,01 150   4 25     45
2Т602 Б 0,075 0,5 (70)   120 5 2,8 25 150 125 50…200 10 0,01 3 0,01 150   4 25     45
 
2Т602 АМ 0,075 0,5 (70)   120 5 2,8 25 150 125 20…80 10 0,01 3 0,01 150   4 25     45
2Т602 БМ 0,075 0,5 (70)   120 5 2,8 25 150 125 50…200 10 0,01 3 0,01 150   4 25     45

Справочный листок по транзисторам 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ:

Электрические
параметры:

Статический
коэффициент передачи тока в
схеме с ОЭ при UКБ = 10 В, IЭ
= 10 мА:
  2Т602А, 2Т602АМ, КТ602АМ 20…80
2Т602Б, 2Т602БМ 50…200
КТ602БМ, не менее 50
при Т = -60 С 2Т602А, 2Т602АМ 5…80
при Т = -45 С КТ602АМ
при Т = -60 С 2Т602Б, 2Т602БМ 12…200
при Т = +125 С 2Т602А, 2Т602АМ 50…500
при Т = +85 С КТ602АМ
Граничная частота
коэффициента передачи тока в
схеме с ОЭ при UКЭ = 10 В, IК
= 25 мА, не менее:
    150 МГц
Граничное напряжение
при IЭ = 50 мА, не менее:
    70 В
Напряжение насыщения
коллектор — эмиттер, при IК
= 50 мА, IБ = 5 мА, не более:
    3 В
Напряжение насыщения
база — эмиттер
, при IК = 50
мА, IБ = 5 мА, не более:
    3 В
Постоянная времени
цепи обратной связи на высокой
частоте при UКБ = 10 В, IК
= 10 мА, f = 2 МГц, не более:
    300 пс
Ёмкость коллекторного
перехода при UКБ0 = 50 В, не
более:
    4 пФ
Ёмкость эмиттерного
перехода при UКБ0 = 0 В, не
более:
    25 пФ
Обратный ток
коллектора при UКБ0 = 120 В,
не более:
  2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ 10 мкА
  КТ602АМ, КТ602БМ 70 мкА
Обратный ток
коллектор — эмиттер при UКЭ
= 100 В, RБЭ = 10 кОм, не более:
  2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ 10 мкА
  КТ602АМ, КТ602БМ 100 мкА
Обратный ток эмиттера
при UЭБ0 = 5 В, не более:
    50 мкА

Предельные
эксплуатационные данные:

Постоянное напряжение
коллектор — база:
при Тп. = +100 С 2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б,
2Т602БМ
120 В
при Тп. = +150 С 60 В
при Тп. = +70 С КТ602АМ, КТ602БМ: 120 В
при Тп. = +120 С 60 В
Импульсное напряжение
коллектор — база:
при Тп. = +100 С 2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б,
2Т602БМ
160 В
при Тп. = +150 С 80 В
при Тп. = +70 С КТ602АМ, КТ602БМ 160 В
Постоянное напряжение
коллектор — эмиттер при RБЭ
= 1 кОм:
при Тп. = +100 С 2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б,
2Т602БМ:
100 В
при Тп. = +150 С 50 В
при Тп. = +70 С КТ602АМ, КТ602БМ 100 В
при Тп. = +120 С 50 В
Постоянное напряжение
эмиттер — база:
    5 В
Постоянный ток
коллектора:
    75 мА
Импульсный ток
коллектора при tимп. <= 1
мкс
    500 мА
Постоянный ток
эмиттера:
    80 мА
Постоянная
рассеиваемая мощность
коллектора без теплоотвода:
при Т <= +25 С   0,85 Вт
при Т = +125 С 2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ 0,16 Вт
при Т = +85 С КТ602АМ, КТ602БМ 0,2 Вт
Постоянная
рассеиваемая мощность
коллектора с теплоотводом:
при Т <= +25 С   2,8 Вт
при Т = +125 С 2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ 0,56 Вт
при Т = +85 С КТ602АМ, КТ602БМ 0,65 Вт
Тепловое
сопротивление:
  переход — корпус: 45 С/Вт
  переход — окружающая среда: 150 С/Вт
Температура p-n
перехода:
  2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ +150 C
  КТ602АМ, КТ602БМ +120 C
Температура
окружающей среды:
    -60…+125 С
Изгиб выводов
транзисторов допускается не
ближе 5 мм от корпуса с радиусом
изгиба не менее 1,5 мм для 2Т602А,
2Т602Б. Для 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ,
КТ602БМ допус­ кается
одноразовый изгиб при тех же
условиях.
Пайка выводов транзисторов
допускается не ближе 5 мм от
корпуса при температуре не
выше +260 С, в течение не более 10 с
для 2Т602А, 2Т602Б, не более 3 с для
2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ.

Возврат к оглавлению
справочника
На Главную страницу
www.5v.ru

Рейтинг
( Пока оценок нет )
Editor
Editor/ автор статьи

Давно интересуюсь темой. Мне нравится писать о том, в чём разбираюсь.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Электронная память
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: