Содержание драгметаллов
Транзистор КТ803А(2T803А) содержит драгоценные металлы. В современных справочниках обычно приводится следующая информация: содержание золота — 0,02982гр., серебра — 0,154042гр. Вместе с тем, в различных даташит советских времен могут встречается и другие данные, очень близкие к указанным.
В основном ценятся изделия выпущенные по декабрь 1989 г. После этой даты встречается бракованные экземпляры или с пониженным содержанием драгметаллов. Поэтому, перед покупкой такого лома для аффинажа, они просят надпиливать шляпки у устройств, чтобы было видно золотистую подложку. На фотографии ниже продемонстрировано, как это обычно делают.
Технические характеристики
Важными характеристиками, определяющими возможности транзистора, являются предельные эксплуатационные данные. Если, в процессе эксплуатации, значение, какого либо из них будет превышено, то устройство может выйти из строя. Также недопустима длительная работа изделия при рабочих характеристиках равных или близких к максимальным.
- предельное постоянное напряжение К-Э ( при сопротивлении перехода Б – Э меньшем или равном 100 Ом) – 60 В;
- наибольшее возможное импульсное выдерживаемое напряжение К-Э (условия при которых производились замеры Uбэ = 2 В, длительность импульса не более tИ < 500 мкс, Q > 2) – 80 В;
- предельно допустимое напряжение (постоянное) между Э — Б – 4 В;
- максимально возможный ток коллектора (постоянный) – 10 А;
- предельная рассеиваемая на коллекторе постоянная мощность, :
- при ТК = 233 … 323 К – 60 Вт;
- при ТК = 373 К – 30 Вт;
- тепловое сопротивление между кристаллом и корпусом транзистора – 1,66 К/Вт;
- предельно возможная температура перехода – 423 К;
- диапазон рабочих температур окружающего воздуха – от 233 до 373 К.
Кроме максимальных характеристик, у кт803а существуют также электрические параметры. В таблице, расположенной ниже, приведены их основные значения. Здесь в колонке «Режимы измерения» приведены условия, при которых производилось тестирование. В столбцах «min» и «max» находятся минимальные и максимальные данные, полученные при тестировании.
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | max | Ед. изм |
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора включенного по схеме с ОЭ | UКБ = 10 В, IЭ= 0,5 A | fгр (fT) | 20 | МГц | |
| Статический коэффициент передачи тока транзистора включенного по схеме с ОЭ | UКБ = 10 В, IК= 5 A
UКБ = 10 В, IК = 5 A ТК = 233 К |
h21Э (hFE1)
h21Э (hFE2) |
10
6 |
50 |
|
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IК = 5A,
IБ = 1 A |
UКЭнас
(V CE(sat)) |
1,5 | В | |
| Статическая крутизна прямой передачи в схеме с ОЭ | UКЭ = 10 В, IК= 5 A | Y21Э (Y21E) | 2 | А/В | |
| Время включения | UКЭ = 40 В, IК= 6 A,
tИ = 0,5 … 10 мкс |
tвкл (ton) | 0,1 | 0,3 | мкс |
| Время выключения | UКЭ = 40 В, IК= 6 A,
tИ = 0,5 … 10 мкс |
tвыкл (toff ) | 0,1 | 0,4 | мкс |
| Время рассасывания | IК= 6 A, RИ = 10 Ом,
tИ = 0,5 … 10 мкс |
tрас (ts) | 0,6 | 2,5 | мкс |
| Емкость коллекторного перехода | UКБ = 10 В | cк (cc) | 300 | 500 | пФ |
| Обратный ток К-Э, | RЭБ ≤ 10 Ом
UКЭ = 70 В ТК= 213…298 К UКЭ = 60 В, ТК= 398 |
IКЭO (ICEO) |
5 15 |
мА мА |
|
| Обратный ток эмиттера | UЭБ = 4 В | IЭБО (IEBO) | 50 | мА |
Пример использования
Приведём схему усилителя мощности низкой частоты, в которой нашёл применение транзистор КТ803А. Ее мощность 10 Вт.
Для сборки потребуются такие компоненты:
- резисторы Р1 = 100 кОм, R2 = 39 кОм, R3 = 8,2 кОм, R4 = 2,7 кОм, R5 = 220 Ом, R8 = 2,2 кОм, R9 = 10Ом;
- конденсаторы С1 = 1,5 мкФ, С2 = 100 мкФ, С3 = 220 мкФ, С5 = 10000 мкФ, С7 и С8 = 0,1 мкФ.
В конструкции используются также транзисторы VT1 КТ361, VT2 КТ602БМ, VT3 и VT4 КТ803А.
Номиналы некоторых деталей зависят от нагрузки, подключаемой к выходу усилителя. Для нагрузки 4 Ом нужно взять R6 = 47 Ом, R7 = 180 Ом, С4 = 470 мкФ, С6 = 4700мкФ. Если на выходе 8 Ом тогда берем R6 = 100 Ом, R7 = 560 Ом, С4 = 220 мкФ, С6 = 2200мкФ. При 16 Ом используем такие детали R6 = 200 Ом, R7 = 1,2 кОм, С4 = 220 мкФ, С6 = 2200мкФ.
