Транзистор кт815г: самый мощный в своей серии

Маркировка транзисторов по американской системе JEDEC

Первый символ в маркировке транзистора обозначает количество p-n-переходов. Второй символ указывает типономинал электронного компонента. Следующая последовательность цифр — это серийный номер устройства. Буква, стоящая за серийным номером, характеризует возможные отклонения от характеристик по EIA. В некоторых случаях, когда корпус транзистора чересчур мал и не позволяет нанести весь маркировочный код полностью, используется его сокращённая версия без буквы «N» в начале и без предшествующей ей цифре.

Надеемся, вышеизложенная информация поможет вам разобраться в многообразии маркировок, и вы сможете с легкостью выбрать и купить транзисторы, а также другие электронные компоненты с подходящими характеристиками.

Отечественная маркировка транзисторов

Чтобы лучше понимать маркировку отечественных транзисторов, нам придётся проследить ключевые этапы её видоизменения. До 1964 года все транзисторы принято было обозначать сочетанием из одной или двух букв и следующим за ними числом (МП 43 или П402). Буква «П» обозначала, что данный электронный компонент является транзистором, а число относило его к определённому подклассу. Если перед буквой «П» ставилась буква «М», это обозначало, что транзистор является модифицированным (то есть биполярным).

Значение числовой маркировки транзисторов:

1 – 100: германиевые, работающие на низких частотах (НЧ); 100 – 200: кремниевые, функционирующие в НЧ диапазоне; 200 – 300: германиевые, работающие в НЧ диапазоне; 300 – 400: НЧ транзисторы высокой мощности, изготовленные на основе кремния; 400 – 500: маломощные ВЧ и сверхвысокочастотные транзисторы на основе германия; 500 – 600: маломощные ВЧ и сверхвысокочастотные транзисторы на основе кремния; 600 – 700: маломощные ВЧ и сверхвысокочастотные транзисторы на основе германия; 700 – 800: маломощные ВЧ и сверхвысокочастотные транзисторы на основе кремния.

Проверка КТ815

Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.

Во-первых

, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром , так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.

Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.

Затем нужно проверить обратное падение напряжение

. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.

Транзистор КТ815А

КТ815А Транзисторы КТ815А кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не более 1 г. Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126). Технические условия: аА0.336.185 ТУ/02.

Основные технические характеристики транзистора КТ815А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; • Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 40 В (0,1кОм); • Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А; • Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А; • Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мА (40В); • h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 40; • Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ; • Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом

Зарубежные прототипы

КТ815Б — BD135
КТ815В — BD137
КТ815Г — BD139

14 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше

Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая

Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц. p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.

Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик. Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».

На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56. И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).

По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.

Примеры обозначения транзисторов

КТ937А-2 — кремниевый биполярный, большой мощности, высокочастотный, номер разработки 37, группа А, бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержателе (см рисунок в начале статьи).

Орлов Анатолий Владимирович

Начальник службы РЗиА Новгородских электрических сетей

Задать вопрос

Биполярные транзисторы, разработанные до 1964 г. и выпускаемые по настоящее время, имеют систему обозначений, включающую в себя два или три элемента.

Первый элемент

— буква П, характеризующая класс биполярных транзисторов, или две буквы МП — для транзисторов в корпусе, герметизируемом способом холодной сварки.

Второй элемент

— двух- или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и указывает на подкласс транзистора по роду исходного полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной частоты:

от 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы;
от 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы;
от 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы;
от 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы;
от 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы;
от 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы;
от 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы;
от 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Правильная цоколёвка транзисторов

Приветствую!

Думаю, многим начинающим (и продолжающим) любителям электроники знакомо чувство разочарования, когда собираешься какое-то устройство по готовой схеме, а устройство отказывается работать. Проверяешь все в очередной раз. Рыщешь в интернете в поиске похожих ошибок. Убиваешь на эту простейшую схему кучу времени, а она не работает и все тут! И вроде схема-то проверенная. Вот решил поделиться случаем из практики. Когда бился над проблемой не один день, а решение оказалось до смешного простейшим!

Думаю, хватит тянуть кота за… что попалось:) Опишу суть.

Кому лень читать много букв, можете посмотреть все на видео:

https://www.youtube.com/watch?v=eFxy8aDVwOc

Собирал как-то простейший H-мост для управление моторчиком. Сопротивление обмотки его в районе 1 кОма. В инете полно похожих схем. Единственное отличие было в питании. Двигателю нужно было 24 В, а управление шло от микроконтроллера, т.е. 5 В. В общем-то, сложностей никаких возникнуть не должно. Схема следующая:

Подаём на управляющие транзисторы либо 5 В, либо 0, двигатель вращается в одну, либо в другую сторону.

Сначала для проверки подаю с контроллера на один транзистор (не важно какой) 1, на другой 0. При этом нагрузки никакой нет

Включаю питание – выгорают транзисторы! Проверяю плату на сопли, правильность соединений – все ОК! Меняю транзисторы. Не буду описывать тут весь геморрой. Только основные моменты. Ограничил ток на блоке питания до 50 мА. Включаю, транзисторы pnp потихоньку разогреваются, ток 50 мА напряжение просело до 12 В.

В итоге спалил несколько транзисторов. Перед впайкой проверяю транзисторы мультиметром на проверке диодов. По даташиту на BC557 слева направо идёт коллектор-база-эмиттер (смотрим на лицевую сторону). Вот картинки из нескольких даташитов известных фирм (On Semiconductor, NXP и Farnell):

Тыкаем минусовой щуп в базу, плюсовой сначала в эмиттер, потом в коллектор. В обоих случаях прибор показывает 0.7 В. Вроде все правильно. Транзистор целый, база в середине. Но! На своих ли местах коллектор и эмиттер?

Помог мне более опытный знакомый. Он усомнился в правильности цоколёвки китайских транзисторов. И высказал предположение, что коллектор с эмиттером не на своих местах, т.е. цоколёвки в даташиту не совпадает с реальной. Как это проверить?

При проверке тестером можно убедиться только в том, что переходы база-коллектор и база-эмиттер целые, и проверить тип транзистора (pnp или npn). Но нельзя определить где коллектор, а где эмиттер. Для определения нужно собрать две простенькие схемки:

Первая

И вторая

При таком включении ток базы будет определятся так: напряжение питания (5 В) минус падение напряжения на переходе база-эмиттер (0.6-0.7 В) деленное на R1 (4.7 кОм). Получается около 0.9 мА.

Подаём питание, измеряем ток.

При правильном включении (схема 1) ток, измеренный амперметром будет равен ток базы (0.9 мА), умноженный на коэффициент усиления транзистора (по даташиту минимальный 90).

Затем меняем крайние выводы (коллектор, эмиттер) местами, снова подаем питание и смотрим ток.

Приведу значения, которые получились у меня: при первом включении ток был равен 6 мА, при другом включении 143 мА.

В итоге оказалась, что расположение выводов купленных транзисторов не совпадает с расположением в даташитах.

В моем случае получалось, что при подаче напряжения в схему открывались эмиттерные переходы pnp транзисторов, а при открытии одного из управляющих транзисторов протекал сквозной ток.

Еще один метод определения коллекторного и эмиттерного переходов состоит в измерении сопротивления. Из-за особенностей изготовления коллекторный переход имеет меньшее сопротивление, в отличие от эмиттерного перехода. Например, у меня получались следующие значения: 6.5 МОм – сопротивление перехода база-коллектор и 6.67 МОм – сопротивление перехода база-эмиттер. Но, думаю, метод определения по измерению тока является более точным.