Транзистор кт837: характеристики, аналоги и цоколевка

даташит KT837 PDF ( Datasheet )

Спецификация KT837 изготовлена «Integral» и имеет функцию, называемую «PNP Transistor». На этой странице представлена подробная информация о характеристиках и технических характеристиках детали. Если вы правильно понимаете эти части, они могут помочь вам завершить ваши проекты и отремонтировать детали.

Номер произв
KT837

Описание
PNP Transistor
Производители
Integral
логотип

1Page
No Preview Available !Назначение

КТ837

биполярный

эпитаксиально-планарный

p-n-p транзистор

Предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей,

преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и другой аппаратуре, изготавливаемой

для народного хозяйства
Номер технических условий

• аАО.336.403 ТУ / 03

Особенности

• диапазон рабочих температур от — 60 до + 100 °С

Корпусное исполнение

• пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)

Назначение выводов
Вывод

№1

№2

№3

Назначение
Эмиттер
Коллектор
База

КТ837 (январь 2011г., редакция 1.0)

No Preview Available !
Таблица 1. Основные электрические параметры КТ837 при Токр. среды = + 25 °С

Паpаметpы

Обратный ток коллектор-эмиттер

Обратный ток коллектор-база

Обозн.

Iкэr

Iкбо

Ед. Режимы измеpения

изм.

мA Uкэ = Uкэ max

при Rэб =∞

мА Uкэ = Uкэ max

при Rэб= 100 Ом

мA Uкб = Uкб max

Обратный ток эмиттера

Iэбо мА Uэб =15 В

КТ837А — К

Uэб =5 В

КТ837 Л — Ф

Стат. коэффициент передачи тока

КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т

h21э Uкэ =5 B, Iк =2A

КТ837Б, М, Д, Р, И, У

КТ837В, Н, Е, С, К, Ф

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

КТ837А — В, Л — Н

Uкэ нас В Iк= 3 A, Iб= 0,37 A

КТ837Г — Е, П — С

Iк= 3 A, Iб= 0,37 A

КТ837Ж — К, Т — Ф

Iк= 2 А, Iб= 0,3 A

Напряжение насыщения база-эмиттер

Uбэ нас В Iк= 2 A, Iб=0,5 A

Min Max
10
10
0,15
0,3
0,3
10 40
20 80
50 150
2,5
0,9
0,5
1,5

Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ837

Параметры

Постоянное напpяжение коллектоp-база

КТ837А, Б, В, Л, М, Н

КТ837Г, Д, Е, П, Р, С

КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=∞ Ом

КТ837А, Б, В, Л, М, Н

КТ837Г, Д, Е, П, Р, С

КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=100 Ом

КТ837А, Б, В, Л, М, Н

КТ837Г, Д, Е, П, Р, С

КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф

Постоянное напряжение эмиттер-база

КТ837А — К

КТ837Л — ф

Постоянный ток коллектора
Максимально допустимый постоянный ток базы

Пост. рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода

Пост. рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом

Обознач.

Uкб max

Uкэ max

Uэб max

Iк max

Iб max

Pк max

Ед. измер.

В
В
В
В
А
А
Вт

Pк max

Знач.

80
60
45
60
45
30
70
55
40
15
5
7.5
1
30
1

КТ837 (январь 2011г., редакция 1.0)

No Preview Available !
ОАО «ИНТЕГРАЛ», г

Минск, Республика Беларусь

Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой

учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.

ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик

изделий без предварительного уведомления.

Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные прототипы не подразумевают

полного совпадения конструкции иили технологии

Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является

ближайшим или функциональным аналогом.

Контактная информация предприятия доступна на сайте

http://www.integral.by

КТ837 (январь 2011г., редакция 1.0)

Всего страниц
3 Pages
Скачать PDF

Схемы включения

На КТ837 можно построить несложный усилитель звуковой частоты со следующими параметрами:

Мощность – 30 Вт / 4 Ом (15 Вт / 8 Ом);
К-т гармоник – 0,01%;
Входное сопротивление – 47 кОм;
Выходное сопротивление – 0,03 Ом;
Уровень шума – -86 дБ.

В этом усилителе используются керамические конденсаторы, рассчитанные на напряжение 50 В. Существует два варианта крепления платы.

Во-первых, на теплоотводе транзисторов VT5 и VT6, используя для этого стойки высотой от 15 до 20 мм.

Во-вторых, рядом с теплоотводом оконечного каскада. В этом случае для соединения используется разъем МРН-22, который будет обеспечивать контакт в точках, обозначенных на схеме цифрами от 1 до 5. Для предотвращения перегорания транзистора, при потере контакта в вилке, требуется увеличить сопротивление резисторов R12 и R13 до 43-47 Ом, а по другую сторону розетки установить R121 и R131 (на схеме нарисованы штриховыми линиями) того же номинала (43-47 Ом). Длина проводов, соединяющих плату и транзисторы не должна быть больше 10 см.

Вместо указанного операционного усилителя можно установить К140УД6Б, К140УД7А, К544УД1А, но к-т гармоник при этом возрастёт до 0,3%.

Транзисторы VT3 и VT4 устанавливают на теплоотводе, сделанном из алюминиевой пластины размером 70х35х3 мм.

Закрепить VT5 и VT6 можно двумя способами.

Первый способ – на общем для каждого канала усилителя теплоотводе. Транзистор VT5 крепится там же где и VT3, а VT6 вместе с VT4. В этом случае теплоотвод нужно изолировать от корпуса УНЧ. В этом случае можно использовать транзисторы в пластмассовом корпусе.

Второй способ – на теплоотводе общем для обеих транзисторов оконечного каскада. В этом случае нужно изолировать транзистор с помощью слюдяных прокладок и использовать термопасту для улучшения теплоотдачи. В этом случае рекомендуется устанавливать устройства в металлическом корпусе.

Транзисторы КТ608 — драгметаллы, характеристики, аналоги

Описание транзистора КТ608

КТ608 – это высокочастотный кремниевый транзистор с средней мощностью. Изготавливается в металлическом корпусе с изоляторами из стекла типа КТЮ-3-6 с гибкими выводами. Корпус герметичен. Существую серии КТ и 2Т, отличаются тем, то 2Т имеет более широкий диапазон рабочей температуры, указано внизу статьи в разделе характеристик.

Таблица содержания драгметалла в граммах для транзисторов серии КТ608

Транзистор	Золото, гр в 1000 шт	Золото, гр в 1000 шт Н.возвр	Золото, гр в 1 шт
КТ608А	21	17,85	0,021
КТ608А	23,11	19,6435	0,02311
КТ608Б	21	17,85	0,021
КТ608Б	23,1	19,635	0,0231
КТ608Б	23,11	19,6435	0,02311

Таблица веса драгметаллов в транзисторе КТ608 в граммах для 1шт и 1000шт, с учётом нормы возвратаНорма возврата. Стоит учесть, после переработки удаётся извлечь не весь драгметалл указанный в паспорте. По этой причине, приведён расчёт учитывая норму возврата (Н.возвр). Были изучены разные источники и собраны средние данные по возврату. Хоть и бывает такое что извлекается почти 100%, ориентироваться на нормы возврата будет более реалистичным. Скупаются радиоэлементы дешевле цены металла в них на 15-50%.

Важный нюанс. Производить изделия могли в разное время и у разных изготовителей, что может сказаться на базовом значении веса драгметалла, а в последствии и на переработанном. РЭА произведённые в более раннем году, имеют более высокие шансы содержать драгметаллы и чаще в большем количестве чем у последующих версий. Прослеживается для любых радиоэлементов в большинстве случаев. Новые же, по причине развития техпроцесса, иногда вовсе без драгметалла.

Цена предлагаемая скупщиками

Посмотрев на расценки, видно что скупщики принимают реле за 50% – 100% от текущей курсовой стоимости драгметалла. Для того чтобы лучше ориентироваться в цене, желательно свериться с актуальной ценой на мировых торговых биржах.

Исторические цены драгметалла на мировых биржах: Золото за 1 гр – 1600-4500 руб

Цены указаны для высшей пробы

В конкретном случае важно понимать, что чем ниже проба, тем меньше стоимость. А так же в зависимости от того по какой цене согласен покупать скупщик

Примечания относительно цен на драгметаллы.

Золото неуклонно росло с 2005 по 2012, с цены 800 до 3800 руб за грамм. С тех пор упало почти в 2 раза и колеблется в диапазоне 2100-2800 руб за грамм с 2013 года. Как можно заметить, в ожидании кризиса 2022 году цена золота снова выросла. После рисковых ситуаций в мире обычно снова возвращается к средней цене.

Надеюсь этим удастся помочь сориентироваться относительно влияния мировых цен на выгодность.

Часто целесообразно такие изделия сдавать на лом после выработки рабочего ресурса, как изделия они стоят иногда существенно дороже.

Стоимость транзистора КТ608 в качестве изделия

Цены в основном распределены от 740 – 150 рублей за штуку. Сильно колеблются в зависимости от характеристик, производителя, года производства, технического состояния, желаний продавца и года выпуска.

Цены для примера, в среднем, за 1 шт: КТ608А, 1980-90ых – 60-120 руб
КТ608Б, 1980-90ых – 250-330 руб

Встречаются и такие цены:

КТ608А – 23-85 руб

КТ608Б – 50-120 руб

Характеристики транзисторов КТ608

Масса: 1.75 гр, до 2 гр по другим данным
Цоколевка: повернуть ножками к себе, коллектор с виду отличается, если расположить его внизу треугольника, то база будет слева, эмиттер справа.
Температура эксплуатации: серия КТ -40+85°C
серия 2Т -60+120°C

Максимальная температура перехода: +120°C

Аналоги

Зарубежные: КТ608А 2SC456, BCR521

КТ608Б CD637, PA6034, 2SD602A, 2SD46, SG107
Срок сохраняемости с момента изготовления, минимальный: 12 лет

Основные параметры

Транзисторы серии КТ837 подразделяют на 19 типов (от А до Х). У всей линейки одинаковая заявленной рассеиваемая мощность 30 Вт (при использовании теплоотвода) и ток коллектора 7,5 А (у белорусского до 10 А). По остальным параметрам они отличаются между собой, в основном величиной максимального напряжению между выводами и коэффициентом усиления по току (разброс по h21Э от 10 до 150).

Ниже представлены все возможные типы транзистора КТ837 и их основные технические характеристики. Значения указаны для температуры окружающей среды не более +25 oС.

Как видно из представленной таблицы параметров, данные устройства не могут похвастаться способностью работать при высоких температурах, характерных для большинства современных аналогов. Так, максимальный нагрев корпуса (ТК) у них не должен превышать +100 oС, а перехода (ТП) +125oС. Граничная частота коэффициента передачи тока (F гр.) иногда больше 1 МГц, в новых партиях может достигать 5 МГц.

Коэффициент h21Э

К сожалению, разброс значений коэффициента усиления по току h21Э (он же HFE в зарубежной литературе) у серии КТ837 очень высокий — это один из главных её минусов. При этом, данный параметр может плавать в разных партиях как в большую, так и в меньшую сторону. Например, у некоторых транзисторов h21Э по даташит составляет 150, а при замерах в реальной жизни — в два, а то и в три раза хуже заявленного и не превышать 50.

Чтобы избежать сюрпризов в работе уже купленного транзистора, необходимо предварительно проверять соответствие значения h21Э с данными из даташит. Это можно сделать обычным мультиметром. Также заранее необходимо определится с его ролью в проекте. Устройства с буквами «В», «E», «Н» в конце маркировки, лучше подходят для усиления — они имеют h21Э от 50 до 150 и большой запас по возможному напряжению между выводами коллектор-эммттер

Для коммутационных схем лучше обратить внимание на устройства с меньшим h21Э и напряжением насыщения

Наиболее универсальными в линейке являются транзисторы КТ837Ф. Как видно из таблицы параметров, они обладают довольно низким напряжением насыщения (UКЭ.нас. до 0,5 В), небольшим для этого током базы (IКБO до 0,15 мА) и высоким h21Э (от 50 до 150). Они хорошо подходят как для усиливающих, так и для переключений схем.

Меры безопасности

Для стабильной работы любого полупроводникового устройства необходимо правильно рассчитать его обвязку и добиться соблюдения режимов эксплуатации. Производители обычно рекомендуют отнимать от заявленных в даташит значений параметров 20-30%. Чтобы транзистор меньше грелся дополнительно предусматривают установку его на радиатор.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для рассматриваемого устройства является серия с NPN-структурой КТ805. Её долгие годы производили «без пары» и поэтому не указывали данной информации в технических справочниках. Позже для него начали производить комплементарник — КТ837 PNP-структуры. Очень часто эта парочка встречалась в выходных каскадах УНЧ. В советские годы их применяли в активной акустике вроде «Радиотехник S70», блоках УНЧ-50-8 усилителей «Радиотехника У7101 СТЕРЕО», «Радиотехника У101 СТЕРЕО».

Аналоги

Для транзистора КТ837 довольно сложно найти аналог. В большинстве случаев, при поиске ему альтернативы можно найти рекомендации по замене на уже снятые с производства транзисторы. Поэтому многие радиолюбители предпочитают не заморачиваться и меняют на оригинальный. В российских магазинах радиотоваров найти его не сложно. Тем не менее, для некоторых транзисторов этой серии можно рассмотреть следующие варианты замены:

КТ837А, КТ837Г – BD244A, TIP42C;
КТ837Б — BD302, KT818Б;
КТ837В — КТ835Б, 2SB834;
КТ837Д — 2N6111;
КТ837C — 2N6108, 2N6109, BD225;
КТ837Е — BD277;
КТ837К — TIP127, КТ8115А;
КТ837Н — 2N6107, BD223;
КТ837Ф — 2N6106, BD224;
КТ837Х — NTE197.

Основные параметры

Коэффициент h21Э

Для коммутационных схем лучше обратить внимание на устройства с меньшим h21Э и напряжением насыщения

Меры безопасности

Комплементарная пара

Аналоги

КТ837А, КТ837Г – BD244A, TIP42C;
КТ837Б — BD302, KT818Б;
КТ837В — КТ835Б, 2SB834;
КТ837Д — 2N6111;
КТ837C — 2N6108, 2N6109, BD225;
КТ837Е — BD277;
КТ837К — TIP127, КТ8115А;
КТ837Н — 2N6107, BD223;
КТ837Ф — 2N6106, BD224;
КТ837Х — NTE197.

Основные графические зависимости

Зависимость тока базы (I_Б) от напряжения база-эмиттер (U_БЭ).

Зависимость статического коэффициента передачи тока (h_21э) от напряжения коллектор-эмиттер (U_КЭ).

Зависимость статического коэффициента передачи тока (h_21э) от напряжения коллектор-эмиттер (I_К).

Области максимально допустимых режимов работы: ток коллектора (I_К) от напряжения коллектор-эмиттер (U_КЭ).

Зависимость тока коллектора (I_К) модификаций транзистора КТ837 от напряжения коллектор-эмиттер (U_КЭ).

Зона возможных значений напряжения насыщения коллектор-эмиттер (U_{кэ нас}) от тока коллектора (I_К).

Требования к монтажу

Однократно допускается изгибать вывода транзистора. При этом: угол изгиба не должен превышать 90 градусов, расстояние до корпуса более 5 мм, радиус изгиба более 1,5 мм.

Пайку проводить при температуре не более 260 °С длительностью не более 3 сек. Перед операцией проверить заземление паяльника.

Разрешенное статическое напряжение – 500 В.

Технические характеристики

В первую очередь возможности транзистора зависят от предельно допустимых характеристик. Их превышение во время работы приведет к выходу устройства из строя. Для КТ837 они равны:

постоянное напряжение К-Б:
- КТ837А, Б, В, Л, М, Н, 2Т837А, Г – 80 А;
- КТ837Г, Д, Е, П, Р, С, 2Т837Б, Д – 60 В;
- КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф, 2Т837В, Е – 45 В;
постоянное напряжение К-Э (R_ЭБ = 100 Ом):
- КТ837А, Б, В, Л, М, Н, 2Т837А, Г – 70 А;
- КТ837Г, Д, Е, П, Р, С, 2Т837Б, Д – 55 В;
- КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф, 2Т837В, Е – 40 В;
постоянное напряжение К-Э (R_ЭБ = ∞ Ом):
- КТ837А, Б, В, Л, М, Н – 60 А;
- КТ837Г, Д, Е, П, Р, С – 45 В;
- КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф – 30 В;
постоянное напряжение Э-Б:
- КТ837А-К, 2Т837А-В – 15 В;
- КТ837Л-Ф, 2Т837Г-Е – 5 В;
коллекторный ток:
- КТ837А-Ф – 7,5 А;
- 2Т837А-Е – 8 А;
- ток базы – 1 А;
мощность:
- без теплоотвода – 1 Вт;
- с теплоотводом – 30 Вт.

Кроме максимальных на возможности и сферу применения КТ837 влияют также и электрические характеристики. Они измерялись при температуре +25°С. Остальные параметры тестирования, способные повлиять на конечный результат, приведены в следующей таблице в отдельной колонке.

Электрические характеристики транзистора КТ837 (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы тестирования	Тр-р	min	max	Ед. изм
Статический к-т усиления в схеме ОЭ	U_КБ = 5 В, I_Э = 2 мА	КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т	10	40
КТ837Б, М, Д, Р, И, У	20	80
КТ837В, Н, Е, С, К, Ф	50	150
Обратный ток К-Э	U_КЭ = U_{КЭ макс}	ВСЕ		10	мА
Обратный ток К-Б	U_Кб = U_{Кб макс}	ВСЕ		0,15	мА
Обратный ток через Э	U_ЭБ = 15 В	КТ837А-Г		0,3	мкА
U_ЭБ = 5 В	КТ837Л-Ф		0,3
Напряжение насыщения К-Э	I_к= 3 A, I_б= 0,37 A	КТ837А-В, Л-Н		2,5	В
I_к= 3 A, I_б= 0,37 A	КТ837Г-Е, П-С		0,9
I_к= 2 A, I_б= 0,3 A	КТ837Ж-К, Т-Ф		0,5
Напряжение насыщения Б-Э	I_к= 2 A, I_б= 0,5 A	ВСЕ		1,5	В

Электрические характеристики, при Та=25°C

Обозн.	Параметр	Режим изм.	Макс.	Ед. изм
I_кэr	Обратный ток коллектор-эмиттер	U_кэ = U_{кэ max} при Rэб =∞	10	мA
I_кэr	Обратный ток коллектор-эмиттер	U_кэ = U_{кэ max} при R_эб= 100 Ом	10	мА
I_кбо	Обратный ток коллектор-база	U_кб = U_{кб max}	0,15	мA
I_эбо	Обратный ток эмиттера	U_эб =15 В U_эб =5 В		мА
КТ837А — К		0,3
КТ837 Л — Ф		0,3
h_21э	Стат. коэффициент передачи тока	Uкэ =5 B, Iк =2A
КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т	10	40
КТ837Б, М, Д, Р, И, У	20	80
КТ837В, Н, Е, С, К, Ф	40	150
U_{кэ нас}	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер			В
КТ837А — В, Л — Н	I_к= 3 A, I_б= 0,37 A	2,5
КТ837Г — Е, П — С	I_к= 3 A, I_б= 0,37 A	0,9
КТ837Ж — К, Т — Ф	I_к= 2 А, Iб= 0,3 A	0,5
U_{бэ нас}	Напряжение насыщения база-эмиттер	I_к= 2 A, I_б=0,5 A	1,5	В

Предельно допустимые значения

Не допускается работа транзистора с превышением одного или нескольких значений, указанных в таблице. Нарушение требования может повредить или нарушить функционирование активного радиоэлемента: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора.

Длительная работа транзистора в области предельно допустимых значений может привести к уменьшению срока эксплуатации элемента и скорейшему выходу его из строя.

Параметры таблицы действительны для температуры окружающей среды +25°C.

Обозн.	Параметр	Знач.	Ед. изм
U_{кб max}	Постоянное напряжение коллектор-база		В
КТ837А, Б, В, Л, М, Н	80
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С	60
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф	45
U_{кэ max}	Постоянное напряжение коллектор-эмиттер R_эб=∞ Ом
КТ837А, Б, В, Л, М, Н	60	В
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С	45
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф	30
U_{кэ max}	Постоянное напряжение коллектор-эмиттер R_эб=100 Ом
КТ837А, Б, В, Л, М, Н	70	В
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С	55
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф	40
U_{эб max}	Постоянное напряжение эмиттер-база
КТ837А — К	15	В
КТ837Л — Ф	5
I_{к max}	Постоянный ток коллектора	7.5	А
I_{б max}	Максимально допустимый постоянный ток базы	1	А
P_{к max}	Пост. рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода	1	Вт
P_{к max}	Пост. рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом	30	Вт

Основные параметры

Как видно из представленной таблицы параметров, данные устройства не могут похвастаться способностью работать при высоких температурах, характерных для большинства современных аналогов. Так, максимальный нагрев корпуса (Т_К) у них не должен превышать +100 oС, а перехода (Т_П) +125oС. Граничная частота коэффициента передачи тока (F гр.) иногда больше 1 МГц, в новых партиях может достигать 5 МГц.

Коэффициент h_21Э

К сожалению, разброс значений коэффициента усиления по току h_21Э (он же H_FEв зарубежной литературе) у серии КТ837 очень высокий — это один из главных её минусов. При этом, данный параметр может плавать в разных партиях как в большую, так и в меньшую сторону. Например, у некоторых транзисторов h_21Э по даташит составляет 150_,а при замерах в реальной жизни — в два, а то и в три раза хуже заявленного и не превышать 50.

Для коммутационных схем лучше обратить внимание на устройства с меньшим h21Э и напряжением насыщения

Наиболее универсальными в линейке являются транзисторы КТ837Ф. Как видно из таблицы параметров, они обладают довольно низким напряжением насыщения (U_КЭ.нас. до 0,5 В), небольшим для этого током базы (I_КБ_O до 0,15 мА) и высоким h_21Э(от 50 до 150). Они хорошо подходят как для усиливающих, так и для переключений схем.

Меры безопасности

Комплементарная пара

Аналоги

КТ837А, КТ837Г – BD244A, TIP42C;
КТ837Б — BD302, KT818Б;
КТ837В — КТ835Б, 2SB834;
КТ837Д — 2N6111;
КТ837C — 2N6108, 2N6109, BD225;
КТ837Е — BD277;
КТ837К — TIP127, КТ8115А;
КТ837Н — 2N6107, BD223;
КТ837Ф — 2N6106, BD224;
КТ837Х — NTE197.

Номер в каталоге	Описание	Производители
KT830	(KT830 — KT840) Slotted Optical Switches Phototransistor Output	Optek Technology
KT831	(KT830 — KT840) Slotted Optical Switches Phototransistor Output	Optek Technology
KT832	(KT830 — KT840) Slotted Optical Switches Phototransistor Output	Optek Technology
KT835	(KT830 — KT840) Slotted Optical Switches Phototransistor Output	Optek Technology

Номер в каталоге	Описание	Производители
TL431	100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор	Unisonic Technologies
IRF840	8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор	Vishay
LM317	Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А	STMicroelectronics

Характеристики транзистора кт837

даташит KT837 PDF ( Datasheet )

Схемы включения

Транзисторы КТ608 — драгметаллы, характеристики, аналоги

Описание транзистора КТ608

Таблица содержания драгметалла в граммах для транзисторов серии КТ608

Цена предлагаемая скупщиками

Стоимость транзистора КТ608 в качестве изделия

Характеристики транзисторов КТ608

Основные параметры

Коэффициент h21Э

Меры безопасности

Комплементарная пара

Аналоги

Рекомендуемые списки, связанные с частью

Основные параметры

Коэффициент h21Э

Меры безопасности

Комплементарная пара

Аналоги

Основные графические зависимости

Требования к монтажу

Технические характеристики

Электрические характеристики, при Та=25°C

Предельно допустимые значения

Основные параметры

Коэффициент h_21Э

Меры безопасности

Комплементарная пара

Аналоги