Содержание драгоценных металлов в радиодеталях владимир / москва / спб

Транзисторы П307 — драгметаллы, характеристики, аналоги

Описание транзистора П307

П307 – это низкочастотные кремниевые транзисторы средней ии малой мощности, выпускающиеся в металлическом корпусе типа КТЮ-3-6 с гибкими выводами и изоляторами из стекла. Категория приёмки: ВП, ОС.

Где можно найти П307?

Встречаются в устройствах: преобразователи постоянного напряжения
переключатели
спец приборы
высоковольтные усилители
телевизоры

Таблица содержания драгметалла в граммах для транзисторов серии П307

Транзистор	Золото, гр в 1000 шт	Золото, гр в 1000 шт Н.возвр	Золото, гр в 1 шт
П307	10,705	9,0993	0,010705
П307	27,5	23,375	0,0275
П307	28,32	24,072	0,02832
П307 ОС	28,32	24,072	0,02832
П307Б	10,705	9,0993	0,010705
П307В	10,7	9,095	0,0107

Таблица веса драгметаллов в транзисторе П307 в граммах для 1шт и 1000шт, с учётом нормы возвратаНорма возврата. Стоит учесть, после переработки удаётся извлечь не весь драгметалл указанный в паспорте. По этой причине, приведён расчёт учитывая норму возврата (Н.возвр). Были изучены разные источники и собраны средние данные по возврату. Хоть и бывает такое что извлекается почти 100%, ориентироваться на нормы возврата будет более реалистичным. Скупаются радиоэлементы дешевле цены металла в них на 15-50%.

Важный нюанс. Производить изделия могли в разное время и у разных изготовителей, что может сказаться на базовом значении веса драгметалла, а в последствии и на переработанном. РЭА произведённые в более раннем году, имеют более высокие шансы содержать драгметаллы и чаще в большем количестве чем у последующих версий. Прослеживается для любых радиоэлементов в большинстве случаев. Новые же, по причине развития техпроцесса, иногда вовсе без драгметалла.

Цена предлагаемая скупщиками

Посмотрев на расценки, видно что скупщики принимают реле за 50% – 100% от текущей курсовой стоимости драгметалла. Для того чтобы лучше ориентироваться в цене, желательно свериться с актуальной ценой на мировых торговых биржах.

Исторические цены драгметалла на мировых биржах: Золото за 1 гр – 1600-4500 руб

Цены указаны для высшей пробы

В конкретном случае важно понимать, что чем ниже проба, тем меньше стоимость. А так же в зависимости от того по какой цене согласен покупать скупщик

Примечания относительно цен на драгметаллы.

Золото неуклонно росло с 2005 по 2012, с цены 800 до 3800 руб за грамм. С тех пор упало почти в 2 раза и колеблется в диапазоне 2100-2800 руб за грамм с 2013 года. Как можно заметить, в ожидании кризиса 2021 году цена золота снова выросла. После рисковых ситуаций в мире обычно снова возвращается к средней цене.

Надеюсь этим удастся помочь сориентироваться относительно влияния мировых цен на выгодность.

Часто целесообразно такие изделия сдавать на лом после выработки рабочего ресурса, как изделия они стоят иногда существенно дороже.

Стоимость транзистора П307 в качестве изделия

Цены в основном распределены от 40 – 250 рублей за штуку. Сильно колеблются в зависимости от характеристик, производителя, года производства, технического состояния, желаний продавца и года выпуска.

Цены для примера, в среднем, за 1 шт: П307 – 75-190 руб
П307В – 50-300 руб
П307ВМ – 3-10 руб
2П307А – 30-130 руб

Характеристики транзисторов П307

Масса: 2 гр, ранние варианты 3 гр
Цоколевка: повернуть ножками к себе, место выхода коллектора с виду отличается, если расположить его внизу “треугольника”, то база будет слева, эмиттер справа
Температура эксплуатации: -40+85°C
Максимальная температура перехода: +150°C
Аналоги Зарубежные: 2N560 2N754, 2N844

Срок сохраняемости с момента изготовления или с даты перепроверки, минимальный: 25 лет

ТРАНЗИСТОРЫ

2Т(КТ)117 Г
2Т 203 (А, Б)
КТ 203 Б
2Т208(А, Б, В, Г)
КТ3102А, Б, Г
2Т(КТ)3117А
2Т312В
КТ312В
2Т312Б
КТ312Б
КТ 312 Б (желтые)
2Т313(А, Б)
КТ313А, Б
41 С 8
КТ501 И
КС 508
БСАР 77 А
ЗЕ WN (импортные)
ЗЕХ2 (5, 7) (импортные)
2У(КУ)101 (А, Б, Е, Г)
АОТ110А
П 309
Серия КТ 505
Серия 2Т6 551
КТ(2Т)603(А,Б)
2Т 603 А (белые)
КТ(2Т)608(А,Б)
КТ 608 Б(белые)
2Т 635 А
2Т6 821
2Т831 Б(830 Б)
TESLA КРУ 18 (импортные)
TESLA КРУ 18 (импортные)
TESLA KF 508 (импортные)
TESLA KF 517 (импортные)
SSY 20 В (импортные)
SF 129 С (импортные)
SF129C (импортные)
SF129C
МП 13, 14, 15,20,21,26
1Т308( А, Б, В)
1Т403Г(ГТ403Г)
П416А
2Т(КТ) 602 Б (желтые)
2Т(КТ) 602 А,Б (белые)
Серий 13В44.87ХЗ, 19С17
КТ 909 Б
КТ(2Т)914А
Транзисторы в металлопластиковом корпусе
Серия 800
Серия 900
Транзисторы

P309 Datasheet (PDF)

..1. p307-v p308 p309.pdf Size:747K _russia

0.1. bup309.pdf Size:113K _siemens

BUP 309IGBTPreliminary data High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated Low forward voltage dropRemark: The TO-218 AB case doesn’t solve thestandards VDE 0110 and UL 508 for creeping distancePin 1 Pin 2 Pin 3G C EType VCE IC Package Ordering CodeBUP 309 1700V 25A TO-218 AB Q67078-A4204-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values

0.2. dmp3098lss.pdf Size:200K _diodes

DMP3098LSSSINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOP-8L 65m @ VGS = -10V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 115m @ VGS = -4.5V Moisture Sensitivity: Leve

0.3. dmp3098lsd.pdf Size:159K _diodes

DMP3098LSDDUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Dual P-Channel MOSFET Case: SOP-8L Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 65m @ VGS = -10V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D

0.4. dmp3099l.pdf Size:229K _diodes

DMP3099LP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low Gate Threshold Voltage V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 65m @ VGS = -10V -3.8A -30V Low Input/Output Leakage 99m @ VGS = -4.5V -3.0A Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony

0.5. dmp3098ldm.pdf Size:229K _diodes

DMP3098LDMP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low RDS(ON): Case: SOT-26 Case Material — Molded Plastic. UL Flammability Rating 94V-0 65m @VGS = -10V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D 115m @VGS = -4.5V Terminals: Finish — Matte Tin Solderable per MIL-STD-202, Low Input/Output Leakage Method 208 Lead F

0.6. dmp3098lq.pdf Size:277K _diodes

DMP3098LQP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceIDV(BR)DSS RDS(on) max Low Gate Threshold Voltage TA = +25C 70m@ VGS = -10V -3.8A Low Input Capacitance -30V 120m@ VGS = -4.5V -3.0A Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) H

0.7. dmp3098l.pdf Size:100K _diodes

DMP3098LP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance: Case: SOT-2370m @ VGS = -10V, ID = -3.8A Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 120m @ VGS = -4.5V, ID = -3.0A Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Gate Threshold Voltage Terminals: Fi

0.8. dmp3098l.pdf Size:83K _tysemi

Product specificationDMP3098LP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID Low Gate Threshold Voltage V(BR)DSS RDS(on) maxTA = 25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 70m@ VGS = -10V -3.8A Low Input/Output Leakage -30V 120m@ VGS =-4.5V -3.0A Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)

0.9. ncep3090gu.pdf Size:330K _ncepower

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCEP3090GUNCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP3090GU uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for hi

0.10. dmp3098l.pdf Size:280K _cn_shikues

P-Channel Enhancement Mode MOSFETChannel Enhancement Mode MOSFET Feature -30V/-3.8A, RDS(ON) =55m(MAX) @VGS = -10V.10V. RDS(ON) = 70m(MAX) @VGS = -4.5V.4.5V. RDS(ON) =120m(MAX) @VGS = -2.5V.2.5V. Super High dense cell design for extremely low RSuper High dense cell design for extremely low RDS(ON) Reliable and Rugged SOT-23 for Surface Mount Package

РЕЗИСТОРЫ

Типа ОМЛТ
Типа МЛТ
Типа РПМ-2
Типа С2-10
Типа С2-23
Резисторы импортные типа МЛТ
Типа УЛИ
Типа ВС
Резисторы
Типа ММТ-4
Сопротивление переменное типа СП5-3, СП5-2
Сопротивление переменное типа СП5-2
Сопротивление переменное типа СП5-2В
Сопротивление переменное типа СП5-2; СП5-2М (пластиковый корпус)
Сопротивление переменное типа СПЗ-39А (пластиковый корпус)
Сопротивление переменное типа СП5-1ВА
Сопротивление переменное типа СП5-14
Сопротивление переменное типа СП5-14 (пластиковый корпус)
Сопротивление переменное типа СП5-15
Сопротивление переменное типа СП5-22-1 Вт (пластиковый корпус)
Сопротивление переменное типа СПЗ-37А-1
Сопротивление переменное типа СП5-16ВГ-0,05 Вт
Сопротивление переменное типа СП5-16ВА-0,25 Вт
Сопротивление переменное типа СП5-16ТА(ВА) 0,5 Вт
Сопротивление переменное типа СП5-16 ВА(ТА) 1 Вт
Сопротивление переменное типа СП5-16ВБ-0,25 Вт(металлический корпус)
Сопротивление переменное типа СП5-16ВБ-0,5 Вт
Сопротивление переменное типа TESLA WKC7911
Сопротивление переменное типа ППЗ
Резистор переменный ППБ-18
Сопротивление переменное типа СПЗ-9А
Сопротивление переменное типа СП-2-2-10
Резисторы переменные

П307ВМ, П308М, П309М

Паспорт от них (спасибо scAvenger’у!).

И от него же копия любопытного письма:

забавляет слово «только»… в советское экономике зарекаться не следовало… :)))

1. Справочник. Часть III. Выпуск 2. Полупроводниковые приборы. 1965. 2.Транзисторы. Справочник. Издание 3-е. Под редакцией И. Ф. Николаевского. — Москва, издательство «Связь», 1969. 3. Полупроводниковые приборы. Справочник. Том XI. Транзисторы. Издание второе. — Министерство электронной промышленности СССР. Научно-исследовательский институт. 4. Каталог полупроводниковых приборов. — Москва, ЦНИИ «Электроника», 1971. 5. Малогабаритная радиоаппаратура. Справочник радиолюбителя. — Киев «Наукова думка», 1975. 6. Пляц О. М. Справочник по электровакуумным, полупроводниковым приборам и интегральным схемам. Минск, <�Вышэйш. школа>, 1976 7. Атанас Шишков. Транзистори и диоди. Кратък справочник. Второ допълнено издание. София, Държавно издателство «Техника». 1981. 8. Перечень неперспективных ПП и рекомендуемых замен. — Центральное конструкторское бюро «Дейтон», 1991. 9. Справочник по полупроводниковым приборам (транзисторы). Москва, 1992. МП «Источник» 10. Триполитов С.В., Ермилов А.В. Микросхемы, диоды, транзисторы: Справочник.— М.: Машиностроение, 1994.