Содержание драгметаллов в транзисторах
Транзистор, использующийся для преобразования или усиления электрических сигналов, как и остальные радиоприборы, содержит в себе некоторое количество драгоценного металла. Транзисторы сами по себе являются достаточно маленькими деталями, от 5мм до 2см в диаметре. Однако, наибольшим количеством драгоценного металла, что содержится в транзисторах, является золото, поэтому их малый размер компенсируется этим приятным фактом.
Ниже вы можете видеть таблицу с наиболее ценными типами транзисторов старого образца. В нее включены детали с наибольшим содержанием драгоценного металла. Количество драгметалла в транзисторах указано в граммах на одну тысячу штук данных деталей.
Наименование | Золото | Серебро | Платина | Палладий |
Транзистор 3П320А-2 | 1,9 | 0,62 | ||
Транзистор 3П321А-2 | 1,41 | 0,62 | ||
Транзистор 3П324А-2 | 0,72 | 0,33 | ||
Транзистор 3П603А-2 | 4 | 1,93 | ||
Транзистор 3П604А-2 | 3,66 | 1,84 | ||
Транзистор 3П910А-2 | 16,1 | 11,84 | ||
Транзистор 3П915А-2 | 44,07 | 33,52 | 3,16 | |
Транзистор МП20 | 0,02 | |||
Транзистор МП21Е | 0,02 | |||
Транзистор МП101 | 1,5 | |||
Транзистор МП103А | 1,5 | |||
Транзистор 3П320Б-2 | 1,9 | 0,62 | ||
Транзистор 3П324Б-2 | 0,72 | 0,33 | ||
Транзистор 3П326А-2 | 3,82 | 1,96 | ||
Транзистор 3П325А-2 | 1,24 | 0,33 | ||
Транзистор 3П602А-2 | 16,16 | 11,84 | ||
Транзистор 2Т819А | 9,13 | |||
Транзистор 2Т819В | 9,13 | |||
Транзистор 2Т836В | 18,73 | 9,95 | ||
Транзистор КТ840А | 0,36 | |||
Транзистор 2Т841А | 9,16 | |||
Транзистор 2Т866А | 66,04 | 108,85 | ||
Транзистор 2Т845А | 16,8 | |||
Транзистор КТ848А | 0,97 | |||
Транзистор КТ844А | 16,8 | |||
Транзистор КТ847А | 1,42 | |||
Транзистор 2Т862А | 40,09 | 14,91 | ||
Транзистор 2Т862Б | 68,05 | 108,85 | 7,58 | |
Транзистор 2Т968А | 15,5 | |||
Транзистор 2Т981А | 40,73 | 79,92 | ||
Транзистор 2Т919А | 33,43 | 23,48 | 3,98 | |
Транзистор 2Т963А-2 | 15,53 | 19,54 | 2,24 | |
Транзистор 2Т986Б | 52,05 | 85,97 | 0,06 | 5,13 |
Транзистор 2Т986Б | 52,05 | 85,97 | 0,06 | 5,13 |
Транзистор 2Т987А | 70,21 | 101,67 | 7,64 | |
Транзистор 2Т989А | 63,81 | 111,97 | 0,05 | 6,54 |
Транзистор 2Т307А-1 | 0,49 | 0,01 | ||
Транзистор КТ315А | 0,07 | |||
Транзистор КТ315Е | 0,07 | |||
Транзистор 2Т317А | 0,82 | 0,02 | ||
Транзистор KТ317Б | 0,82 | 0,02 | ||
Транзистор 2Т331Г1 | 0,99 | 0,03 | ||
Транзистор 2Т848А | 0,97 | |||
Транзистор КТД2А | 0,91 | |||
Транзистор КТЭ7Б | 0,91 | |||
Транзистор КТ942В | 33,67 | 23,48 | 3,98 | |
Транзистор КТ969А | 4,19 | |||
Транзистор 2Т629АМ-2 | 1,67 | |||
Транзистор 2Т978А | 16,45 | |||
Транзистор 2Т994А | 81,13 | 142,84 | 0,05 | 6,44 |
Транзистор 2Т995А-2 | 20,53 | 15,13 | 1,7 | |
Транзистор 2Т506Б | 19,53 | 9,95 | ||
Транзистор КТ506Б | 19,53 | 9,95 | ||
Транзистор КТ841А | 9,16 | |||
Транзистор КТ3102АМ | 0,89 | |||
Транзистор КТ315Н | 0,07 | |||
Транзистор 2Т986А | 52,05 | 85,97 | 0,06 | 5,13 |
Транзистор КТ3342АМ | 0,89 | |||
Транзистор 2Т3132Г-2 | 0,87 | 0,33 | ||
Транзистор 2Т318ПС1 | 0,82 | 0,02 | ||
Транзистор КТ639Е | 3,93 | |||
Транзистор 2Т647А-2 | 1,37 | 1,05 | ||
Транзистор 2Т648А-2 | 1,37 | 1,05 | ||
Транзистор 2Т825А | 9,13 | |||
Транзистор 2Т818В | 9,13 | |||
Транзистор КТ331А1 | 0,99 | 0,03 | ||
Транзистор КТ350А | 1,11 | |||
Транзистор КТ317А | 0,82 | 0,02 | ||
Транзистор 2Т3152 | 7,96 | |||
Транзистор 2Т381А | 0,82 | 0,02 | ||
Транзистор 2Т338А-2 | 1,57 | |||
Транзистор КТ3102А | 7,59 | |||
Транзистор КТ3107А | 1,04 | |||
Транзистор КТ3313А | 7,59 | |||
Транзистор 2Т313А | 9,21 | |||
Транзистор 2Т306А | 12,76 | |||
Транзистор 2Т316А | 10,8 | |||
Транзистор 2Т318Е | 0,82 | 0,02 | ||
Транзистор КТ337А | 1,11 | |||
Транзистор КТ347А | 7,59 | |||
Транзистор 2Т363А | 8,29 | |||
Транзистор КТ345А | 1,11 | |||
Транзистор 2Т355А | 19,34 | 0,28 | ||
Транзистор 2Т354А-2 | 0,7 | 0,01 | ||
Транзистор 2Т372А | 3,99 | 0,97 |
Биполярный транзистор P605 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: P605
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
P605
Datasheet (PDF)
0.1. ndp605a ndp605b ndp606a ndp606b.pdf Size:116K _njs
0.2. dmp6050ssd.pdf Size:377K _diodes
DMP6050SSD 60V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(on) max TC = +25C Low Input Capacitance -11.3A 55m @ VGS = -10V Fast Switching Speed -60V -9.1A 70m @ VGS = -4.5V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) De
0.3. dmp6050sfg.pdf Size:551K _diodes
DMP6050SFG 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Ensures On State Losses Are Minimized ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher TA = +25C Density End Products 50m @ VGS = -10V -4.8A Occupies Just 33% of The Board Area Occupied by SO-8 -60V
0.4. p605a p606a.pdf Size:1177K _russia
0.5. cep6056 ceb6056.pdf Size:629K _cet
CEP6056/CEB6056N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 100A, RDS(ON) = 6.2m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedPa
0.6. aop605.pdf Size:579K _aosemi
AOP605Complementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description Featuresn-channel p-channelThe AOP605/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. TheID = 7.5A (VGS = 10V) -6.6A (VGS = -10V)complementary MOSFETs form a high-speed powerinverter, suitable for a multitude of applications.RDS(ON)AOP605 and
0.7. stp605d.pdf Size:962K _stansontech
STP605D P Channel Enhancement Mode MOSFET -15.0A DESCRIPTION STP605D is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The STP607D has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been
0.8. ndp6051.pdf Size:261K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor NDP6051FEATURESDrain Current I =48A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =50V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.022(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABS
Другие транзисторы… P416A
, P416B
, P417
, P417A
, P417B
, P422
, P423
, P6009
, 2N3904
, P605A
, P606
, P606A
, P607
, P607A
, P608
, P608A
, P609
.
Драгметаллы транзисторов, корпус ТО-92
Транзисторы в пластмассовом корпусе
ТО-92 (КТ-26) в большинстве содержат драгоценные металлы: золото (Зл.), серебро (Ср.) и палладий (Пд.). В перечне приведены данные по содержанию драгметаллов в миллиграммах (мг.).
Транзистор в корпусе ТО-92 | Содержание драгоценных металлов | ||
Зл. (мг.) | Ср. (мг.) | Пд. (мг.) | |
КТ203АМ…ВМ | 0,89 | — | — |
КТ203АМ…ВМ | 0,9915 | — | 0,0017 |
КТ209А…М | 0,0567 | 2,1462 | — |
КТ209А, Г, Ж, И, Л | 0,87 | — | — |
КТ209Б, В, Д, Е, К, М | 0,9 | — | — |
КТ209А…М | 1,048 | — | — |
КТ315А1…И1 | 0,0446 | 2,1462 | — |
КТ315Н1, Р1 | 0,0446 | 2,1462 | — |
КТ316АМ…БМ | 1.1377 | — | — |
КТ325АМ…ВМ | 0,9908 | — | — |
КТ326АМ…БМ | 1,1275 | — | — |
КТ326АМ…БМ | 1,2292 | — | 0,0014 |
КТ326АМ | 1,11 | — | — |
КТ326БМ | 0,89 | — | — |
КТ337А…В | 1,2295 / 1,11 | — | — |
КТ337АМ…ВМ | 1,1 | — | — |
КТ339АМ | 1,0464 | — | 0,0014 |
КТ339АМ | 0,8689 | — | 0,00146 |
КТ339АМ | 0,89 / 1,1 | — | — |
КТ342АМ…БМ | 0,991 | — | 0,0014 |
КТ342АМ…ВМ | 0,89 | — | — |
КТ345А…В | 1,229 / 1,11 | — | — |
КТ349А…В | 1,11 | — | — |
КТ349АМ…ВМ | 1,229 / 1,11 | — | — |
КТ350А | 1,229 / 1,11 | — | — |
КТ351А | 1,229 / 1,11 | — | — |
КТ352А | 1,229 / 1,11 | — | — |
КТ355АМ | 0,991 | — | — |
КТ361А2…Н2 | 0,0446 | 2,1462 | — |
КТ363АМ…БМ | 1,128 / 1.11 | — | — |
КТ368АМ…БМ | 0,0443 | 2.146 | — |
КТ368АМ…БМ | 1,128 | — | — |
КТ373А…Г | 1,128 | — | — |
КТ375А…Б | 1,128 | — | — |
КТ382А…Б | 1,128 | — | — |
КТ399АМ | 0,976 / 0,89 | — | — |
КТ3102АМ | 0,991 | — | 0,0014 |
КТ3102АМ…ЕМ | 0,89 | — | — |
КТ3102АМ…КМ | 0,0487 | 2,146 | — |
КТ3102БМ…ЕМ | 0,868 | — | — |
КТ3107А…Л | 0,0487 | 2,146 | — |
КТ3107А…Ж | 1,04 | — | — |
КТ3107А…И | 1,378 / 1,4 | — | — |
КТ3107А…К | 1,089 | — | — |
КТ3107Б | 1,128 / 1,255 | — | — |
КТ3117А-1 | 0,8 | — | — |
КТ3117А-1 | 0,057 | 2,1462 | — |
КТ3126А…Б | 0,064 | — | — |
КТ3126А…Б | 0,051 | 2,146 | — |
КТ3128А1…Б1 | 0,8 | — | — |
КТ3128А1…Б1 | 0,0487 | 2,146 | — |
КТ3157А | 1,095 | — | — |
КТ3157А | 0,0571 | 2,1462 | — |
КТ3166А | 0,027 | — | — |
КТ502А…Е | 0,0533 | 2,1462 | — |
КТ502А…Е | 1,1577 | — | 0,0027 |
КТ502А…Е | 0,9926 | — | 0,0014 |
КТ502А…Е | 0,9 | — | — |
КТ503А…Е | 0,9 | — | — |
КТ503А…Е | 0,0533 | 2,1462 | — |
КТ503А…Е | 1,1577 | — | 0,0027 |
КТ632Б1 | 0,9 | — | — |
КТ638А | 0,9 | — | — |
КТ645А…Б | 0,9426 | — | — |
КТ645А…Б | 0,0487 | 2,1462 | — |
КТ646А…Б | 1,00 | — | — |
КТ646А…Б | 3,7557 | — | — |
КТ646А…В | 0,0925 | — | — |
КТ660А…Б | 0,9997 | — | — |
КТ660А…Б | 0,0566 | 2,1462 | — |
КТ668А…В | 0,9 | — | — |
КТ6109А…Д | 0,0537 | 2,1462 | — |
КТ6110А…Д | 0,0537 | 2,1462 | — |
КТ6111А…Г | 0,0469 | 2,1462 | — |
КТ6112А…В | 0,0469 | 2,1462 | — |
КТ6113А…Е | 0,0482 | 2,1462 | — |
КТ6114А…Е | 0,0773 | 2,1462 | — |
КТ6115А…Е | 0,0798 | 2,1462 | — |
КТ6116А…Б | 0,0518 | 2,1462 | — |
КТ6117А…Б | 0,0537 | 2,1462 | — |
КТ… имп. аналоги | 1,00 | 10,00 | — |
КП103Е1…М1 | 0,8663 / 1,019 | — | — |
КП501А…В | 0,1975 | 2,146 | — |
КП501А…Б | 16,3446 | 2,464 | — |
2П601Б | 16,36 | 2,46 | — |
КП601А…Б | 16,36 | 2,46 | — |
КП… импорт. аналоги | 1,00 | 10,00 | — |
Драгметаллов не содержат (данные уточняются):
Несколько слов о деталях:
При сборке усилителя, в качестве конденсаторов постоянной ёмкости (помимо электролитических), желательно применять слюдяные конденсаторы. Например типа КСО, такие, как ниже на рисунке.
Транзисторы МП40А можно заменить на транзисторы МП21, МП25, МП26. Транзисторы ГТ402Г – на ГТ402В; ГТ404Г – на ГТ404В;
Выходные транзисторы ГТ806 можно ставить любых буквенных индексов. Применять более низкочастотные транзисторы типа П210, П216, П217 в этой схеме не рекомендую, поскольку на частотах выше 10кГц они здесь работают плоховато (заметны искажения), видимо, из-за нехватки усиления тока на высокой частоте.
Площадь радиаторов на выходные транзисторы должна быть не менее 200 см2, на предоконечные транзисторы не менее 10 см2.
На транзисторы типа ГТ402 радиаторы удобно делать из медной (латунной) или алюминиевой пластины, толщиной 0,5 мм, размером 44х26.5 мм.
Пластина разрезается по линиям, потом этой заготовке придают форму трубки, используя для этой цели любую подходящую цилиндрическую оправку (например сверло).
После этого заготовку (1) плотно надевают на корпус транзистора (2) и прижимают пружинящим кольцом (3), предварительно отогнув боковые крепёжные ушки.
Кольцо изготовляется из стальной проволоки диаметром 0,5-1,0 мм. Вместо кольца можно использовать бандаж из медной проволоки.
Теперь осталось загнуть снизу боковые ушки для крепления радиатора за корпус транзистора и отогнуть на нужный угол надрезанные перья.
Подобный радиатор можно также изготовить и из медной трубки, диаметром 8мм. Отрезаем кусок 6…7см, разрезаем трубку вдоль по всей длине с одной стороны. Далее на половину длины разрезаем трубку на 4 части и отгибаем эти части в виде лепестков и плотно надеваем на транзистор.
Так как диаметр корпуса транзистора где-то 8,2 мм, то за счёт прорези по всей длине трубки, она плотно оденется на транзистор и будет удерживаться на его корпусе за счёт пружинящих свойств.
Резисторы в эмиттерах выходного каскада – либо проволочные мощностью 5 Вт, либо типа МЛТ-2 3 Ом по 3шт параллельно. Импортные пленочные использовать не советую – выгорают мгновенно и незаметно, что ведет к выходу из строя сразу нескольких транзисторов.
P605 Datasheet (PDF)
0.1. ndp605a ndp605b ndp606a ndp606b.pdf Size:116K _njs
0.2. dmp6050ssd.pdf Size:377K _diodes
DMP6050SSD 60V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(on) max TC = +25C Low Input Capacitance -11.3A 55m @ VGS = -10V Fast Switching Speed -60V -9.1A 70m @ VGS = -4.5V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) De
0.3. dmp6050sfg.pdf Size:551K _diodes
DMP6050SFG 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Ensures On State Losses Are Minimized ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher TA = +25C Density End Products 50m @ VGS = -10V -4.8A Occupies Just 33% of The Board Area Occupied by SO-8 -60V
0.4. p605a p606a.pdf Size:1177K _russia
0.5. cep6056 ceb6056.pdf Size:629K _cet
CEP6056/CEB6056N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 100A, RDS(ON) = 6.2m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedPa
0.6. aop605.pdf Size:579K _aosemi
AOP605Complementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description Featuresn-channel p-channelThe AOP605/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. TheID = 7.5A (VGS = 10V) -6.6A (VGS = -10V)complementary MOSFETs form a high-speed powerinverter, suitable for a multitude of applications.RDS(ON)AOP605 and
0.7. stp605d.pdf Size:962K _stansontech
STP605D P Channel Enhancement Mode MOSFET -15.0A DESCRIPTION STP605D is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The STP607D has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been
0.8. ndp6051.pdf Size:261K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor NDP6051FEATURESDrain Current I =48A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =50V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.022(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABS
Транзисторы П605 — драгметаллы, характеристики, аналоги
Описание транзистора П605
П605 – это транзисторы из германиевого сплава, выпускающиеся в металлическом и герметичном корпусе с жёсткими и гибкими выводами и изоляторами из стекла. По своим качествам считается универсальным.
Где можно найти П605?
- Встречаются в устройствах: усилительные каскады до 30 МГц
- генераторные каскады до 30 МГц
- устройства гражданского назначения
- устройства спец назначения
Таблица содержания драгметалла в граммах для транзисторов серии П605
Транзистор | Золото, гр в 1000 шт | Серебро в 1000 шт | Золото, гр в 1000 шт Н.возвр | Серебро в 1000 шт Н.возвр | Золото, гр в 1 шт | Серебро в 1 шт |
П605 | 0,68 | 0,578 | 0,00068 | |||
П605 | 0,684 | 0,58106 | 0,000684 | |||
П605 | 23 | 19,55 | 0,023 | |||
П605А | 0,68 | 0,578 | 0,00068 | |||
П605А | 25,5 | 21,675 | 0,0255 | |||
П605А | 4 | 27,97 | 3,4 | 23,7745 | 0,004 | 0,02797 |
П605А (вариант 1 с фланцем) | 27,97 | 23,7745 | 0,02797 | |||
П605А троп. (германиевый) | 4 | 3,4 | 0,004 |
Таблица веса драгметаллов в транзисторе П605 в граммах для 1шт и 1000шт, с учётом нормы возвратаНорма возврата. Стоит учесть, после переработки удаётся извлечь не весь драгметалл указанный в паспорте. По этой причине, приведён расчёт учитывая норму возврата (Н.возвр). Были изучены разные источники и собраны средние данные по возврату. Хоть и бывает такое что извлекается почти 100%, ориентироваться на нормы возврата будет более реалистичным. Скупаются радиоэлементы дешевле цены металла в них на 15-50%.
Важный нюанс. Производить изделия могли в разное время и у разных изготовителей, что может сказаться на базовом значении веса драгметалла, а в последствии и на переработанном. РЭА произведённые в более раннем году, имеют более высокие шансы содержать драгметаллы и чаще в большем количестве чем у последующих версий. Прослеживается для любых радиоэлементов в большинстве случаев. Новые же, по причине развития техпроцесса, иногда вовсе без драгметалла.
Цена предлагаемая скупщиками
Посмотрев на расценки, видно что скупщики принимают реле за 50% – 100% от текущей курсовой стоимости драгметалла. Для того чтобы лучше ориентироваться в цене, желательно свериться с актуальной ценой на мировых торговых биржах.
- Исторические цены драгметалла на мировых биржах: Золото за 1 гр – 1600-4500 руб
- Серебро за 1 гр – 30—70 руб
Цены указаны для высшей пробы
В конкретном случае важно понимать, что чем ниже проба, тем меньше стоимость. А так же в зависимости от того по какой цене согласен покупать скупщик
Примечания относительно цен на драгметаллы.
- Серебро было по 30 руб, это исторически средние значения, если грамм вернётся к пиковому, то будет стоить 85 руб. Так, с 2003 года по 2011 год серебро выросло с 10 до 90 рублей за грамм. Затем к 2015 году упало до 28 и с тех пор колеблется с 28 до 40 руб за грамм. В 2022 снова пошло в рост. Стоит заметить, в кризис серебро дешевеет, поскольку это полупромышленный металл, а в кризис промышленность сбоит и спрос падает.
- Золото неуклонно росло с 2005 по 2012, с цены 800 до 3800 руб за грамм. С тех пор упало почти в 2 раза и колеблется в диапазоне 2100-2800 руб за грамм с 2013 года. Как можно заметить, в ожидании кризиса 2022 году цена золота снова выросла. После рисковых ситуаций в мире обычно снова возвращается к средней цене.
Надеюсь этим удастся помочь сориентироваться относительно влияния мировых цен на выгодность.
Часто целесообразно такие изделия сдавать на лом после выработки рабочего ресурса, как изделия они стоят иногда существенно дороже.
Стоимость транзистора П605 в качестве изделия
Цены в основном распределены от 10 – 38 рублей за штуку. Сильно колеблются в зависимости от характеристик, производителя, желаний продавца и года выпуска.
- Цены для примера, в среднем, за 1 шт: П605 – 8-42 руб
- П605А – 12-32 руб
- Масса: жёсткие выводы до 11 гр
- гибкие выводы до 12 гр (ранние до 14гр)
Температура эксплуатации: -60+70°C
Максимальная температура перехода: 75°C
Срок службы: более 1000 часов
Аналоги
- Зарубежные: П605 – 2SA416
П605А – 2SA416