Простой германиевый усилитель мощности

Содержание драгметаллов в транзисторах

Транзистор, использующийся для преобразования или усиления электрических сигналов, как и остальные радиоприборы, содержит в себе некоторое количество драгоценного металла. Транзисторы сами по себе являются достаточно маленькими деталями, от 5мм до 2см в диаметре. Однако, наибольшим количеством драгоценного металла, что содержится в транзисторах, является золото, поэтому их малый размер компенсируется этим приятным фактом.

Ниже вы можете видеть таблицу с наиболее ценными типами транзисторов старого образца. В нее включены детали с наибольшим содержанием драгоценного металла. Количество драгметалла в транзисторах указано в граммах на одну тысячу штук данных деталей.

Наименование Золото Серебро Платина Палладий
Транзистор 3П320А-2 1,9 0,62
Транзистор 3П321А-2 1,41 0,62
Транзистор 3П324А-2 0,72 0,33
Транзистор 3П603А-2 4 1,93
Транзистор 3П604А-2 3,66 1,84
Транзистор 3П910А-2 16,1 11,84
Транзистор 3П915А-2 44,07 33,52 3,16
Транзистор МП20 0,02
Транзистор МП21Е 0,02
Транзистор МП101 1,5
Транзистор МП103А 1,5
Транзистор 3П320Б-2 1,9 0,62
Транзистор 3П324Б-2 0,72 0,33
Транзистор 3П326А-2 3,82 1,96
Транзистор 3П325А-2 1,24 0,33
Транзистор 3П602А-2 16,16 11,84
Транзистор 2Т819А 9,13
Транзистор 2Т819В 9,13
Транзистор 2Т836В 18,73 9,95
Транзистор КТ840А 0,36
Транзистор 2Т841А 9,16
Транзистор 2Т866А 66,04 108,85
Транзистор 2Т845А 16,8
Транзистор КТ848А 0,97
Транзистор КТ844А 16,8
Транзистор КТ847А 1,42
Транзистор 2Т862А 40,09 14,91
Транзистор 2Т862Б 68,05 108,85 7,58
Транзистор 2Т968А 15,5
Транзистор 2Т981А 40,73 79,92
Транзистор 2Т919А 33,43 23,48 3,98
Транзистор 2Т963А-2 15,53 19,54 2,24
Транзистор 2Т986Б 52,05 85,97 0,06 5,13
Транзистор 2Т986Б 52,05 85,97 0,06 5,13
Транзистор 2Т987А 70,21 101,67 7,64
Транзистор 2Т989А 63,81 111,97 0,05 6,54
Транзистор 2Т307А-1 0,49 0,01
Транзистор КТ315А 0,07
Транзистор КТ315Е 0,07
Транзистор 2Т317А 0,82 0,02
Транзистор KТ317Б 0,82 0,02
Транзистор 2Т331Г1 0,99 0,03
Транзистор 2Т848А 0,97
Транзистор КТД2А 0,91
Транзистор КТЭ7Б 0,91
Транзистор КТ942В 33,67 23,48 3,98
Транзистор КТ969А 4,19
Транзистор 2Т629АМ-2 1,67
Транзистор 2Т978А 16,45
Транзистор 2Т994А 81,13 142,84 0,05 6,44
Транзистор 2Т995А-2 20,53 15,13 1,7
Транзистор 2Т506Б 19,53 9,95
Транзистор КТ506Б 19,53 9,95
Транзистор КТ841А 9,16
Транзистор КТ3102АМ 0,89
Транзистор КТ315Н 0,07
Транзистор 2Т986А 52,05 85,97 0,06 5,13
Транзистор КТ3342АМ 0,89
Транзистор 2Т3132Г-2 0,87 0,33
Транзистор 2Т318ПС1 0,82 0,02
Транзистор КТ639Е 3,93
Транзистор 2Т647А-2 1,37 1,05
Транзистор 2Т648А-2 1,37 1,05
Транзистор 2Т825А 9,13
Транзистор 2Т818В 9,13
Транзистор КТ331А1 0,99 0,03
Транзистор КТ350А 1,11
Транзистор КТ317А 0,82 0,02
Транзистор 2Т3152 7,96
Транзистор 2Т381А 0,82 0,02
Транзистор 2Т338А-2 1,57
Транзистор КТ3102А 7,59
Транзистор КТ3107А 1,04
Транзистор КТ3313А 7,59
Транзистор 2Т313А 9,21
Транзистор 2Т306А 12,76
Транзистор 2Т316А 10,8
Транзистор 2Т318Е 0,82 0,02
Транзистор КТ337А 1,11
Транзистор КТ347А 7,59
Транзистор 2Т363А 8,29
Транзистор КТ345А 1,11
Транзистор 2Т355А 19,34 0,28
Транзистор 2Т354А-2 0,7 0,01
Транзистор 2Т372А 3,99 0,97

Биполярный транзистор P605 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: P605

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

P605
Datasheet (PDF)

0.1. ndp605a ndp605b ndp606a ndp606b.pdf Size:116K _njs

0.2. dmp6050ssd.pdf Size:377K _diodes

DMP6050SSD 60V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(on) max TC = +25C Low Input Capacitance -11.3A 55m @ VGS = -10V Fast Switching Speed -60V -9.1A 70m @ VGS = -4.5V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) De

 0.3. dmp6050sfg.pdf Size:551K _diodes

DMP6050SFG 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Ensures On State Losses Are Minimized ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher TA = +25C Density End Products 50m @ VGS = -10V -4.8A Occupies Just 33% of The Board Area Occupied by SO-8 -60V

0.4. p605a p606a.pdf Size:1177K _russia

 0.5. cep6056 ceb6056.pdf Size:629K _cet

CEP6056/CEB6056N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 100A, RDS(ON) = 6.2m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedPa

0.6. aop605.pdf Size:579K _aosemi

AOP605Complementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description Featuresn-channel p-channelThe AOP605/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. TheID = 7.5A (VGS = 10V) -6.6A (VGS = -10V)complementary MOSFETs form a high-speed powerinverter, suitable for a multitude of applications.RDS(ON)AOP605 and

0.7. stp605d.pdf Size:962K _stansontech

STP605D P Channel Enhancement Mode MOSFET -15.0A DESCRIPTION STP605D is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The STP607D has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been

0.8. ndp6051.pdf Size:261K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor NDP6051FEATURESDrain Current I =48A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =50V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.022(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABS

Другие транзисторы… P416A
, P416B
, P417
, P417A
, P417B
, P422
, P423
, P6009
, 2N3904
, P605A
, P606
, P606A
, P607
, P607A
, P608
, P608A
, P609
.

Драгметаллы транзисторов, корпус ТО-92


Транзисторы в пластмассовом корпусе

ТО-92 (КТ-26) в большинстве содержат драгоценные металлы: золото (Зл.), серебро (Ср.) и палладий (Пд.). В перечне приведены данные по содержанию драгметаллов в миллиграммах (мг.).

Транзистор в корпусе ТО-92 Содержание драгоценных металлов
Зл. (мг.) Ср. (мг.) Пд. (мг.)
КТ203АМ…ВМ 0,89
КТ203АМ…ВМ 0,9915 0,0017
КТ209А…М 0,0567 2,1462
КТ209А, Г, Ж, И, Л 0,87
КТ209Б, В, Д, Е, К, М 0,9
КТ209А…М 1,048
КТ315А1…И1 0,0446 2,1462
КТ315Н1, Р1 0,0446 2,1462
КТ316АМ…БМ 1.1377
КТ325АМ…ВМ 0,9908
КТ326АМ…БМ 1,1275
КТ326АМ…БМ 1,2292 0,0014
КТ326АМ 1,11
КТ326БМ 0,89
КТ337А…В 1,2295 / 1,11
КТ337АМ…ВМ 1,1
КТ339АМ 1,0464 0,0014
КТ339АМ 0,8689 0,00146
КТ339АМ 0,89 / 1,1
КТ342АМ…БМ 0,991 0,0014
КТ342АМ…ВМ 0,89
КТ345А…В 1,229 / 1,11
КТ349А…В 1,11
КТ349АМ…ВМ 1,229 / 1,11
КТ350А 1,229 / 1,11
КТ351А 1,229 / 1,11
КТ352А 1,229 / 1,11
КТ355АМ 0,991
КТ361А2…Н2 0,0446 2,1462
КТ363АМ…БМ 1,128 / 1.11
КТ368АМ…БМ 0,0443 2.146
КТ368АМ…БМ 1,128
КТ373А…Г 1,128
КТ375А…Б 1,128
КТ382А…Б 1,128
КТ399АМ 0,976 / 0,89
КТ3102АМ 0,991 0,0014
КТ3102АМ…ЕМ 0,89
КТ3102АМ…КМ 0,0487 2,146
КТ3102БМ…ЕМ 0,868
КТ3107А…Л 0,0487 2,146
КТ3107А…Ж 1,04
КТ3107А…И 1,378 / 1,4
КТ3107А…К 1,089
КТ3107Б 1,128 / 1,255
КТ3117А-1 0,8
КТ3117А-1 0,057 2,1462
КТ3126А…Б 0,064
КТ3126А…Б 0,051 2,146
КТ3128А1…Б1 0,8
КТ3128А1…Б1 0,0487 2,146
КТ3157А 1,095
КТ3157А 0,0571 2,1462
КТ3166А 0,027
КТ502А…Е 0,0533 2,1462
КТ502А…Е 1,1577 0,0027
КТ502А…Е 0,9926 0,0014
КТ502А…Е 0,9
КТ503А…Е 0,9
КТ503А…Е 0,0533 2,1462
КТ503А…Е 1,1577 0,0027
КТ632Б1 0,9
КТ638А 0,9
КТ645А…Б 0,9426
КТ645А…Б 0,0487 2,1462
КТ646А…Б 1,00
КТ646А…Б 3,7557
КТ646А…В 0,0925
КТ660А…Б 0,9997
КТ660А…Б 0,0566 2,1462
КТ668А…В 0,9
КТ6109А…Д 0,0537 2,1462
КТ6110А…Д 0,0537 2,1462
КТ6111А…Г 0,0469 2,1462
КТ6112А…В 0,0469 2,1462
КТ6113А…Е 0,0482 2,1462
КТ6114А…Е 0,0773 2,1462
КТ6115А…Е 0,0798 2,1462
КТ6116А…Б 0,0518 2,1462
КТ6117А…Б 0,0537 2,1462
КТ… имп. аналоги 1,00 10,00
КП103Е1…М1 0,8663 / 1,019
КП501А…В 0,1975 2,146
КП501А…Б 16,3446 2,464
2П601Б 16,36 2,46
КП601А…Б 16,36 2,46
КП… импорт. аналоги 1,00 10,00

Драгметаллов не содержат (данные уточняются):

Несколько слов о деталях:

При сборке усилителя, в качестве конденсаторов постоянной ёмкости (помимо электролитических), желательно применять слюдяные конденсаторы. Например типа КСО, такие, как ниже на рисунке.

Транзисторы МП40А можно заменить на транзисторы МП21, МП25, МП26. Транзисторы ГТ402Г – на ГТ402В; ГТ404Г – на ГТ404В;
Выходные транзисторы ГТ806 можно ставить любых буквенных индексов. Применять более низкочастотные транзисторы типа П210, П216, П217 в этой схеме не рекомендую, поскольку на частотах выше 10кГц они здесь работают плоховато (заметны искажения), видимо, из-за нехватки усиления тока на высокой частоте.

Площадь радиаторов на выходные транзисторы должна быть не менее 200 см2, на предоконечные транзисторы не менее 10 см2.
На транзисторы типа ГТ402 радиаторы удобно делать из медной (латунной) или алюминиевой пластины, толщиной 0,5 мм, размером 44х26.5 мм.

Пластина разрезается по линиям, потом этой заготовке придают форму трубки, используя для этой цели любую подходящую цилиндрическую оправку (например сверло).
После этого заготовку (1) плотно надевают на корпус транзистора (2) и прижимают пружинящим кольцом (3), предварительно отогнув боковые крепёжные ушки.

Кольцо изготовляется из стальной проволоки диаметром 0,5-1,0 мм. Вместо кольца можно использовать бандаж из медной проволоки.
Теперь осталось загнуть снизу боковые ушки для крепления радиатора за корпус транзистора и отогнуть на нужный угол надрезанные перья.

Подобный радиатор можно также изготовить и из медной трубки, диаметром 8мм. Отрезаем кусок 6…7см, разрезаем трубку вдоль по всей длине с одной стороны. Далее на половину длины разрезаем трубку на 4 части и отгибаем эти части в виде лепестков и плотно надеваем на транзистор.

Так как диаметр корпуса транзистора где-то 8,2 мм, то за счёт прорези по всей длине трубки, она плотно оденется на транзистор и будет удерживаться на его корпусе за счёт пружинящих свойств.
Резисторы в эмиттерах выходного каскада – либо проволочные мощностью 5 Вт, либо типа МЛТ-2 3 Ом по 3шт параллельно. Импортные пленочные использовать не советую – выгорают мгновенно и незаметно, что ведет к выходу из строя сразу нескольких транзисторов.

P605 Datasheet (PDF)

0.1. ndp605a ndp605b ndp606a ndp606b.pdf Size:116K _njs

0.2. dmp6050ssd.pdf Size:377K _diodes

DMP6050SSD 60V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(on) max TC = +25C Low Input Capacitance -11.3A 55m @ VGS = -10V Fast Switching Speed -60V -9.1A 70m @ VGS = -4.5V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) De

 0.3. dmp6050sfg.pdf Size:551K _diodes

DMP6050SFG 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Ensures On State Losses Are Minimized ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher TA = +25C Density End Products 50m @ VGS = -10V -4.8A Occupies Just 33% of The Board Area Occupied by SO-8 -60V

0.4. p605a p606a.pdf Size:1177K _russia

 0.5. cep6056 ceb6056.pdf Size:629K _cet

CEP6056/CEB6056N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 100A, RDS(ON) = 6.2m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedPa

0.6. aop605.pdf Size:579K _aosemi

AOP605Complementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description Featuresn-channel p-channelThe AOP605/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. TheID = 7.5A (VGS = 10V) -6.6A (VGS = -10V)complementary MOSFETs form a high-speed powerinverter, suitable for a multitude of applications.RDS(ON)AOP605 and

0.7. stp605d.pdf Size:962K _stansontech

STP605D P Channel Enhancement Mode MOSFET -15.0A DESCRIPTION STP605D is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The STP607D has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been

0.8. ndp6051.pdf Size:261K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor NDP6051FEATURESDrain Current I =48A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =50V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.022(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABS

Транзисторы П605 — драгметаллы, характеристики, аналоги

Описание транзистора П605

П605 – это транзисторы из германиевого сплава, выпускающиеся в металлическом и герметичном корпусе с жёсткими и гибкими выводами и изоляторами из стекла. По своим качествам считается универсальным.

Где можно найти П605?

  • Встречаются в устройствах: усилительные каскады до 30 МГц
  • генераторные каскады до 30 МГц
  • устройства гражданского назначения
  • устройства спец назначения

Таблица содержания драгметалла в граммах для транзисторов серии П605

Транзистор Золото, гр в 1000 шт Серебро в 1000 шт Золото, гр в 1000 шт Н.возвр Серебро в 1000 шт Н.возвр Золото, гр в 1 шт Серебро в 1 шт
П605 0,68 0,578 0,00068
П605 0,684 0,58106 0,000684
П605 23 19,55 0,023
П605А 0,68 0,578 0,00068
П605А 25,5 21,675 0,0255
П605А 4 27,97 3,4 23,7745 0,004 0,02797
П605А (вариант 1 с фланцем) 27,97 23,7745 0,02797
П605А троп. (германиевый) 4 3,4 0,004

Таблица веса драгметаллов в транзисторе П605 в граммах для 1шт и 1000шт, с учётом нормы возвратаНорма возврата. Стоит учесть, после переработки удаётся извлечь не весь драгметалл указанный в паспорте. По этой причине, приведён расчёт учитывая норму возврата (Н.возвр). Были изучены разные источники и собраны средние данные по возврату. Хоть и бывает такое что извлекается почти 100%, ориентироваться на нормы возврата будет более реалистичным. Скупаются радиоэлементы дешевле цены металла в них на 15-50%.

Важный нюанс. Производить изделия могли в разное время и у разных изготовителей, что может сказаться на базовом значении веса драгметалла, а в последствии и на переработанном. РЭА произведённые в более раннем году, имеют более высокие шансы содержать драгметаллы и чаще в большем количестве чем у последующих версий. Прослеживается для любых радиоэлементов в большинстве случаев. Новые же, по причине развития техпроцесса, иногда вовсе без драгметалла.

Цена предлагаемая скупщиками

Посмотрев на расценки, видно что скупщики принимают реле за 50% – 100% от текущей курсовой стоимости драгметалла. Для того чтобы лучше ориентироваться в цене, желательно свериться с актуальной ценой на мировых торговых биржах.

  • Исторические цены драгметалла на мировых биржах: Золото за 1 гр – 1600-4500 руб
  • Серебро за 1 гр – 30—70 руб

Цены указаны для высшей пробы

В конкретном случае важно понимать, что чем ниже проба, тем меньше стоимость. А так же в зависимости от того по какой цене согласен покупать скупщик

Примечания относительно цен на драгметаллы.

  • Серебро было по 30 руб, это исторически средние значения, если грамм вернётся к пиковому, то будет стоить 85 руб. Так, с 2003 года по 2011 год серебро выросло с 10 до 90 рублей за грамм. Затем к 2015 году упало до 28 и с тех пор колеблется с 28 до 40 руб за грамм. В 2022 снова пошло в рост. Стоит заметить, в кризис серебро дешевеет, поскольку это полупромышленный металл, а в кризис промышленность сбоит и спрос падает.
  • Золото неуклонно росло с 2005 по 2012, с цены 800 до 3800 руб за грамм. С тех пор упало почти в 2 раза и колеблется в диапазоне 2100-2800 руб за грамм с 2013 года. Как можно заметить, в ожидании кризиса 2022 году цена золота снова выросла. После рисковых ситуаций в мире обычно снова возвращается к средней цене.

Надеюсь этим удастся помочь сориентироваться относительно влияния мировых цен на выгодность.

Часто целесообразно такие изделия сдавать на лом после выработки рабочего ресурса, как изделия они стоят иногда существенно дороже.

Стоимость транзистора П605 в качестве изделия

Цены в основном распределены от 10 – 38 рублей за штуку. Сильно колеблются в зависимости от характеристик, производителя, желаний продавца и года выпуска.

  • Цены для примера, в среднем, за 1 шт: П605 – 8-42 руб
  • П605А – 12-32 руб
  • Масса: жёсткие выводы до 11 гр
  • гибкие выводы до 12 гр (ранние до 14гр)

Температура эксплуатации: -60+70°C

Максимальная температура перехода: 75°C
Срок службы: более 1000 часов

Аналоги

  • Зарубежные: П605 – 2SA416

П605А – 2SA416

Рейтинг
( Пока оценок нет )
Editor
Editor/ автор статьи

Давно интересуюсь темой. Мне нравится писать о том, в чём разбираюсь.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Электронная память
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: