Содержание драгметаллов в микросхемах

Микросхема К1ТР721

Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основан на справочных данных различных организаций, занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Какие драгоценные металлы содержатся в микросхемах

Микросхемы могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Структура обозначения советских микросхем.

Советские (а также российские) микросхемы обозначаются стандартным кодом, согласно ГОСТ РВ 5901-005-2010 (предыдущие – ОСТ 11073915-2000, 11073915-80), состоящим из четырех элементов: Первый элемент состоит из цифры и означает конструктивно-технологическую группу: 1,5,6 – обозначают полупроводниковые ИМС 2,4,8 – обозначают гибридные ИМС 7 – обозначает бескорпусную полупроводниковую ИМС 3 – прочие ИМС

Второй элемент состоит из двух цифр, обозначающих порядковый номер разработки.

Третий элемент содержит две буквы русского алфавита, определяющие функциональное назначение ИМС (см. таблицу ниже).

Четвёртый элемент – порядковый номер одноименных по функциональному признаку ИМС в одной серии. Состоит из одной или двух цифр.

За четвёртым элементом может находиться буква (или цифра через дефис), указывающая деление данного типа ИМС на группы, различные по одному или нескольким параметрам. В первых микросхемах в пластиковых корпусах после четвертого элемента могла ставиться буква “П”.1

Перед полным условным обозначением ИМС, предназначенной для аппаратуры широкого применения, ставится буква “К”. При необходимости указания типа корпуса ИМС после буквы “К” добавляется буква:2 Р – для пластмассовых корпусов типа “2”; М – для керамических, металло-керамических и металло-стеклянных корпусов типа “2”; Е – для металло-полимерного корпуса типа “2”; А – для пластмассового корпуса типа “4”; И – для керамико-стеклянного корпуса типа “4”; Э – экспортный вариант (шаг выводов 2,54 и 1,27 мм); Н – кристаллоноситель.

Примечание. На микросхемах, разработанных до 1974 года, третий элемент (две буквы) стоит сразу после первой цифры серии, при этом буквенные обозначения могут отличаться от принятых по отраслевому стандарту 1980 года.

Драгметаллы в микросхемах – где содержаться

Микросхема представляет собой устройство, выполненное на пленке или кристалле. Изготовлялись они вплоть до развала Советского Союза. Сейчас же они тоже иногда используются, например, в приборах специального или промышленного назначения. Однако большая часть из них пущена в утиль. Поэтому добывать драгметаллы в микросхемах сейчас довольно просто.

Микросхемы предназначаются для работы электронных устройств. В зависимости от расположения функциональных деталей выделяли формирователи, схемы задержки, схемы вычислительные, генераторы, детекторы, цифровые, источники вторичного питания, ключи, коммутаторы, логические элементы, модуляторы, преобразователи, триггеры, запоминающие схемы, схемы сравнения, усилители, фильтры и многое другое.

Лучшие микросхемы в плане содержания в них драгоценных металлов – это выпущенные для нужд промышленности и военной отрасли. Охотятся за вариантами из 70-х годов, так как в них самое большое содержание золота, серебра, а иногда можно даже найти и другие. Но если собирать обычные микросхемы, то и из них тоже можно получить выгоду. Однако, в таком случае придется потрудиться – что собрать, к примеру, около 6 грамм серебра и всего 0,34 грамм золота придется переработать около тысячи схем вида КР1108ПП2. Конечно, бизнес такого типа рентабельным нельзя назвать.

Микросхема КР159НТ1Д

Микросхема КР159НТ1Д Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Микросхема КР159НТ1Д описание

Микросхемы представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей). Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,3 г и типа 201 14-1, масса не более 1 г.

Технические характеристики микросхемы КР159НТ1Д

Разность напряжений эмиттер-база транзисторов; К159НТ1Г, КР159НТ1Г, К159НТ1Д, КР159НТ1Д, К159НТ1Е, КР159НТ1Е <15 мВ Прямое падение напряжения между эмиттером и базой (1,= 1мА) … 0,55 ..0,75 В Обратный ток коллектор-база < 200 нА Обратный ток эмиттер-база . < 500 нА

КР159НТ1Д выводы

Назначение выводов. 1, 8 — свободные; 2 — коллектор транзистора VT1 3 — база транзистора VT1 4 — эмиттер транзистора VT1; 5 — эмиттер транзистора VT2, 6 — база транзистора VT2, 7—коллектор транзистора VT2

Структура обозначения советских микросхем

Советские (а также российские) микросхемы обозначаются стандартным кодом, согласно ГОСТ РВ 5901-005-2010 (предыдущие – ОСТ 11073915-2000, 11073915-80), состоящим из четырех элементов:

Первый элемент состоит из цифры и означает конструктивно-технологическую группу: 1,5,6 – обозначают полупроводниковые ИМС 2,4,8 – обозначают гибридные ИМС 7 – обозначает бескорпусную полупроводниковую ИМС 3 – прочие ИМС

Второй элемент состоит из двух цифр, обозначающих порядковый номер разработки.

Третий элемент содержит две буквы русского алфавита, определяющие функциональное назначение ИМС (см. таблицу ниже).

Четвёртый элемент – порядковый номер одноименных по функциональному признаку ИМС в одной серии. Состоит из одной или двух цифр.

За четвёртым элементом может находиться буква (или цифра через дефис), указывающая деление данного типа ИМС на группы, различные по одному или нескольким параметрам. В первых микросхемах в пластиковых корпусах после четвертого элемента могла ставиться буква “П”.1

Перед полным условным обозначением ИМС, предназначенной для аппаратуры широкого применения, ставится буква “К”. При необходимости указания типа корпуса ИМС после буквы “К” добавляется буква:2 Р – для пластмассовых корпусов типа “2”; М – для керамических, металло-керамических и металло-стеклянных корпусов типа “2”; Е – для металло-полимерного корпуса типа “2”; А – для пластмассового корпуса типа “4”; И – для керамико-стеклянного корпуса типа “4”; Э – экспортный вариант (шаг выводов 2,54 и 1,27 мм); Н – кристаллоноситель.

Примечание. На микросхемах, разработанных до 1974 года, третий элемент (две буквы) стоит сразу после первой цифры серии, при этом буквенные обозначения могут отличаться от принятых по отраслевому стандарту 1980 года.

Конденсаторы и резисторы

Как и микросхемы, содержание драгметаллов в конденсаторах выше в том случае, если они изготовлены в Советском Союзе. Кроме серебра и золота, из таких элементов можно добыть платину и палладий. Но в последнее время количество ценных веществ снижается из-за дороговизны производства. Требования, которые сегодня предъявляются к современным изделиям, иногда исключают использование традиционных материалов.

Если интересно то, какие конденсаторы содержат драгметаллы, то все детали делят на несколько категорий в зависимости от объёма золота, серебра и платины:

  • керамические с маркой КМ;
  • с жёлтым корпусом;
  • танталовые;
  • с серебряным покрытием.

Получить золото и серебро можно из вычислительных машин, АТС и электронных устройств, которые произвели в СССР. К примеру, в конденсаторе К 22 5 содержание драгметаллов следующее — 34,2 г золота и 52,3 г серебра. Ламповые телевизоры, магнитофоны и другая бытовая техника того времени также может быть полезной.

Не только конденсаторы и микросхемы содержат ценные элементы. Их добывают и из резисторов. Но в них много серебра, а золота и платины практически нет

Особое внимание специалисты уделяют советским потенциометрам серий ПТП, 5К, ППМЛ и ППБЛ. Подходят модели, выпущенные до 1982 года

Желательно, чтобы на них была пометка «Ромб».

Из этих деталей извлекают драгметаллы с помощью химического способа. Понадобится подготовить растворы азотной и соляной кислоты. Конденсатор, микросхему или резистор на 30−40 минут помещают в смесь и ждут отделения веществ. Осадок, который появится на дне ёмкости, может иметь красный или коричневый оттенок — это и есть золото. Его собирают и промывают, затем переплавляют в украшение или другое изделие.

Какие радиодетали ценятся и покупаются

Драгметаллы содержат следующие детали: конденсаторы, микросхемы, ламели, переключатели, реле, корпуса транзисторов. Конденсаторы — самые дорогие у скупщиков з счет содержания золота, платины. Стоимость доходит до 120$ за 1 кг. Ценятся и рыжие конденсаторы под маркировкой КМ-Н30, Н902М2. Цена — составляет 700-900$ за 1 кг.

Радиодетали с драгметаллами в старых советских машинах

В ходу — советские ламели (30 $ за 1 кг). А еще — автомобильные реле эпохи СССР. В маркировки КТ603 б (86 г/в), КТ630 (87 г/в), 603б 84 г/в) входит целых 3 больших желтых транзистора на платах и диоды. В составе – немного, но содержится золото, серебро, тантал. Если покопаться в старых реле маркировки РЭС-8 и РЭС-7, то можно найти драгоценный металл в контактных группах. Также из чистого благородного сплава палладия изготавливались контакты в резисторах СП5 марки 14 22 Ом, 14 33 Ом. В резисторах ПП3 и ПП5 содержится палладий в обмотке валиков и нижних контактных кольцах.

Продать радиодетали

Микросхема КР1533ИП5

Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основан на справочных данных различных организаций, занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Какие драгоценные металлы содержатся в микросхемах

Микросхемы могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Структура обозначения советских микросхем.

Советские (а также российские) микросхемы обозначаются стандартным кодом, согласно ГОСТ РВ 5901-005-2010 (предыдущие – ОСТ 11073915-2000, 11073915-80), состоящим из четырех элементов: Первый элемент состоит из цифры и означает конструктивно-технологическую группу: 1,5,6 – обозначают полупроводниковые ИМС 2,4,8 – обозначают гибридные ИМС 7 – обозначает бескорпусную полупроводниковую ИМС 3 – прочие ИМС

Второй элемент состоит из двух цифр, обозначающих порядковый номер разработки.

Третий элемент содержит две буквы русского алфавита, определяющие функциональное назначение ИМС (см. таблицу ниже).

Четвёртый элемент – порядковый номер одноименных по функциональному признаку ИМС в одной серии. Состоит из одной или двух цифр.

За четвёртым элементом может находиться буква (или цифра через дефис), указывающая деление данного типа ИМС на группы, различные по одному или нескольким параметрам. В первых микросхемах в пластиковых корпусах после четвертого элемента могла ставиться буква “П”.1

Перед полным условным обозначением ИМС, предназначенной для аппаратуры широкого применения, ставится буква “К”. При необходимости указания типа корпуса ИМС после буквы “К” добавляется буква:2 Р – для пластмассовых корпусов типа “2”; М – для керамических, металло-керамических и металло-стеклянных корпусов типа “2”; Е – для металло-полимерного корпуса типа “2”; А – для пластмассового корпуса типа “4”; И – для керамико-стеклянного корпуса типа “4”; Э – экспортный вариант (шаг выводов 2,54 и 1,27 мм); Н – кристаллоноситель.

Примечание. На микросхемах, разработанных до 1974 года, третий элемент (две буквы) стоит сразу после первой цифры серии, при этом буквенные обозначения могут отличаться от принятых по отраслевому стандарту 1980 года.

Рейтинг
( Пока оценок нет )
Editor
Editor/ автор статьи

Давно интересуюсь темой. Мне нравится писать о том, в чём разбираюсь.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Электронная память
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: