Импортные аналоги отечественных транзисторов таблица соответствия отечественных транзисторов импортным аналогам

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешние характеристики некоторых транзисторов семейства КТ315: зависимости коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах базы: 0,1; 0,2; 0,3; 0,4 мА.

Рис. 2. Внешние характеристики некоторых транзисторов семейства КТ315: зависимости коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах базы: 0,05; 0,1; 0,15; 0,2; 0,25; 0,3; 0,4; 0,45 мА.

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при соотношении IC/IB = 10. Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при соотношении IC/IB = 10. Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Рис. 5. Зависимость для некоторых транзисторов семейства КТ315 статического коэффициента усиления hFE по току в схеме с общим эмиттером от величины тока эмиттера IE.

Характеристика снята при напряжении UCB = 10 В.

Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Рис. 6. Зависимость для некоторых транзисторов семейства КТ315 статического коэффициента усиления hFE по току в схеме с общим эмиттером от величины тока эмиттера IE.

Характеристика снята при напряжении UCB = 10 В.

Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Рис. 7. Зависимость модуля коэффициента усиления тока базы от тока эмиттера IE при высокой частоте f = 100 МГц.

Зависимость снята при напряжении UCE = 10В. Пунктиром показан 95% разброс результатов измерений параметра.

Рис. 8. Зависимости постоянной времени обратной связи по коллекторной цепи τС от величины напряжения коллектор-база при высокой частоте для некоторых транзисторов семейства КТ315.

Характеристика снята при токе эмиттера IE = 5 мА и частоте 5 МГц. Пунктирной линией показан 95% разброс значений измеренного параметра.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, для усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты, схем импульсных устройств и другой аппаратуры общего применения.

Отечественное производство

Тип PC UCB UCE UEB IC TJ fT Cob hFE Корпус
КТ315, КТ315-1 0,15 15…60 15…60 6 0,1 120 250 7 20…350 КТ13, TO-92
КТ3151 A9/B9/D9/E9/G9/V9 0,2 20…80 20…80 5 0,1 175 100 15 20…80 SOT23 (КТ-46)
КТ3153 A9 0,15 60 50 5 0,4 150 250 4,5 100…300 SOT23 (КТ-46А)
КТ3102 0,25 20…50 20…50 5 0,2 125 6 100…1000 TO-92 (КТ-26)

Зарубежное производство

Тип PC UCB UCE UEB IC TJ fT Cob hFE Корпус
КТ315А 0,15 25 25 6 0,1 120 250 7 20…90 КТ13
BFP719 ٭ 0,15 25 25 5 0,1 120 250 7 20…90 КТ13
КТ315Б 0,15 20 20 6 0,1 120 250 7 50…350 КТ13
BFP720 ٭ 0,15 20 20 5 0,1 120 250 7 50…350 КТ13
КТ315В 0,15 40 40 6 0,1 120 250 7 20…90 КТ13
BFP721 ٭ 0,15 40 40 5 0,1 120 250 7 20…90 КТ13
КТ315Г 0,15 35 35 6 0,1 120 250 7 50…350 КТ13
BFP722 ٭ 0,15 35 35 5 0,1 120 250 7 50…350 КТ13
КТ315Д 0,15 40 40 6 0,1 120 250 7 20…90 КТ13
2SC641 0,1 40 15 5 0,1 150 400 6 45…160 TO-92
КТ315Е 0,15 35 35 6 0,1 120 250 7 50…350 КТ13
2N3397 0,36 25 25 5 0,1 150 10 55…800 TO-92
КТ315Ж 0,1 15 15 6 0,05 120 250 7 30…250 КТ13
2SC545 0,12 20 20 4 0,03 125 175 60 TO-92
2SC546 0,12 30 30 4 0,03 125 300 40 TO-92
BFY37i 0,15 25 20 5 0,1 175 270 2,3 ˃ 35 TO-18
2SC388 0,3 30 25 4 0,05 150 300 2 20…200 TO-92
КТ315И 0,1 60 60 6 0,05 120 250 ˃ 30 КТ13
2SC634 0,18 40 40 0,1 125 140 4,5 TO-923
2SC9014 0,45 50 45 5 0,1 150 150 3,5 60 TO-92
BC547 0,5 50 50 6 0,1 150 300 6 110 TO-92
2N3904 0,31 60 40 6 0,2 135 300 4 40 TO-92
КТ315Н1 0,15 20 20 6 0,1 120 250 7 50…350 TO-92
2SC633 0,3 26 26 6 0,2 125 112 7 45…660 TO-92
КТ315Р1 0,15 35 35 6 0,1 120 250 7 150…350 TO-92
BFP722 ٭ 0,15 35 35 5 0,1 120 250 7 50…350 КТ13

٭ — изделие в настоящее время не выпускается, однако могут иметься значительные запасы.

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Маркировка

Рассмотрим транзистор КТ315 в корпусе КТ-13. Радиоэлемент имеет цифробуквенное обозначение и чаще встречается в оранжевом исполнении. В правом верхнем углу корпуса размещен знак завода-изготовителя, а в левом группа коэффициента усиления. Под условными обозначениями группы и предприятия-изготовителя указана дата выпуска.

Современный KT315 выпускается в корпусе для сквозного монтажа КТ-26 (TO-92).

Цифра «1», в конце указывает на современный КТ315 (TO-92), а предпоследняя буква «Г» на группу, к которой относится транзистор из этой серии. На основе значений параметров в группе, можно определить его основное назначение.

Рейтинг
( Пока оценок нет )
Editor
Editor/ автор статьи

Давно интересуюсь темой. Мне нравится писать о том, в чём разбираюсь.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Электронная память
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: