Сенсорные устройства с использованием микросхем
Рейтинг: / 5
- Подробности
- Категория: Включатели выключатели
- Опубликовано: 21.09.2019 09:00
- Просмотров: 1549
Современный сенсорный переключатель состоит из сенсорной пластины, запоминающего устройства (триггера, см. словарь) и генератора. Триггер, используемый в сенсорном устройстве, должен иметь высокое входное сопротивление (около 1 МОм), в противном случае между сенсорной пластиной и триггером устанавливают согласующий каскад. Заметим, что сенсором можно управлять не только путем замыкания его пластин, но и подачей на них небольшого напряжения от специального генератора.
Для сенсорных устройств могут быть использованы микросхемы, выполненные на полевых МОП-транзисторах, серий К172 и К176. При использовании этих микросхем, их не использующиеся входы нужно обязательно подключать к «плюсу» или «минусу» источника питания, согласуясь с характером входа и логикой работы схемы. В этом случае нет необходимости в дополнительных согласующих каскадах. Схема с использованием микросхемы К1ТР721 в сенсорном устройстве, срабатывающем при замыкании пластин, представлена на рис. 1. Часть напряжения питания с делителя R1 и R2 через палец подается с сенсорной пластины Е1 на счетный вход С триггера DD1. При каждом прикосновении к пластинам триггер изменяет свое состояние. Для защиты триггера от паразитных наводок введена цепочка R2, С2. В стационарных сенсорных устройствах могут быть использованы широко распространённые логические микросхемы серий К155 и К133 в частности К155ЛАЗ. При использовании микросхемы К155ЛАЗ в сенсорных устройствах для повышения ее входного сопротивления, следует перед ней включать каскад на полевом транзисторе (рис. 2.). В схеме для четкого срабатывания триггера DD2 введен одновибратор (триггер Шмитга) на микросхеме DD1.1 и DD1.2. Величина сопротивления подстроечного резистора R4 обычно составляет 2,6 кОм. Расстояние от затвора транзистора VT1 до сенсорной пластины следует сделать минимальным, в противном случае для лучшей помехоустойчивости следует включить конденсатор С1 и экспериментально подобрать его емкость. С целью удобства в данном устройстве от сенсорной пластины можно вообще отказаться, если вместо нее использовать корпус транзистора
Для этого осторожно снимают с крышки транзистора краску, а корпус соединяют с выводом затвора. Теперь, чтобы включить сенсорное устройство нужно коснуться верхней части транзистора.Практическая схема Практическая схема сенсорной двухтональной сирены с использованием микросхемы К155ЛАЗ приведена на рис
3. Сирену можно использовать в качестве квартирного звонка или звуковой игрушки. Стоит лишь дотронуться до сенсора Е1, как в наушнике раздастся зазывающий звук с периодически изменяющейся тональностью. Основным узлом сирены является «гибридный» мультивибратор (тональный генератор), выполненный на транзисторе VT3 и логическом элементе DD1.4. Сигнал мультивибратоpa усиливается каскадом на транзисторе VT4. При касании сенсорного контакта Е1 запускается одновибратор, состоящий из транзистора VT2 и элемента DD1.3, запускается, т.е. генерирует одиночный импульс продолжительностью 4…6 с. Импульс в виде уровня логической 1 подается на два генератора с разной тональностью: генератор (VT3, DD1.4) и генератор (VT1, DD1.I, его частота меньше частоты тонального генератора) и разрешает их работу, в результате из капсюля BF1 слышится звук.Детали Детали сирены таких типов: резисторы — МЛТ-0,125, конденсаторы С2, СЗ — К.50-6, остальные КЛС или малогабаритные. Транзисторы VT1…VT3 из указанной серии с любой буквой, VT4 — типа МП40, МП41 и им подобные. Капсюль BF1 — ДЭМ-4М или ТА-56М. Все детали устройства смонтированы на печатной плате размером 55x45x0,8 мм (рис. 4.), которая помещена в подходящий корпус. В корпусе размещается капсюль и три гальванических элемента типа 316.Сенсорные выключатели (бесконтактные кнопки) на микросхеме ТТР223Квазисенсорный выключатель на микросхеме CD40106
Оставлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи
Микросхема КР159НТ1Д
Микросхема КР159НТ1Д Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.
Микросхема КР159НТ1Д описание
Микросхемы представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей). Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,3 г и типа 201 14-1, масса не более 1 г.
Технические характеристики микросхемы КР159НТ1Д
Разность напряжений эмиттер-база транзисторов; К159НТ1Г, КР159НТ1Г, К159НТ1Д, КР159НТ1Д, К159НТ1Е, КР159НТ1Е <15 мВ Прямое падение напряжения между эмиттером и базой (1,= 1мА) … 0,55 ..0,75 В Обратный ток коллектор-база < 200 нА Обратный ток эмиттер-база . < 500 нА
КР159НТ1Д выводы
Назначение выводов. 1, 8 — свободные; 2 — коллектор транзистора VT1 3 — база транзистора VT1 4 — эмиттер транзистора VT1; 5 — эмиттер транзистора VT2, 6 — база транзистора VT2, 7—коллектор транзистора VT2
Структура обозначения советских микросхем
Советские (а также российские) микросхемы обозначаются стандартным кодом, согласно ГОСТ РВ 5901-005-2010 (предыдущие – ОСТ 11073915-2000, 11073915-80), состоящим из четырех элементов:
Первый элемент состоит из цифры и означает конструктивно-технологическую группу: 1,5,6 – обозначают полупроводниковые ИМС 2,4,8 – обозначают гибридные ИМС 7 – обозначает бескорпусную полупроводниковую ИМС 3 – прочие ИМС
Второй элемент состоит из двух цифр, обозначающих порядковый номер разработки.
Третий элемент содержит две буквы русского алфавита, определяющие функциональное назначение ИМС (см. таблицу ниже).
Четвёртый элемент – порядковый номер одноименных по функциональному признаку ИМС в одной серии. Состоит из одной или двух цифр.
За четвёртым элементом может находиться буква (или цифра через дефис), указывающая деление данного типа ИМС на группы, различные по одному или нескольким параметрам. В первых микросхемах в пластиковых корпусах после четвертого элемента могла ставиться буква “П”.1
Перед полным условным обозначением ИМС, предназначенной для аппаратуры широкого применения, ставится буква “К”. При необходимости указания типа корпуса ИМС после буквы “К” добавляется буква:2 Р – для пластмассовых корпусов типа “2”; М – для керамических, металло-керамических и металло-стеклянных корпусов типа “2”; Е – для металло-полимерного корпуса типа “2”; А – для пластмассового корпуса типа “4”; И – для керамико-стеклянного корпуса типа “4”; Э – экспортный вариант (шаг выводов 2,54 и 1,27 мм); Н – кристаллоноситель.
Примечание. На микросхемах, разработанных до 1974 года, третий элемент (две буквы) стоит сразу после первой цифры серии, при этом буквенные обозначения могут отличаться от принятых по отраслевому стандарту 1980 года.
