Симистор ку208г, ку208в, ку208б, ку208а

Эквивалент тиристора

Тиристоры, динисторы и им подобные элементы способны при весьма незначительных внутренних потерях управлять большими мощностями, подводимыми к нагрузке.

Тиристоры — приборы, обладающие двумя устойчивыми состояниями: состоянием низкой проводимости (проводимость отсутствует, прибор заперт) и состоянием высокой проводимости (проводимость близка к нулю, прибор открыт). Представители класса тиристоров :

  • диодные тиристоры (динисторы, диаки), имеющие два вывода (анод и катод), управляемые путем подачи на электроды напряжения с высокой скоростью его нарастания или повышения приложенного напряжения до величины, близкой к критической;
  • триодные тиристоры (тринисторы, триаки), трехэлектродные элементы, управляющий электрод которых служит для перевода тиристора из закрытого состояния в открытое;
  • тетродные тиристоры, имеющие два управляющих электрода;
  • симметричные тиристоры — симисторы, имеющие пятислой-ную структуру. Иногда этот полупроводниковый прибор называют семистором.

Диодные тиристоры (динисторы), ассортимент которых не столь велик, различаются, главным образом, максимально допустимым постоянным прямым напряжением в закрытом состоянии.

Так, для динисторов типов КН102А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И (2Н102А — И) значения этих напряжений составляют, соответственно, 5, 7, 10, 14, 20, 30, 40, 50 В при обратном токе не более 0,5 мА. Максимально допустимый постоянный ток в открытом состоянии для этих полупроводниковых приборов равен 0,2 А при остаточном напряжении в открытом состоянии 1,5 В.

На рис. 1 приведена эквивалентная схема низковольтного динистора. Если принять R1=R3=100 Ом, можно получить динистор с управляемым (с помощью резистора R2) напряжением переключения от 1 до 25 В [Войцеховский Я., Р 11/73-40, Р 12/76-29]. При отсутствии этого резистора и при условии R1=R3=5,1 кОм напряжение переключения составит 9 Б, а при R1=R3=3 кОм —12 В.

Аналог тиристора р-п-р-п-структуры, описанный в книге Я. Войцеховского, показан на рис. 2. Буквой А обозначен анод; К — катод; УЭ — управляющий электрод. В схемах (рис. 1, 2) могут быть использованы транзисторы типов КТ315 и КТ361.

Необходимо лишь, чтобы подводимое к полупроводниковому прибору или его аналогу напряжение не превышало предельных паспортных значений. В таблице (рис. 2) показано, какими величинами R1 и R2 следует руководствоваться при создании аналога тиристора на основе германиевых или кремниевых транзисторов.

Рис. 2. Аналог тиристора.

В разрывы электрической цепи, показанные на схеме (рис. 2) крестиками, можно включить диоды, позволяющие влиять на вид вольт-амперной характеристики аналога. В отличие от обычного тиристора, его аналогом (рис. 2) можно управлять, используя дополнительный вывод — управляющий электрод УЭдоп, подключенный к базе транзистора VT2 (верхний рисунок) или VT1 (нижний рисунок).

Обычно тиристор включают кратковременной подачей напряжения на управляющий электрод УЭ. При подаче напряжения на электрод УЭдоп тиристор, напротив, можно перевести из включенного состояния в выключенное.

С помощью тестера

Проверка работоспособности симистора мультиметром или тестером основана на знании принципа работы этого устройства. Конечно же, она не даст полной картины состояния детали, так как невозможно определить рабочие характеристики симистора без сборки электрической схемы и проведения дополнительных измерений. Но часто вполне достаточно будет подтвердить или опровергнуть работоспособность полупроводникового перехода и управления им.

Чтобы проверить деталь, необходимо использовать мультиметр в режиме измерения сопротивления, то есть как омметр. Контакты мультиметра присоединяются к рабочим контактам симистора, при этом значение сопротивления должно стремиться к бесконечности, то есть быть очень большим.

После этого соединяется анод с управляющим электродом. Симистор должен открыться и сопротивление должно упасть почти до нуля. Если все так и произошло, скорее всего, симистор работоспособен.

Устройство можно считать неисправным в двух случаях. Если до появления напряжения на контакте управляющего электрода сопротивление симистора ничтожно мало. И второй случай, если при появлении напряжения на контакте управляющего электрода сопротивление прибора не уменьшается.

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами. Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.

Разновидность симисторов БТА

Есть так же симисторы на 12, 41 ампер. Они выдерживают большие нагрузки. У меня самодельный регулятор мощности на симисторе ВТА. Заказать регулятор мощности на симисторе можно здесь. На моем канале посещенному радиолюбительству в видеороликах рассматриваются обзоры электро схем, блоков питания, усилителей, преобразователей напряжения и тока, различные схемы и конструкторы из радиодеталей. Которые собираются в домашних условиях и доступны каждому любителю без особых проблем и трудностей. Заказывайте и применяйте в своих целях, для управления бытовыми приборами.

Я на свой регулятор мощности (напряжения) поставил радиатор большего размера и теперь он сможет выдержать большие нагрузки. На этом все, подписывайтесь на канал и оставляйте ваши комментарии, что бы и как вы сделали с этим модулем.

Подписывайтесь на мой канал я буду рад новым подписчикам, ставьте лайки и комментарии.

Так же посмотрите видео регулятор напряжения

На главную страницу.

Эквивалентная замена лямбда-диодов

Совершенно особым видом ВАХ обладают полупроводниковые приборы типа лямбда-диодов
, туннельных диодов
. На вольт-амперных характеристиках этих приборов имеется N-об-разный участок.

Лямбда-диоды и туннельные диоды могут быть использованы для генерации и усиления электрических сигналов. На рис. 8 и рис. 9 показаны схемы, имитирующие лямбда-ди-од [РТЕ 9/87-35].

Практически в генераторах чаще используют схему, представленную на рис. 9 [ПТЭ 5/77-96]. Если между стоками полевых транзисторов включить управляемый резистор (потенциометр) либо транзистор (полевой или биполярный), то видом вольт-амперной характеристики такого «лямбда-диода» можно управлять в широких пределах: регулировать частоту генерации, модулировать колебания высокой частоты и т.д.

Рис. 8. Аналог лямбда-диода.

Рис. 9. Аналог лямбда-диода.

Проверка в схеме

Иногда требуется проверка тиристора, без выпаивания его из схемы. Для этого необходимо отключить управляющий электрод. После этого к аноду и катоду подключается мультиметр в режиме измерения постоянного напряжения.

Вторым тестером подключаются к аноду и управляющему электроду тиристора. Второй прибор должен находиться в режиме омметра.

Если измерительные щупы подсоединены правильно, то показания первого тестера будут лежать в пределах нескольких десятков милливольт.

Если нет, то щупы нужно поменять местами и все повторить. Перед измерениями нужно убедиться, что плата и весь прибор обесточен.

ВРемонт.su — ремонт фото видео аппаратуры, бытовой техники, обзор и анализ рынка сферы услуг

Fig Цок-вка Comparison types Аналоги
BCR 1 AM-10 500V, 1A(Tc=56′), lgt<10mA 7p ZO 104, ZO 101, ZO 106, TAG 204, TAG 205
BCR 1 AM-12 600V, 1A(Tc=56′), lgt<10mA 7p ZO 104, ZO 101, ZO 106, TAG 204, TAG 205
BCR 1 AM-4 200V, 1A(Tc=56′), lgt 7p ZO 104, ZO 101, ZO 106, TAG 204, TAG 205
BCR 1 AM-6 300V, 1A(Tc=56′), lgt<10mA 7p ZO 104, ZO 101, ZO 106, TAG 204, TAG 205,
BCR 1 AM-8 400V, 1A(Tc=56′), lgt<10mA 7p ZO 104, ZO 101, ZO 106, TAG 204, TAG 205
BCR 3 AM-10 500V, 3A(Tc=71′), lgt<30mA 13j T 2323, ZO 410, T 2322, ZO 409
BCR 3 AM-12 600V, 3A(Tc=71′), lgt<30mA 13j T 2323, ZO 410, T 2322, ZO 409
BCR 3 AM-4 200V, 3A(Tc=71′), lgt<30mA 13j T 2323, ZO 410, T 2322, Z0 409
BCR 3 AM-8 400V, 3A(Tc=71′), lgt<30mA 13j T 2323, ZO 410, T 2322, ZO 409
BCR 6 AM-10 500V, 6A(Tc=103′), lgt<30mA 17j TAG 220, TAG 225, TAG 252, TAG 250
BCR 6 AM-12 600V, 6A(Tc=103′), lgt<30mA 171 TAG 220, TAG 225, TAG 252, TAG 250
BCR 6 AM-4 200V, 6A(Tc=103′), lgt<30mA 17j TAG 220, TAG 225, TAG 252, TAG 250
BCR 6 AM-6 300V, 6A(Tc=103′), lgt<30mA 17j TAG 220, TAG 225, TAG 252, TAG 250
BCR 6 AM-8 300V, 6A(Tc=103′), lgt<30mA 17j TAG 220, TAG 225, TAG 252, TAG 250
BCR 8 A-10 500V, 8A(Tc=92′), lgt<50mA 22q MAC 222, TIC 226, T 2802, BS 9-A
BCR 8 A-4 200V, 8A(Tc=92′), lgt<50mA 22q MAC 222, TIC 226, T 2802, BS 9-A
BCR 8 A-6 300V, 8A(Tc=92′), lgt<50mA 22q MAC 222, TIC 226, T 2802, BS9-A
BCR 8 A-8 400V, 8A(Tc=92′), lgt<50mA 22q MAC 222, TIC 226, T 2802, BS 9-A
BCR 8 CM-10 500V, 8A(Tc=105′), lgt<30mA 17j BTA 21, ВТ 158, T 2806, ВТ 162
BCR 8 CM-12 600V, 8A(Tc=105′), lgt<30mA 17j BTA21, ВТ 158, T 2806, ВТ 162
BCR 8 CM-12 600V, 8A(Tc=105′), lgt<30mA 17j ВТА21, ВТ 158, Т 2806, ВТ 162
BCR 8 CM-4 200V, 8A(Tc=105′), lgt<30mA 17j ВТА 21, ВТ 158, Т 2806, ВТ 162
BCR 8 CM-6 300V, 8A(Tc=105′), lgt<30mA 17j ВТА 21, ВТ 158, Т 2806, ВТ 162
BCR 8 CM-8 400V, 8A(Tc=105′), lgt<30mA 17j ВТА 21, ВТ 158, Т 2806, ВТ 162
BCR 8 DM-… =BCR 8CM-…: 8A(Tc=94′) 17j ВТА 21, ВТ 158, Т 2806, ВТ 162
BCR 10 A-2 100V, 10A(Tc=75″), lgt<50mA 76j
BCR 10 A-4 200V, 10A(Tc=75′), lgt<50mA 76j
BCR 10 A-6 300V, 10A(Tc=75′), lgt<50mA 76j
BCR 10 A-8 400V, 10A(Tc=75′), lgt<50mA 76j
BCR10 AM-10 500V, 10A(Tc=100′), lgt<30mA 17j TAG 252, TAG 257
BCR 10 AM-12 600V, 10A(Tc=100′), lgt<30mA 17j TAG 252, TAG 257
BCR 10 AM-4 200V, 10A(Tc=100′), lgt<30mA 17j TAG 252, TAG 257
BCR 10 AM-6 300V, 10A(Tc=100′), lgt<30mA 17j TAG 252, TAG 257
BCR 10 AM-8 400V, 10A(Tc=100′), lgt<30mA 17j TAG 252, TAG 257
BCR 10 B-2…-8 =BCR 10A-2…-8: ~22
BCR 10 C-2…-8 =BCR 10A-2…-8: 21j SC 245, BS 10-.. .A, TXD 99, SC 250
BCR 10 CM-4…-12 =BCR 10AM-4…-12:10A(Tc=103′) 17j TAG 252, TAG 257
BCR 10DM-4…-12 =BCR 10AM-4…-12:10A(Tc=93′) 17j TAG 252, TAG 25?
BCR 10EM-4…-12 =BCR 10AM-4…-12:10A(Tc=80′) 17j TAG 252, TAG 257
BCR 12AM-10 500V, 12A(Tc=101′), lgt<30mA 17j TAG 257
BCR 12AM-12 600V, 12A(Tc=101′), lgt<30mA 17j TAG 257
BCR 12AM-4 200V, 12A(Tc=101′), lgt<30mA 17j TAG 257 ,
BCR 12AM-6 300V, 12A(Tc=101′), lgt<30mA 17j TAG 257
BCR 12AM-8 400V, 12А(Тс=10Г), lgt<30mA 17j TAG 257
BCR 16A-10 500V, 16A(Tc=99), lgt<30mA 17j 17j
BCR 16A-4 200V, 16A(Tc=99′), lgt<30mA 76j
BCR 16A-6 300V, 16A(Tc=99′), lgt<30mA 76j
BCR 16A-8 400V, 16A(Tc=99′), lgt<30mA 76j
BCR 16AM-4… =BCR 16A-4…-10:
BCR 16B-4…-10 =BCR 16A-4…-10: ~22
BCR 16BM-4..: =BCR 16A-4…-10:
BCR 16C-4…-10 =BCR 16A-4…-10: 21j
BCR 16CM-12 =BCR16A-4…-10:600V 17j
BCR 16CM-4… =BCR 16A-4…-10: 17j
BCR 16DM-12 =BCR 16A-4…-10:600V, 16A(Tc=79′) 17j
BCR 16DM-4… =BCR 16A-4…-10:16A(Tc=79′) 17j
BCR 16E-4…-10 =BCR 16A-4…-10: ~22
BCR 16EM-4… =BCR 16A-4…-10:16A(Tc=73′)
BCR 16FM-4… =BCR 16A-4…-10:16A(Tc=73′)
BCR 16GM-4… =BCR 16A-4 ..-10:16A(Tc=73′)
BCR 16HM-4… =BCR 16A-4…-10:16A(Tc=82′) 65I
BCR 20A-10 500V, 20A(Tc=98′), lgt<30mA 76j
BCR 20A-4 200V, 20A(Tc=98′), lgt<30mA 76j
BCR 20A-6 300V,20A(Tc=98′),lgt<30mA 76j
BCR 20A-8 400V, 20A(Tc=98′), lgt<30mA 76j
BCR 20B-4…-10 =BCR 20A-4…-10 22
BCR 20C-4…-10 =BCR 20A-4…-10 21j
BCR 20E-4…-10 =BCR 20A-4…-10 ~22
BCR 25A-10 500V, 25A(Tc=92′), lgt<75mA 21j
BCR 25A-4 200V, 25A(Tc=92′), lgt<75mA 21j
BCR 25A-6 300V, 25A(Tc=92′), lgt<75mA 21j
BCR 25A-8 400V, 25A(Tc=92′), lgt<75mA 21j
BCR 25B-4…-10 =BCR 25A-4…-10 ~22
BCR 30GM-10 500V, 30A(Tc=60′), lgt<50mA 65l
BCR 30GM-4 200V, 30A(Tc=60′), lgt<50mA 65l
BCR 30GM-6 300V, 30A(Tc=60′), lgt<50mA 65l
BCR 30GM-8 400V, 30A(Tc=60′, lgt<50mA 65l

Смотрите так же: Симисторы типа BTA их характеристики и цоколевка

Теория: Тиристор, основные параметры и типы тиристоров Что такое симистор Чем отличается симистор от тиристора?

Описание принципа работы и устройства

Основное отличие этих элементов от тиристоров заключается в двунаправленной проводимости электротока. По сути это два тринистора с общим управлением, включенных встречно-параллельно (см. А на рис. 1) .


Рис. 1. Схема на двух тиристорах, как эквивалент симистора, и его условно графическое обозначение

Теперь рассмотрим структуру полупроводника (см. рис. 2.) Как видно из схемы, в устройстве имеется пять переходов, что позволяет организовать две структуры: р1-n2-p2-n3 и р2-n2-p1-n1, которые, по сути, являются двумя встречными тринисторами, подключенными параллельно.


Рис. 2. Структурная схема симистора

Когда на силовом выводе Т1 образуется отрицательная полярность, начинается проявление тринисторного эффекта в р2-n2-p1-n1, а при ее смене — р1-n2-p2-n3.

Заканчивая раздел о принципе работы приведем ВАХ и основные характеристики прибора.


ВАХ симистора

Обозначение:

  • А – закрытое состояние.
  • В – открытое состояние.
  • UDRM (UПР) – максимально допустимый уровень напряжения при прямом включении.
  • URRM (UОБ) – максимальный уровень обратного напряжения.
  • IDRM (IПР) – допустимый уровень тока прямого включения
  • IRRM (IОБ) — допустимый уровень тока обратного включения.
  • IН (IУД) – значения тока удержания.
Рейтинг
( Пока оценок нет )
Editor
Editor/ автор статьи

Давно интересуюсь темой. Мне нравится писать о том, в чём разбираюсь.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Электронная память
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: