Кт358а, кт358б, кт358в

Справочный листок по транзисторам КТ358А, КТ358Б, КТ358В:

Электрические
параметры:

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, при UКБ = 10 В, IЭ = 5 мА, не менее:
	КТ358А	80 МГц
	КТ358Б, КТ358В	120 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, не более
		500 пс
Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ, при UКЭ = 5,5 В, IЭ = 20 мА:
	КТ358А	10…100
	КТ358Б	25…100
	КТ358В	50…280
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при IК = 20 мА, IБ = 2 мА, не более:
		0,8 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при IК = 20 мА, IБ = 2 мА, не более:
		1,1 В
Обратный ток коллектора, не более:
при UКБ = 15 В	КТ358А, КТ358В	10 мкА
при UКБ = 30 В	КТ358Б	10 мкА
Обратный ток эмиттера при UЭБ = 4 В, не более:
		10 мкА

Предельные
эксплуатационные данные:

Постоянное напряжение коллектор — база:
	КТ358А, КТ358В	15 В
КТ358Б	45 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при RБЭ <= 100 Ом:
	КТ358А, КТ358В	15 В
КТ358Б	30 В
Постоянное напряжение эмиттер — база:
		4 В
Постоянный ток коллектора:
		30 мА
Импульсный ток коллектора:
		60 мА
Постоянная рассеиваемая мощность:
		100 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность:
		200 мВт
Тепловое сопротивление переход — среда:
		0,7 К/Вт = (0,7 С/Вт)
Температура p-n перехода:
		393 К = (120 С)
Температура окружающей среды:
		от 233 К до 358 К (-40…+85 С)
Примечание: Разрешается трехкратный изгиб выводов на расстоянии не менее 3 мм от корпуса с радиусом закругления е менее 1 мм. При изгибе выводов должна быть обеспечена неподвижность выводов на участке от корпуса до места изгиба исключена возможность передачи усилия на место присоединения вывода к корпусу, нарушения конструкции и герметичности транзистора. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от пластмассового корпуса транзистора. Пайку производить в течение не более 10 с (температура пайки не должна превышать 523 К), приняв меры, исключающие возможность перегрева транзисторов.

Возврат к оглавлению
справочникаНа Главную страницу
www.5v.ru

Технические характеристики

Транзисторы КТ361 распределены по параметрам группам усиления и отличаются между собой преимущественно такими основными характеристиками: максимальное постоянное напряжения между выводами К-Э, К-Б (при R_БЭ=10 кОм) от 20 до 50 В; статическим коэффициентом передачи тока (H_21Э) от 20 до 350. При этом разброс возможного H_21Э, даже в одинаково промаркированных устройствах, может значительно варьироваться. У них также разные напряжения между К-Э от 10 до 60 В, при обратном токе К-Э не более 1 мА. Другие значения параметров похожие и являются типовыми для всего семейства.

Предельно допустимые

Рассмотрим предельно допустимые параметры, характерные для серии КТ361:

• напряжение между выводами Б-Э до 4В;
• ток коллектора до 50мА;
• мощность рассеивания: 150мВт, если Т>+100оС до 30мВт;
• температуры: кристалла до 120 оС; окружающей среды – 60…+100 оС;
• статический потенциал до 200 В.

При повышении нагрева устройства свыше +100 оС отдельные параметры ухудшаются. Особенно это сильно влияет на мощность рассеивания.

Типовые электрические

К типовым электрическим параметрам у КТ361 относятся:

• граничная частота по H_21Э (если U_KЭ=10 В и I_Э=5 мА) более 250 МГц;
• обратные токи: между К-Э (при R_БЭ=10 кОм и максимальном U_KЭ) до 1 мкА; коллектора (при U_KБ=10В) до 1 мкА;
• возможная емкость перехода на коллекторе-7..9 пФ;
• статический коэффициент усиления H_{21Э от 20 до 350.}

Исходя из вышесказанного, КТ361 можно отнести к высокочастотным полупроводниковым триодам p-n-p-структуры малой мощности. В таблице представлены основные значения наиболее распространенных его групп.

Особенности работы

Из-за специфичной эпитаксиально-планарной технологии изготовления, КТ361 получился не столь хорош, как его «старший брат» КТ315. К основным его недостаткам можно отнести:

• большой разброс значений H_21Э;
• в два раза меньший предельно допустимый коллекторный ток;
• внезапно появляющиеся/пропадающие шумы.

Вместе эти транзисторы выгодней использовать при I_К в районе 20…30 мА, в этот момент H_21Э у них самый высокий. Но при одинаковых условиях и режимах эксплуатации КТ 361 выходит из строя быстрее. Как следствие альтернативу ему приходится искать чаще. Но многое зависит от схемы и её назначения.

Аналоги

Импортные аналоги для кт361 обычно подбирают из следующих устройств: BC556, 2N3905, BC557, BC308A, BC327, SS9012, 2N3906, Из отечественных в качестве замены можно рассмотреть: КТ3107, КТ502. В SMD-корпусе импортные ВС857, ВС858 и российский или белорусский КТ3129.

Маркировка

Первоначальная кодовая маркировка пластиковой упаковки КТ-13 состояла всего из одного символа, размещенного прямо по центру. Она могла запутать многих радиолюбителей, так как в начальный период производства (с 1967 г.) уже были похожие изделия в аналогичном исполнении, но с другими параметрами.

Поэтому с 1971г. обозначение группы коэффициента усиления по току у КТ361, состоящее всего из одной буквы, стали наносить посередине корпуса. Чуть ниже — дату выпуска. Данный транзистор легко отличить от КТ315, групповая принадлежность которого указана в левом верхнем углу на пластике. Таким образом, производители продолжают делать и сейчас.

Транзисторы в корпусе КТ-26 имеют полную цифро-буквенную маркировку и их идентификация обычно не вызывает трудностей.

Электрические характеристики, при Та=25°C

Обозн.	Параметр	Режим изм.	Мин.	Макс.	Ед. изм
Iкэr	Обратный ток коллектор-эмиттер	Uкэ = Uкэ max при Rэб =∞		10	мA
Iкэr	Обратный ток коллектор-эмиттер	Uкэ = Uкэ max при Rэб= 100 Ом		10	мА
Iкбо	Обратный ток коллектор-база	Uкб = Uкб max		0,15	мA
Iэбо	Обратный ток эмиттера	Uэб =15 В Uэб =5 В			мА
КТ837А — К		0,3
КТ837 Л — Ф		0,3
h21э	Стат. коэффициент передачи тока	Uкэ =5 B, Iк =2A
КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т	10	40
КТ837Б, М, Д, Р, И, У	20	80
КТ837В, Н, Е, С, К, Ф	40	150
Uкэ нас	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер				В
КТ837А — В, Л — Н	Iк= 3 A, Iб= 0,37 A	2,5
КТ837Г — Е, П — С	Iк= 3 A, Iб= 0,37 A	0,9
КТ837Ж — К, Т — Ф	Iк= 2 А, Iб= 0,3 A	0,5
Uбэ нас	Напряжение насыщения база-эмиттер	Iк= 2 A, Iб=0,5 A		1,5	В

Технические характеристики

В первую очередь возможности транзистора зависят от предельно допустимых характеристик. Их превышение во время работы приведет к выходу устройства из строя. Для КТ837 они равны:

• постоянное напряжение К-Б:
  • КТ837А, Б, В, Л, М, Н, 2Т837А, Г – 80 А;
  • КТ837Г, Д, Е, П, Р, С, 2Т837Б, Д – 60 В;
  • КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф, 2Т837В, Е – 45 В;
• постоянное напряжение К-Э (R_ЭБ = 100 Ом):
  • КТ837А, Б, В, Л, М, Н, 2Т837А, Г – 70 А;
  • КТ837Г, Д, Е, П, Р, С, 2Т837Б, Д – 55 В;
  • КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф, 2Т837В, Е – 40 В;
• постоянное напряжение К-Э (R_ЭБ = ∞ Ом):
  • КТ837А, Б, В, Л, М, Н – 60 А;
  • КТ837Г, Д, Е, П, Р, С – 45 В;
  • КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф – 30 В;
• постоянное напряжение Э-Б:
  • КТ837А-К, 2Т837А-В – 15 В;
  • КТ837Л-Ф, 2Т837Г-Е – 5 В;
• коллекторный ток:
  • КТ837А-Ф – 7,5 А;
  • 2Т837А-Е – 8 А;
  • ток базы – 1 А;
• мощность:
  • без теплоотвода – 1 Вт;
  • с теплоотводом – 30 Вт.

Кроме максимальных на возможности и сферу применения КТ837 влияют также и электрические характеристики. Они измерялись при температуре +25°С. Остальные параметры тестирования, способные повлиять на конечный результат, приведены в следующей таблице в отдельной колонке.

Электрические характеристики транзистора КТ837 (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы тестирования	Тр-р	min	max	Ед. изм
Статический к-т усиления в схеме ОЭ	UКБ = 5 В, IЭ = 2 мА	КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т	10	40
КТ837Б, М, Д, Р, И, У	20	80
КТ837В, Н, Е, С, К, Ф	50	150
Обратный ток К-Э	UКЭ = UКЭ макс	ВСЕ		10	мА
Обратный ток К-Б	UКб = UКб макс	ВСЕ		0,15	мА
Обратный ток через Э	UЭБ = 15 В	КТ837А-Г		0,3	мкА
UЭБ = 5 В	КТ837Л-Ф		0,3
Напряжение насыщения К-Э	Iк= 3 A, Iб= 0,37 A	КТ837А-В, Л-Н		2,5	В
Iк= 3 A, Iб= 0,37 A	КТ837Г-Е, П-С		0,9
Iк= 2 A, Iб= 0,3 A	КТ837Ж-К, Т-Ф		0,5
Напряжение насыщения Б-Э	Iк= 2 A, Iб= 0,5 A	ВСЕ		1,5	В

Основные графические зависимости

Зависимость тока базы (I_Б) от напряжения база-эмиттер (U_БЭ).

Зависимость статического коэффициента передачи тока (h_21э) от напряжения коллектор-эмиттер (U_КЭ).

Зависимость статического коэффициента передачи тока (h_21э) от напряжения коллектор-эмиттер (I_К).

Области максимально допустимых режимов работы: ток коллектора (I_К) от напряжения коллектор-эмиттер (U_КЭ).

Зависимость тока коллектора (I_К) модификаций транзистора КТ837 от напряжения коллектор-эмиттер (U_КЭ).

Зона возможных значений напряжения насыщения коллектор-эмиттер (U_{кэ нас}) от тока коллектора (I_К).

Требования к монтажу

Однократно допускается изгибать вывода транзистора. При этом: угол изгиба не должен превышать 90 градусов, расстояние до корпуса более 5 мм, радиус изгиба более 1,5 мм.

Пайку проводить при температуре не более 260 °С длительностью не более 3 сек. Перед операцией проверить заземление паяльника.

Разрешенное статическое напряжение – 500 В.

Основные технические характеристики транзисторов КТ819

Тип	Предельные параметры	Параметры при T = 25°C	RТ п-к, °C/Вт	Корп.
IК, max, А	IК и, max, А	UЭБ0 max, В при T = 25°C	PК max, Вт	Tп max, °C	TК max, °C	UКЭ (UКБ), В	IК (IЭ), А	UКЭ нас, В	CК, пФ	CЭ, пФ	tвыкл, мкс
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	10	15	5	60	125	100	(5)	5	2	1000		2,5	1,67	КТ-28
КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ	15	20	5	100	125	100	5	5	2	1000		2,5	1	КТ-9
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	15	20	5	100	150	125	(5)	5		1000		2,5	1,25	КТ-9
2Т819А2, 2Т819Б2, 2Т819В2	15	20	5	40	150	100	(5)	(5)		700	2000	1,2	3,13	КТ-28

Где:

• I_Кmax — максимальный ток коллектора;
• I_{К и.}max — максимальный импульсный ток коллектора;
• P_кmax — максимальная мощность коллектора без радиатора;
• U_кэо — максимальное напряжение коллектор-эмиттер;
• I_кбо = 1 мА — обратный ток коллектора;
• f_гр. = 3 МГц — максимальная рабочая частота в схемах с общим эмиттером.

В следующей таблице представлена зависимость максимально допустимого (импульсного) напряжения коллектор-эмиттер от типа транзистора КТ819:

Тип	UКЭ0 гр, В
КТ819А, КТ819АМ	25
КТ819Б, КТ819БМ, 2Т819В, 2Т819В2	40
КТ819В, КТ819ВМ, 2Т819Б, 2Т819Б2	60
КТ819Г, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819А2	80

И ещё один немаловажный параметр минимальный статический коэффициент передачи тока КТ819:

Тип	h21Э
КТ819Г, КТ819ГМ	12
КТ819А, КТ819АМ, КТ819В, КТ819ВМ	15
КТ819Б, КТ819БМ, 2Т819А, 2Т819А2, 2Т819Б, 2Т819Б2, 2Т819В, 2Т819В2	20

Схемы включения

На КТ837 можно построить несложный усилитель звуковой частоты со следующими параметрами:

• Мощность – 30 Вт / 4 Ом (15 Вт / 8 Ом);
• К-т гармоник – 0,01%;
• Входное сопротивление – 47 кОм;
• Выходное сопротивление – 0,03 Ом;
• Уровень шума – -86 дБ.

В этом усилителе используются керамические конденсаторы, рассчитанные на напряжение 50 В. Существует два варианта крепления платы.

Во-первых, на теплоотводе транзисторов VT5 и VT6, используя для этого стойки высотой от 15 до 20 мм.

Во-вторых, рядом с теплоотводом оконечного каскада. В этом случае для соединения используется разъем МРН-22, который будет обеспечивать контакт в точках, обозначенных на схеме цифрами от 1 до 5. Для предотвращения перегорания транзистора, при потере контакта в вилке, требуется увеличить сопротивление резисторов R12 и R13 до 43-47 Ом, а по другую сторону розетки установить R121 и R131 (на схеме нарисованы штриховыми линиями) того же номинала (43-47 Ом). Длина проводов, соединяющих плату и транзисторы не должна быть больше 10 см.

Вместо указанного операционного усилителя можно установить К140УД6Б, К140УД7А, К544УД1А, но к-т гармоник при этом возрастёт до 0,3%.

Транзисторы VT3 и VT4 устанавливают на теплоотводе, сделанном из алюминиевой пластины размером 70х35х3 мм.

Закрепить VT5 и VT6 можно двумя способами.

Первый способ – на общем для каждого канала усилителя теплоотводе. Транзистор VT5 крепится там же где и VT3, а VT6 вместе с VT4. В этом случае теплоотвод нужно изолировать от корпуса УНЧ. В этом случае можно использовать транзисторы в пластмассовом корпусе.

Второй способ – на теплоотводе общем для обеих транзисторов оконечного каскада. В этом случае нужно изолировать транзистор с помощью слюдяных прокладок и использовать термопасту для улучшения теплоотдачи. В этом случае рекомендуется устанавливать устройства в металлическом корпусе.

Основные параметры

Транзисторы серии КТ837 подразделяют на 19 типов (от А до Х). У всей линейки одинаковая заявленной рассеиваемая мощность 30 Вт (при использовании теплоотвода) и ток коллектора 7,5 А (у белорусского до 10 А). По остальным параметрам они отличаются между собой, в основном величиной максимального напряжению между выводами и коэффициентом усиления по току (разброс по h_21Э  от 10 до 150).

Ниже представлены все возможные типы транзистора КТ837 и их основные технические характеристики. Значения указаны для температуры окружающей среды не более +25 oС.

Как видно из представленной таблицы параметров, данные устройства не могут похвастаться способностью работать при высоких температурах, характерных для большинства современных аналогов. Так, максимальный нагрев корпуса (Т_К) у них не должен превышать  +100 oС, а перехода (Т_П) +125oС. Граничная частота коэффициента передачи тока (F гр.) иногда больше 1 МГц, в новых партиях может достигать 5 МГц.

Коэффициент h_21Э

К сожалению, разброс значений коэффициента усиления по току h_21Э (он же H_FE в зарубежной литературе) у серии КТ837 очень высокий — это один из главных её минусов. При этом, данный параметр может плавать в разных партиях как в большую, так и в меньшую сторону. Например, у некоторых транзисторов h_21Э по даташит составляет 150_,  а при замерах в реальной жизни — в два, а то и в три раза хуже заявленного и не превышать 50.

Чтобы избежать сюрпризов в работе уже купленного транзистора, необходимо предварительно проверять соответствие значения h21Э с данными из даташит. Это можно сделать обычным мультиметром. Также заранее необходимо определится с его ролью в проекте. Устройства с буквами «В», «E»,  «Н» в конце маркировки, лучше подходят для усиления — они имеют h21Э от 50 до 150 и большой запас по возможному напряжению между выводами коллектор-эммттер

Для коммутационных схем лучше обратить внимание на устройства с меньшим h21Э  и напряжением насыщения

Наиболее универсальными в линейке являются транзисторы КТ837Ф. Как видно из таблицы параметров, они обладают довольно низким напряжением насыщения (U_КЭ.нас. до 0,5 В), небольшим для этого током базы (I_КБO до 0,15 мА)  и высоким  h_21Э (от 50 до 150). Они хорошо подходят как для усиливающих, так и для переключений схем.

Меры безопасности

Для стабильной работы любого полупроводникового устройства необходимо правильно рассчитать его обвязку и добиться соблюдения режимов эксплуатации. Производители обычно рекомендуют отнимать от заявленных в даташит значений параметров 20-30%. Чтобы транзистор меньше грелся дополнительно предусматривают установку его на радиатор.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для рассматриваемого устройства является серия с NPN-структурой КТ805. Её долгие годы производили «без пары» и поэтому не указывали данной информации в технических справочниках. Позже для него начали производить комплементарник — КТ837 PNP-структуры. Очень часто эта парочка встречалась в выходных каскадах УНЧ. В советские годы их применяли в активной акустике вроде «Радиотехник S70», блоках УНЧ-50-8 усилителей «Радиотехника У7101 СТЕРЕО», «Радиотехника У101 СТЕРЕО».

Аналоги

Для транзистора КТ837 довольно сложно найти аналог. В большинстве случаев, при поиске ему альтернативы можно найти рекомендации по замене на уже снятые с производства транзисторы. Поэтому многие радиолюбители предпочитают не заморачиваться и меняют на оригинальный. В российских магазинах радиотоваров найти его не сложно. Тем не менее, для некоторых транзисторов этой серии можно рассмотреть следующие варианты замены:

• КТ837А, КТ837Г – BD244A, TIP42C;
• КТ837Б — BD302, KT818Б;
• КТ837В — КТ835Б, 2SB834;
• КТ837Д — 2N6111;
• КТ837C — 2N6108, 2N6109, BD225;
• КТ837Е — BD277;
• КТ837К — TIP127, КТ8115А;
• КТ837Н — 2N6107, BD223;
• КТ837Ф — 2N6106, BD224;
• КТ837Х — NTE197.

Габариты транзистора КТ361 и КТ361-1

Тип корпуса транзистора КТ-13. Масса одного транзистора не более 0,2 г. Величина растягивающей силы 5 Н (0,5 кгс). Минимальное расстояние места изгиба вывода от корпуса – 1 мм (на рисунке обозначено как L1). Температура пайки (235 ± 5) °С, расстояние от корпуса до места пайки 1 мм, продолжительность пайки (2 ± 0,5) с. Транзисторы должны выдерживать воздействие тепла, возникающего при температуре пайки (260 ± 5) °С в течение 4 секунд. Выводы должны сохранять паяемость в течение 12 месяцев с даты изготовления при соблюдении режимов и правил выполнения пайки, указанных в разделе «Указания по эксплуатации». Транзисторы устойчивы к воздействию спирто-бензиновой смеси (1:1), а также пожаробезопасны. Габаритные размеры транзистора КТ361 и КТ361-1 приведены на рисунке 1.

Рисунок 1 – Маркировка, цоколёвка и габаритные размеры транзистора КТ361 и КТ361-1

КТ358А…В (кремниевый транзистор, n-p-n)

Транзисторы кремниевые
эпитаксиально-планарные n-p-n
усилительные высокочастотные
маломощные.
Предназначены для применения в
усилительных и генераторных схемах
радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на
корпусе.
Масса транзистора не более 0,2 г.

Прибор	Предельные параметры	Параметры при T = 25°C	RТ п-с (RТ п-к), °C/Вт
		при T = 25°C
IК, max мА	IК и. max мА	UКЭR max (UКЭ0 max), В	UКБ0 max, В	UЭБ0 max, В	PК max, (Pmax), мВт	T, °C	Tп max, °C	Tmax, °C	h21Э (h21э)	UКБ (UКЭ), В	IЭ (IК), мА	UКЭ нас, В	IКБ0, (IКЭR), мкА	fгр (fh21), МГц	Kш, дБ	CК, пФ	CЭ, пФ	tрас, мкс
КТ358 А	30	60	15	15	4	100		120	85	10…100	(5,5)	20	0,8	10	80		5	20		700
КТ358 Б	30	60	30	30	4	(100)		120	85	25…100	(5,5)	20	0,8	10	120		5	20		700
КТ358 В	30	60	15	15	4	100		120	85	50…280	(5,5)	20	0,8	10	120		5	20		700

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ361 и КТ361-1.
Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая находится по центру корпуса транзистора. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения, станков с числовым программным управлением и бытовой электроники высшего класса, соответственно такие транзисторы были повышенной надежности и проходили дополнительные испытания при изготовлении. Пример маркировки транзистора КТ361-1 показан на рисунке 1 (в случае КТ361 цифра в маркировке отсутствует).

Следует также отметить, что транзисторы КТ315 и КТ361 были первыми массовыми транзисторами с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Транзистор КТ361 тоже маркировался одной буквой, как и КТ315, но буква располагалась по центру, а также иногда слева и справа от неё были тире. Однако транзисторы, поставляемые с отклонениями по внешнему виду и габаритным размерам, дополнительно маркировались диагональной чертой. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ361-2 и КТ361-3.
Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора. Пример маркировки транзистора КТ361-2 приведен на рисунке 2(в случае КТ361-3 на корпусе указывается цифра 3).

Предельно допустимые значения

Не допускается работа транзистора с превышением одного или нескольких значений, указанных в таблице. Нарушение требования может повредить или нарушить функционирование активного радиоэлемента: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора.

Длительная работа транзистора в области предельно допустимых значений может привести к уменьшению срока эксплуатации элемента и скорейшему выходу его из строя.

Параметры таблицы действительны для температуры окружающей среды +25°C.

Обозн.	Параметр	Знач.	Ед. изм
Uкб max	Постоянное напряжение коллектор-база		В
КТ837А, Б, В, Л, М, Н	80
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С	60
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф	45
Uкэ max	Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=∞ Ом
КТ837А, Б, В, Л, М, Н	60	В
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С	45
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф	30
Uкэ max	Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=100 Ом
КТ837А, Б, В, Л, М, Н	70	В
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С	55
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф	40
Uэб max	Постоянное напряжение эмиттер-база
КТ837А — К	15	В
КТ837Л — Ф	5
Iк max	Постоянный ток коллектора	7.5	А
Iб max	Максимально допустимый постоянный ток базы	1	А
Pк max	Пост. рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода	1	Вт
Pк max	Пост. рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом	30	Вт