Характеристики транзистора 2n3055

2n3055 vs 2n3773 vs tip3055 vs 2n3771

This below compares each of the identical transistors, such as 2n3055 vs 2n3773, 2n3055 vs 2n3773, 2n3055 vs tip3055 and 2n3055 vs 2n3771. The electrical aspects of each transistors are been compare for better understanding.

	2n3055	2n3773	Tip3055	2n3771
Collector to base voltage (VCB)	2n3055100V	2n3773100V	Tip3055100V	2n377150V
Collector to emitter voltage (VCE)(RBE= 100Ω)	2n305570V	2n3773160V	Tip305570V	2n377150V
Collector to emitter voltage (VCE) (IB = 0)	2n305560V	2n3773140V	Tip305560V	2n377140V
Emitter to base voltage (VEB)	2n30557V	2n37737V	Tip30557V	2n37715V
Collector current (IC)	2n305515A	2n377330A	Tip305515A	2n377130A
Power dissipation	2n3055115W	2n3773150W	Tip305590W	2n3771150W
Junction temperature (TJ)	2n3055200°C	2n3773200°C	Tip3055150°C	2n3771200°C
Transition frequency (FT)	2n30552.5MHZ	2n37734MHZ	Tip30552.5MHZ	2n37710.2MHz
Noise (N)	2n3055–	2n3773–	Tip3055–	2n3771–
Gain (hFE)	2n305520 to 70hFE	2n37735 to 60hFE	Tip30555 to 70hFE	2n377115 to 60hFE
Package	2n3055TO-3	2n3773TO-3	Tip3055TO-247	2n3771TO-3

2n3055 transistor uses

• Power switching applications
• Amplifier circuits
• Regulator circuits
• Inverter and ups circuits
• SMPS
• PWM circuits
• Signal amplifier circuits

Как проверить полевой транзистор

У полевых транзисторов выводы называются сток (С), исток (И) и затвор (З). Несмотря на то, что физика работы отличается от биполярного, при проверке на исправность также можно использовать диодный эквивалент схемы.

Схема проверки полевого транзистора p-типа аналогична испытанию с p-n-p. Перед проверкой необходимо соединить все выводы для разряда емкостей переходов. Сопротивление при подключении щупов к парам выводов «С, З» и «И, З» должно показываться только в одном из направлений. Подсоединяем черный щуп к выводу «С», а красный к вывод «И». Величину показанного сопротивления (400-700 Ом)нужно запомнить. После этого на секундочку соединяем красный провод с затвором, тем самым открывая переход. После этого замеряем сопротивление перехода. Его уменьшение говорит о том, что транзистор частично открылся. Теперь так же соединяем черный провод с выводом «З» и закрываем переход. Восстановление первоначального значения сопротивления перехода свидетельствует об исправности радиодетали. Отличие проверки полевика n-типа заключается только в перемене полярности подключения щупов прибора.

При тестировании полевых транзисторов с изолированным затвором проверяется отсутствие проводимости между затвором и истоком. Потом объединяем исток с затвором. Двухсторонняя проводимость появится у транзистора обедненного типа. У деталей обогащенного типа проводимость будет односторонняя.

Историческая справка

История этого популярного полупроводникового прибора хорошо известна. Первоначально он был разработан в 60-хх компанией RCA (инженерами из группы Херба Мейзеля) и производился по меза-планарному техпроцессу. Предназначался для работы в усилителях мощности. В последующем стал применяться в стабилизаторах и регуляторах напряжения в блоках питания. С середины 70-xx, вместе с поиском более экономичного способа производства, его начали изготавливать по эпитаксиальной технологии. Неплохие усиливающие свойства, их линейность при этом, cделали устройство незаменимым спутником многих УНЧ того времени.

К сожалению RCA в 1988 г. прекратило существование. Её полупроводниковый бизнес приобрела американская Harris Corporation. Сейчас транзисторы с маркировкой 2N 3055 выпускают многие зарубежные компании, в том числе с применением экологичных без свинцовых (Pb-Free) стандартов. Считается, что более новые экземпляры (выпущенные по эпитаксиальной технологии) лучше работают в схемах усиления, но хуже защищены от высоких напряжений.

Вместе тем, в последнее время качество изготовления таких транзисторов сильно упало, особенно с появлением китайских конкурентов. Кроме того, появились случаи их подделки. Маловероятно купить оригинальный экземпляр на интернет-площадках вроде Aliexpress, Amazon, eBay, и др. Поэтому многие радиолюбители предпочитают его старые версии, выпущенные преимущественно до 2000 г.

История [ править ]

RCA 2N3055.

Исторически значимый 2N3055 был разработан инженерной группой Херба Мейзеля совместно с RCA; это был первый кремниевый силовой транзистор с несколькими усилителями, который продавался менее чем за доллар, и стал отраслевым стандартом для рабочих лошадок. 2N3054 и 2N3055 были производными от 2N1486 и 2N1490 после модификации пакета Милтом Граймсом. Команда проектирования, производства и приложений инженеры получили RCA электронные компоненты достижение награды в 1965 году 2N3055 остается очень популярным , как ряд частот транзистора в линейных источников питания и все еще используется в течение среднего тока и высокой мощности цепей в целом, в том числе низкочастотные преобразователи мощности, хотя они используются в усилителях мощности звука иПреобразователи постоянного тока в переменный сейчас менее распространены, и их использование в высокочастотных импульсных приложениях никогда не было очень практичным. Его вторые поставили другие производители; Компания Texas Instruments перечислила мезоверсию устройства с однократным диффузором в таблице данных за август 1967 года. Одним из ограничений было то, что его частотная характеристика была довольно низкой (обычно частота с единичным усилением или частота перехода, f _T, было 1 МГц). Хотя этого было достаточно для большинства низкочастотных «рабочих лошадок» и, как и для других мощных транзисторов примерно в 1970 году, это действительно создавало некоторые трудности при разработке высококачественных усилителей мощности около 20 кГц, поскольку коэффициент усиления начинает падать и сдвиг фазы увеличивается.

Середина 1970-х править

С изменениями в технологии производства полупроводников первоначальный процесс стал экономически неконкурентоспособным в середине 1970-х, и подобное устройство было создано с использованием эпитаксиальной базовой технологии. Максимальные номинальные значения напряжения и тока этого устройства такие же, как и у оригинала, но оно не так защищено от вторичного пробоя ; мощность (безопасная рабочая зона) ограничена при высоком напряжении до более низкого тока, чем у оригинала. Однако частота среза выше, что позволяет более новому типу 2N3055 быть более эффективным на более высоких частотах. Кроме того, более высокая частотная характеристика улучшает производительность при использовании в усилителях звука.

Хотя исходный 2N3055 пришел в упадок по сравнению с транзисторами с эпитаксиальной базой из-за высоких производственных затрат, версия с эпитаксиальной базой продолжала использоваться как в линейных усилителях, так и в импульсных источниках питания.
Несколько версий 2N3055 все еще находятся в производстве; он используется в усилителях мощности звука, дающих до 40 Вт на нагрузке 8 Ом
в двухтактной выходной конфигурации.

Возвращаемся к подделкам

Транзистор 2N3055 конструктивно в корпусе ТО- 3 при температуре окр. среды плюс двадцать пять градусов способен рассеивать мощность равную 115W (Total Dissipation). Но не в моем случае. Эксперименты показали, что поддельные транзисторы благополучно выходили из строя с характерным щелчком при превышении тока коллектора на 3,5 Ампер, напряжении 12 Вольт и мощностью 42 Ватта.

Решил вскрыть корпуса поддельных транзисторов:

На фотографиях видно отсутствие медной подложки под кристаллом транзистора, сам кристалл припаян к стальному корпусу ТО — 3, следовательно кристалл транзистора плохо будет передавать тепло из — за стального основания. Малое сечение токоведущего провода эмиттера не способно передать ток 15Ампер.

На форумах люди писали предположения, что именно из — за отсутствия медной подложки они выходят из строя. Решил проверить данные предположения, выпаял кристалл из корпуса ТО — 3 и припаял кристалл на корпус(медную подложку) ТО — 220, провел заново испытания с теми же условия, которые были ранее, транзистор отказался работать с током коллектора 3,5 Ампера и выходил из строя. Предположения людей — форумчан оказались не действительны. Скорее всего в поддельных транзисторах распаяны кристаллы от транзисторов TIP31 у которых, как раз максимальный ток коллектора равен 3 Амперам, а мощность 40 Ваттам.

Вот такой интересный эксперимент. Радиолюбители будьте внимательны и не попадайтесь на подделки.

TIP3055 Datasheet (PDF)

1.1. tip3055r.pdf Size:104K _motorola

Order this document MOTOROLA by TIP3055/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN TIP3055 Complementary Silicon Power PNP TIP2955 Transistors . . . designed for general�purpose switching and amplifier applications. � DC Current Gain � hFE = 20�70 @ IC = 4.0 Adc 15 AMPERE � Collector�Emitter Saturation Voltage � VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc IIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIII POWER TRANSISTO

TIP2955 TIP3055 Complementary power transistors Features � Low collector-emitter saturation voltage � Complementary NPN — PNP transistors Applications � General purpose � Audio Amplifier 3 2 1 Description TO-247 The devices are manufactured in epitaxial-base planar technology and are suitable for audio, power linear and switching applications. Figure 1. Internal schematic diagr

TIP3055 (NPN), TIP2955 (PNP) Complementary Silicon Power Transistors Designed for general-purpose switching and amplifier applications. http://onsemi.com Features � DC Current Gain — 15 AMPERE hFE = 20 — 70 @ IC POWER TRANSISTORS = 4.0 Adc COMPLEMENTARY SILICON � Collector-Emitter Saturation Voltage — 60 VOLTS, 90 WATTS VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc � Excellent Safe

1.4. tip3055.pdf Size:82K _bourns

TIP3055 NPN SILICON POWER TRANSISTOR ? Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGE TIP2955 Series (TOP VIEW) ? 90 W at 25�C Case Temperature B 1 ? 15 A Continuous Collector Current C 2 ? Customer-Specified Selections Available 3 E Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. MDTRAAA absolute maximum ratings at 25�C case temperature (unless otherwise noted) RAT

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company POWER TRANSISTORS TIP2955F PNP TIP3055F NPN TO- 3P Fully Isolated Plastic Package B C E Designed for General Purpose Switching and Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector-Emitter Voltage VCEO 60 V Collector-Emitter Voltage VCER 70 V Collector-Bas

1.7. tip3055.pdf Size:142K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION Ў¤ With TO-3PN package Ў¤ Complement to type TIP2955 Ў¤ 90 W at 25°C case temperature Ў¤ 15 A continuous collector current APPLICATIONS Ў¤ Designed for general­purpose switching and amplifier applications. PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION TIP3

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Описание

NPN 70V, 15A, 90W (Comp. TIP2955)

Биполярный транзистор, NPN, 70 В, 15 А, 90 Вт

Транзистор 2N3055 – мощный биполярный транзистор n-p-n типа, который может быть использован в различных устройствах: в источниках питания, в аудио усилителях, в схемах переключения и т.д. В данной статье приведены его подробные электрические характеристики в соответствии с документацией производителя «ON Semiconductor».

Ссылки [ править ]

1. ^ a b c d e Эллис, Дж. Осадчий ВС; Zarlink Semiconductor (ноябрь 2001 г.). «2N3055: история болезни». Транзакции IEEE на электронных устройствах . 48 (11): 2477–2484. DOI : 10.1109 / 16.960371 .
2. ^ Дир, SM (2000) . «Глава 2.2: Спецификации и тестирование BJT» . Электронные компоненты и материалы: принципы, производство и обслуживание (пятое переиздание, 2007 г.). Индия: Tata McGraw-Hill Publishing Company Limited . п. 145. ISBN 0-07-463082-2. ISBN 978-0-07-463082-2 . 
3. ^ П. Горовиц; У. Хилл (2001). Искусство электроники (2-е изд.). Издательство Кембриджского университета. п. 321. ISBN. 978-0-521-37095-0. неизменно популярный 2N3055
4. ^ Гордон МакКомб (2001). Золотое дно роботов-строителей (2-е изд.). McGraw-Hill Professional. п. 261. ISBN. 978-0-07-136296-2. Для высокопроизводительных работ почти повсеместно используется NPN-транзистор 2N3055.
5. ^ Рудольф Ф. Граф; Уильям Шитс (2001). Создавайте собственные маломощные передатчики: проекты для экспериментатора электроники . Newnes. п. 14. ISBN 978-0-7506-7244-3. Например, устройства 2N2222, 2N2905 и 2N3055, которые относятся к 1960-м годам, но были усовершенствованы, по-прежнему используются в новых конструкциях и по-прежнему популярны среди экспериментаторов.
6. ^ a b c «2N3055 (NPN), MJ2955 (PNP): дополнительные кремниевые силовые транзисторы (6-я редакция)» . О полупроводнике . Полупроводниковые компоненты. Декабрь 2005 . Проверено 25 марта 2011 .
7. ^ Рор, Билл. «Рекомендации по монтажу силовых полупроводников» . ON Semiconductor . Проверено 31 октября 2016 года .
8. ^ Эллиотт, Род. «Конструкция радиатора и установка транзистора» .
9. ^ Бьяджи, Юбер. «МОНТАЖ ПАКЕТОВ ТО-3» . Берр-Браун . Проверено 31 октября 2016 года .
10. ^ Уорд, Джек (2001). «Устная история — Херб Майзель» . п. 3 . Проверено 7 ноября +2016 .
11. ^ Книга данных Power Semiconductor для инженеров-проектировщиков Первое издание , Texas Instruments Incorporated, публикация No. CC-404 70977-22-IS, без даты, стр. 5-75
12. ^ Группа IOSS (2008). Справочник по электронным аудиосхемам приложений IOSS . 1 . п. 52–53. ISBN 1-4404-7195-9. Проверено 25 марта 2011 .
13. ^ http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet/CD00000895.pdf
14. ^ Устройства питания RCA . RCA Corporation. 1977 г.
15. ^ «Транзисторы Тесла: таблица транзисторов Тесла» . Транзисторы Тесла . Тесла. 1980 . Проверено 15 декабря 2015 .

Аналоги

Тип	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Ic	Tj	Ft	Hfe	Корпус
2N3055	117 W	100 V	70 V	7 V	15 A	200 °C	0,2 MHz	20	TO3
2N5630	200 W	120 V	120 V	7 V	20 A	200 °C	1 MHz	20	TO3
2N5671	140 W	120 V	90 V	7 V	30 A	200 °C	50 MHz	20	TO3
2N6678	175 W	650 V	400 V	8 V	15 A		3 MHz	от 8	TO3
2N6254	150 W	100 V	90 V	7 V	15 A	200 °C	0,8 MHz	20	TO3
2N6322	200 W	300 V	200 V		30 A	200 °C		40	TO3
2SC6011	160 W	200 V	200 V		15 A		20 MHz	50	TO3P
BDY58	175 W	160 V	125 V	10 V	25 A	200 °C	10 MHz	20	TO3
BDY77	150 W	150 V	120 V	7 V	16 A	200 °C	0,8 MHz	40	TO3
BD130	100 W	100 V	60 V		15 A		1 MHz	20…70	TO3
BUR52	350 W	350 V	250 V	10 V	60 A	200 °C	10 MHz	20	TO3
BUS13	175 W	850 V	400 V	9 V	15 A	200 °C		30	TO3
BUS14	250 W	850 V	400 V	9 V	30 A	200 °C		30	TO3
BUS52	350 W	350 V	200 V		40 A	200 °C		20	TO3
BUV12	150 W	300 V	250 V	7 V	20 A	200 °C	8 MHz	20	TO3
BUV21	150 W	250 V	200 V	7 V	40 A	200 °C	8 MHz	20	TO3
BUX10	150 W	160 V	125 V	7 V	25 A	200 °C	8 MHz	20	TO3
BUX48	175 W	800 V	400 V	7 V	15 A			от 8	TO3
BUX48A	175 W	1000 V	450 V	7 V	15 A	200 °C		30	TO3
BUX92	300 W	500 V	500 V		60 A	200 °C	5 MHz	30	TO3
MJ10005	175 W	500 V	400 V	8 V	20 A	200 °C		40	TO3
MJ10016	250 W	700 V	500 V	8 V	60 A	200 °C		25	TO3
MJ10022	250 W	450 V	350 V	8 V	40 A	200 °C		50	TO3
MJ10023	250 W	600 V	400 V	8 V	40 A	200 °C		50	TO3
MJ15026	250 W	200 V	250 V	7 V	16 A	200 °C	4 MHz	25	TO3
MJL21194	200 W		250 V		16 A		4 MHz	25	TO3PBL TO264
MJL21196	200 W		250 V		16 A		4 MHz	25	TO3PBL TO264
MJL3281A	200 W		260 V		15 A		30 MHz	75	TO3PBL TO264
MJL4281A	230 W		350 V		15 A		35 MHz	80	TO3PBL TO264
MJ15015	180 W	200 V	120 V	7 V	15 A		1 MHz	20…70	TO3
MJ15015G	180 W	200 V	120 V	7 V	15 A		1 MHz	20…70	TO3
MJ12022	175 W	850 V	450 V	6 V	15 A		15 MHz	от 5	TO3
NJW0302	150 W		250 V		15 A		30 MHz	75	TO3P
NJW1302	200 W		250 V		15 A		30 MHz	75	TO3P
NJW21194	200 W		250 V		15 A		4 MHz	20	TO3P
SK3260	150 W	160 V	140 V	7 V	30 A	200 °C	0,8 MHz	75	TO3
SM1258	250 W		400 V		50 A	200 °C	20 MHz	20	TO3

В качестве отечественного производителя могут подойти транзисторы 2Т808А, КТ819ГМ.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Connecting 2N3055 Transistors in Parallel

Paralleling 2N3055 Transistors

Connecting two or more 2n3055 transistors in parallel is very easy; just join their collectors and the emitters together to produce a common terminal from the collector joint and a common terminal from the emitter joint. The base of each transistor must also be made common by joining, however each base terminal must incorporate the respective resistors (usually of identical calculated values) and the free terminal of the resistors must be joined to produce a common base connection point (refer the diagram).

Since the body of the device forms the collector, the respective connections must be acquired from the body fitting screws of the transistors.

Что такое транзистор? Основные типы

Транзистором назван полупроводниковый радиоэлектронный компонент для преобразования тока в усилительном, когда большой выходной сигнал меняется пропорционально малому входному, или ключевом, когда транзистор полностью открыт или закрыт в зависимости от наличия входного сигнала, режимах. Применительно к технологии изготовления можно разделить на биполярные и полевые радиоэлементы. Биполярные компоненты бывают прямой (p-n-p) либо обратной (n-p-n) проводимости. Приборы полевые могут быть n-типа или p-типа, с изолированным или встроенным каналом.

Проверка исправности конкретного транзистора требует некоторых познаний в электронике. Достаточно просто прозвонить выводы транзистора как электрическую цепь, чтобы убедиться, что транзистор исправен. Щуп с черным проводом подключается на вход COM прибора. К входу измерения сопротивления подключен красный провод.

Electronic Installation

The query regarding how to install 2N3005 would include either mechanical or electronic installations procedures, we’ll discuss both of them here.

Installing or fitting 2N3055 over a heatsink: As we all know a heatsink which is meant for absorbing heat from the device, so it needs to be a very good conductor of heat and yet cheap. Aluminum is the best material used for the purpose and a conventionally accepted material as heatsinks for electronic devices. The installation of the 2N3055 would involve the following steps:

Procure from the market or fabricate the heatsink plate as per the specifications.

Drill holes as per the dimensions of the transistor leads and fixing holes, as shown in the diagram.

Apply and spread some heatsink paste over the lead side flat surface of 2N3055.

Place the component over the drilled surface so that the leads pass through the drillings appropriately, the fitting holes coincide with the drilled holes and the surfaces “stick” snugly with the heatsink paste getting tightly sandwiched between the device and the metal.

Now it’s just a matter of securing the device by nuts and screws across the concurrent holes and tightening them as firmly as possible.

Make sure the protruding leads clear pass through the center of the drillings, and is kept well aloof from the heatsink metal.

If two devices need to be fixed over a common heatsink, then make sure the heatsink mica kit is used while doing the above operations. However if their collectors (body) are in parallel then they can be directly fixed over a common heatsink metal without using mica protective insulations.

2n3055 transistor Description

• The 2n3055 transistor is a medium power transistor device and due to this reason, they had wide applications in power electronics.
• The peak current gain on the 2n3055 transistor is 20 to 70hFE, and this is an important value at amplifier circuits.
• The maximum collector current at 2n3055 transistor is 15A, which means the maximum load current allowed on this transistor, the current indicate it is a power transistor.
• The peak base current of this transistor is 7A, the maximum allowable bias voltage on the trigger terminal.
• The power dissipation on the transistor is 115W, this particular value indicates the power dissipation at this transistor device.
• The transition frequency on this transistor is 2.5MHZ, it is an important factor in transistor switching applications.
• The maximum junction temperature on the 2n3055 transistor is 200°C.

Как проверить транзистор без мультиметра

Проверка транзистора без использования мультиметра возможна не всегда. Применение при измерениях лампочек и источников питания может с высокой вероятностью вывести из строя проверяемый элемент.

Проверка транзистора биполярного типа может быть сделана простейшей контролькой из батарейки 4,5 В, «минус» которой соединен с лампочкой от карманного фонаря. Попарно подключаете «плюс» и второй контакт лампы к выводам. Если при подключении в любой полярности к паре «К-Э» лампа не загорается — переход исправен. Подключить через ограничительный резистор «плюс» на «Б». Лампу поочередно соединяем с выводами «Э» или «К» и проверяем эти переходы. Чтобы протестировать транзистор другой структуры, изменяем полярность подключения.

Эффективно использовать для проверки транзисторов приборы, сделанные своими руками и схемы которых достаточно доступны.

NPN и PNP транзисторы

Биполярный транзистор состоит из двух PN-переходов. Существуют два вида биполярных транзисторов: PNP-транзистор и NPN-транзистор.

На рисунке ниже структурная схема PNP-транзистора:

Схематическое обозначение PNP-транзистора в схеме выглядит так:

где Э – это эмиттер, Б – база, К – коллектор.

Существует также другая разновидность биполярного транзистора: NPN транзистор. Здесь уже материал P заключен между двумя материалами N.

Вот его схематическое изображение на схемах

Так как диод состоит из одного PN-перехода, а транзистор из двух, то значит можно представить транзистор, как два диода! Эврика!

Теперь же мы с вами можем проверить транзистор, проверяя эти два диода, из которых, грубо говоря, состоит транзистор. Как проверить диод мультиметром, можно прочитать в этой статье.

Проверяем исправный транзистор

Ну что же, давайте на практике определим работоспособность нашего транзистора. А вот и наш пациент:

Внимательно читаем, что написано на транзисторе: С4106. Теперь открываем поисковик и ищем документ-описание на этот транзистор. По-английски он называется “datasheet”. Прямо так и забиваем в поисковике “C4106 datasheet”. Имейте ввиду, что импортные транзисторы пишутся английскими буквами.

Нас больше всего интересует распиновка выводов транзистора, а также его вид: NPN или PNP. То есть нам надо узнать, какой вывод что из себя представляет. Для данного транзистора нам надо узнать, где у него база, где эмиттер, а где коллектор.

А вот и схемка распиновки из даташита:

Теперь нам понятно, что первый вывод – это база, второй вывод – это коллектор, ну а третий – эмиттер

Возвращаемся к нашему рисунку

Мы узнали из даташита, что наш транзистор NPN проводимости.

Ставим мультиметр на прозвонку и начинаем проверять “диоды” транзистора. Для начала ставим “плюс” к базе, а “минус” к коллектору

Все ОК, прямой PN-переход должен обладать небольшим падением напряжения. Для кремниевых транзисторов это значение 0,5-0,7 Вольт, а для германиевых 0,3-0,4 Вольта. На фото 543 милливольта или 0,54 Вольта.

Проверяем переход база-эмиттер, поставив на базу “плюс” , а на эмиттер – “минус”.

Видим снова падение напряжения прямого PN перехода. Все ОК.

Меняем щупы местами. Ставим “минус” на базу, а “плюс” на коллектор. Сейчас мы замеряем обратное падение напряжения на PN переходе.

Все ОК, так как видим единичку.

Проверяем теперь обратное падение напряжения перехода база-эмиттер.

Здесь у нас мультиметр также показывает единичку. Значит можно дать диагноз транзистору – здоров.

Проверяем неисправный транзистор

Давайте проверим еще один транзистор. Он подобен транзистору, который мы с вами рассмотрели выше. Его распиновка (то есть положение и значение выводов) такая же, как у нашего первого героя. Также ставим мультиметр на прозвонку и цепляемся к нашему подопечному.

Нолики… Это не есть хорошо. Это говорит о том, что PN-переход пробит. Можно смело выкидывать такой транзистор в мусор.

Очень удобно проверять транзисторы, имея прибор RLC-транзисторметр

Заключение

В заключении статьи, хотелось бы добавить, что лучше всегда находить даташит на проверяемый транзистор. Бывают так называемые составные транзисторы. Это значит, что в одном конструктивном корпусе транзистора могут быть вмонтированы два и более транзисторов. Имейте также ввиду, что некоторые радиоэлементы имеют такой же корпус, как и транзисторы. Это могут быть тиристоры, стабилизаторы, преобразователи напряжения или даже какая-нибудь иностранная микросхема.

Испытание постоянным током

Для испытания постоянным током необходимо собрать стенд. В качестве блока питания можно воспользоваться компьютерным БП у которого по линии 12V, ток равен 20A. Для охлаждение транзистора будем использовать радиатор для процессора с сокетом 478 и обязательным наличием вентилятора и термопасты. Ток базы и ток коллектора будем измерять двумя мультиметрами. Обеспечивать необходимый ток базы транзистора 2N3055 будем дополнительным транзистором с током коллектора до 1А, отлично подойдет для этих целей транзистор BD140, установленный на небольшой радиатор.

Испытывать транзистор 2N3055 будем при температуре окружающей среды +25°C, где согласно Total Dissipation мощность транзистора будет составлять 115W. Мы не будем грузить транзистора до 115W, зададим мощность 90W.

Перед тем как испытывать наши транзисторы, произведем расчеты схемы стенда.

1) Рассчитаем ток коллектора:

Рассчитаем ток коллектора, зная мощность и напряжение коллектор — эмиттер:

P = U*I; I = P/U;

Найдем ток коллектора при мощности 90W:

Iк = 90W / 12V = 7,5А;

Мы нашли ток коллектора, согласно даташиту максимальный ток коллектора 2N3055 составляет 15А, наши расчетные 7,5А не превышают 15А.

2) Теперь создадим схему стенда:

Транзисторы подключим по схеме с общим эмиттером.

Нам необходимо задать максимальный ток коллектора транзистора BD140, рассчитав номинал резистора Rб.

3) Рассчитаем номинал резистора Rб:

Зададим ток коллектора транзистора BD140 равнымIк = 0,9А;

Коэффициент усиления транзистора BD140 равенhFE= 182 (взять из даташита либо определить с помощью мультиметра);

Рассчитаем необходимый ток базы транзистора BD140:

Iк = hFE * Iб; Iб = Iк / hFE;

Iб = 0,9А / 182 = 0,004945А или 4,95 мА;

Ток базы равен 4,95 мА;

Находим номинал резистора Rб:

Rб = (Uпит — Uпад)/Iб;

Rб = (12V — 0,66V(падение напряжения база — эмиттер))/ 0,004945А = 2293 Ом или 2,2 кОм.

Потенциометр Var R возьмем номиналом 10 кОм.

После произведения расчетов соберем стенд, обязательно не забудьте нанести термопасту на основание транзистора. После нанесения термопасты и установки транзисторов на радиаторы, настройте потенциометр в максимально положение, т.е. что-бы его номинал был равен 10 кОм.

Теперь когда у нас все готово к измерениям, мультиметры включены в режиме измерения тока, подаем питание на схему и смотрим показания мультиметров. Алгоритм измерения следующий: медленно крутим потенциометр плавно повышая ток базы транзистора 2N3055 и параллельно смотрим на ток коллектора транзистора 2N3055, производим расчет мощности по формуле P = U*I где I ток коллектора.

Технические характеристики [ править ]

Точные рабочие характеристики зависят от производителя и даты; до перехода на эпитаксиальную базовую версию в середине 1970-х годов f _T могла составлять, например, всего 0,8 МГц.

производитель	Дата	V генеральный директор	V CBO	V CER (100 Ом)	I C	I B	P D @ T C = 25 град.	h fe (импульсный тест)	f T
RCA	1967	60 В генеральный директор (вус)	100 В CBO	70 В CER (Sus)	15А	7А	115 Вт	20-70 (при I C = 4А в импульсном режиме )	не дано
ON-Semiconductor	2005	60 В генеральный директор	100 В CBO	70 В CER	15А (непрерывный)	7А	115 Вт	20-70 (при I C = 4A)	2,5 МГц

Упакованный в корпус типа TO-3 , это силовой транзистор на 15 А , 60 В (или более, см. Ниже), 115 Вт с (усиление прямого тока) от 20 до 70 при токе коллектора 4 А (это может быть от 100 до 200 при тестировании с помощью мультиметра ). часто составляет около 3,0 МГц, а для 2N3055A типично 6 МГц; на этой частоте расчетное усиление по току (бета) падает до 1, указывая на то, что транзистор больше не может обеспечивать полезное усиление в конфигурации с обычным эмиттером . Частота, при которой усиление начинает падать, может быть намного ниже, см. Ниже.

Транзистор 2Н3055 внутреннее устройство.

Максимальные оценки

Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером для 2N3055, как и для других транзисторов, зависит от пути сопротивления, который внешняя цепь обеспечивает между базой и эмиттером транзистора; при 100 Ом номинальное напряжение пробоя 70 В, V _CER , и поддерживающее напряжение коллектор-эмиттер, V _{CEO (sus)} , предоставлено ON Semiconductor. Иногда напряжение пробоя _CBO 100 В (максимальное напряжение между коллектором и базой при открытом эмиттере, нереалистичное расположение в практических схемах) указывается как единственное номинальное напряжение, которое может вызвать путаницу. Производители редко указывают номинальное напряжение V _CES для 2N3055.

Общая потребляемая мощность (P написана D в большинстве американских справочных данных, P карапуз в европейских) зависит от радиатора , к которому подключен 2N3055. С «бесконечным» радиатором, то есть: когда температура корпуса определенно составляет 25 градусов, номинальная мощность составляет около 115 Вт (некоторые производители указывают 117 Вт), но для большинства приложений (и, конечно, при высокой температуре окружающей среды) ожидается значительно более низкая номинальная мощность согласно графику снижения мощности производителя

Устройство разработано для работы с эффективным радиатором, но необходимо соблюдать осторожность, чтобы правильно установить устройство иначе это может привести к физическому повреждению или ухудшению энергопотребления, особенно с корпусами или радиаторами, которые не идеально плоский

Частота перехода, f _T

Руководство по RCA-транзисторам 1967 года, SC-13, не упоминает никаких измерений высокочастотных характеристик 2N3055; в руководстве SC-15 1971 года была указана частота перехода f _T не менее 800 кГц (при I _C = 1 A) и f _hfe (частота, при которой усиление тока слабого сигнала падает на 3 дБ). указано при 1А как минимум 10 кГц. Другие производители примерно в это время также указали бы аналогичные значения (например, в 1973 году Philips дал f _T > 0,8 МГц и f _hfe > 15 кГц для своего устройства 2N3055).

К 1977 году RCA изменили свою спецификацию, чтобы дать 2,5 для минимальной величины усиления слабого сигнала при f = 1 МГц, по существу давая минимальное значение f _T 2,5 МГц (и 4 МГц для их MJ2955). Современные таблицы данных 2N3055 часто, но не всегда, указывают f _T равным 2,5 МГц (минимум), потому что со временем были внесены некоторые улучшения (особенно переход на эпитаксиальный производственный процесс). Тем не менее, нельзя предполагать, что 2N3055 (и многие другие силовые транзисторы того времени) обладают хорошими высокочастотными характеристиками, и даже в пределах диапазона звуковых частот может наблюдаться ухудшение фазового сдвига и усиления без обратной связи. Современные преемники 2N3055 могут быть гораздо более подходящими в схемах с быстрым переключением или высококачественных усилителях мощности звука.